A. | 若以垂直紙面向外為磁通量的正值,則如圖表示的是金屬框穿過磁場過程中的磁通量φ隨時間t變化的圖象 | |
B. | 若以順時針方向為電流的正方向,則如圖表示的是金屬框穿過磁場過程中的電流I隨時間t變化的圖象 | |
C. | 如圖表示的是金屬框穿過磁場過程中的bc邊的電勢差Ubc隨時間t變化的圖象 | |
D. | 若以向左為安培力的正方向,則如圖表示的是金屬框穿過磁場過程中的金屬框受到的安培力F隨時間t變化的圖象 |
分析 本題分三段研究:線框進入磁場、完全進入磁場和穿出磁場三個過程.由Φ=BS=BLvt,E=BLv、$I=\frac{E}{R}$結(jié)合求解感應(yīng)電流的大。捎沂侄▌t判斷感應(yīng)電流的方向,判斷選項,根據(jù)ab兩端電壓Uab與感應(yīng)電動勢的關(guān)系,求出Uab,判斷電壓圖象;
解答 解:A、當cd邊進入時,隨著時間的變化,有公式Φ=BS=BLvt,可知磁通量在增大;全部進入時磁通量不變;離開時磁通量均勻減;故若以垂直紙面向外為磁通量的正值,則如圖表示的是金屬框穿過磁場過程中的磁通量φ隨時間t變化的圖象;故A正確;
B、導(dǎo)線框做勻速運動,當cd邊進入過程,有公式E=BLV可知產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢大小恒定,結(jié)合$I=\frac{E}{R}$,可知電流恒定,有右手定則可知電流由d指向c,即電流方向為順時針,同理可知,離開時,為順時針;全部在磁場中時,感應(yīng)電流為零;故B正確;
C、線框進入或離開磁場過程中產(chǎn)生的電動勢:E=Blv,電流$I=\frac{E}{R}=\frac{E}{4r}$,進入磁場過程,ab兩端電壓:Uab1=Ir=$\frac{BLV}{4}$,線框完全進入磁場過程,Uab=BLabV,同理穿出磁場過程,Uab=I•3r=$\frac{3BLV}{4}$,故C錯誤;
D、由B可知,當cd邊進入過程,產(chǎn)生電流方向為逆時針,根據(jù)左手定則可知安培力方向向左,物體勻速運動故外力方向向右,線框全部進入后不產(chǎn)生感應(yīng)電流,無安培力,即也無外力,時間有$t=\frac{l}{v}$可知是進入時的2倍,同理單線圈離開磁場ab邊切割,與cd邊切割恰好相反,故D錯誤;
故選:AB.
點評 本題考查了I-t、U-t圖象,應(yīng)用E=BLv求出電動勢、因感應(yīng)歐姆定律求出電流、分析清楚線框運動過程、求出I、U隨時間變化的關(guān)系即可正確解題.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 力越大,位移越大,做功就一定越多 | |
B. | 力對物體做功越少,說明物體受的力越小 | |
C. | 力很大,位移也很大,但這個力做的功可能為零 | |
D. | 力對物體不做功,說明物體一定沒有發(fā)生位移 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 金屬桿加速運動過程中的平均速度為$\frac{V}{2}$ | |
B. | 金屬桿加速運動過程中克服安培力做功的功率大于勻速運動過程中克服安培力做功的功率 | |
C. | 金屬桿的速度為$\frac{V}{2}$時,它的加速度大小為$\frac{gsinθ}{2}$ | |
D. | 整個運動過程中電阻R產(chǎn)生的焦耳熱為mgh-$\frac{1}{2}$mv2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 第4秒內(nèi)的平均速度大于第4秒末的瞬時速度 | |
B. | 第4秒內(nèi)的平均速度大于4秒內(nèi)的平均速度 | |
C. | 第4秒內(nèi)的位移小于頭4秒內(nèi)的位移 | |
D. | 第3秒末的速度等于第4秒初的速度 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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