(2009?武昌區(qū)模擬)在xOy平面內(nèi),有許多電子從坐標(biāo)原點(diǎn)O不斷以大小為v0的速度沿不同的方向射入第一象限,如圖所示.現(xiàn)加上一個垂直于xOy平面向里的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,要求進(jìn)入該磁場的電子穿過該磁場后都能平行于y軸向y軸負(fù)方向運(yùn)動.已知電子的質(zhì)量為m、電荷量為e.(不考慮電子間的相互作用力和重力,且電子離開O點(diǎn)即進(jìn)入磁場.)
(1)求電子做作圓周運(yùn)動的軌道半徑R;
(2)在圖中畫出符合條件的磁場最小面積范圍(用陰影線表示);
(3)求該磁場的最小面積.
分析:(1)從第一象限射入的電子,速度的大小相同,根據(jù)洛倫茲力提供向心力,寫出方程,求得電子運(yùn)動的半徑;
(2)作出平行于y軸入射的電子軌跡和平行于x軸入射的電子的軌跡,兩個電子的運(yùn)動半徑相同,通過幾何關(guān)系可知可得知磁場最小面積時的圖形.
(3)結(jié)合平行于y軸射入的電子和平行于x軸方向射入的電子的軌跡,結(jié)合幾何關(guān)系可得知磁場最小面積時的圖形,從而可得出最小面積.
解答:解:(1)設(shè)電子在磁場中運(yùn)動的半徑為R,由牛頓第二定律得:ev0B=m
v2
R

R=
mv0
eB

(2)如圖所示,初速度沿y軸正方向的電子運(yùn)動的軌跡構(gòu)成磁場的“最小面積”對應(yīng)的上邊界a,其表達(dá)式為:
(x-R)2+y2=R2 ①,(其中0≤x≤2R,0≤y≤R)
當(dāng)電子與x軸成α角入射時,電子從坐標(biāo)為(x,y)的P點(diǎn)射出磁場,則所有出射點(diǎn)的方程有:
(x-R)2+y2=R2②,
上式即為磁場的右下邊界b.
當(dāng)電子與x軸成α=0角入射時,電子的運(yùn)動軌跡構(gòu)成磁場的左下邊界c,其表達(dá)式為:
x2+(R-y)2=R2  ③
由①②③所包圍的面積就是磁場的最小范圍,如圖所示:
(3)最小面積:S=R2+
πR2
2
=
(2+π)R2
2
=
2+π
2
?
m2
v
2
0
e2B2

答:(1)電子做作圓周運(yùn)動的軌道半徑R=
mv0
eB

(2)在圖中畫出符合條件的磁場最小面積范圍如圖;
(3)該磁場的最小面積為
2+π
2
?
m2
v
2
0
e2B2
點(diǎn)評:本題在審題時要關(guān)注以下兩點(diǎn):
(1)從第一象限射入的電子,速度的大小相同,速度的方向(與x軸的正方向)分布在0°到90°的范圍內(nèi).
(2)能夠正確畫出粒子射出磁場的邊界.
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1
3
,并能測得多組數(shù)據(jù).
電流表G1:量程1mA,內(nèi)阻r1為500Ω
電流表G2:量程100μA,內(nèi)阻r2約為1000Ω
定值電阻R1:阻值為5Ω
定值電阻R2:阻值為20Ω
電壓表V:量程3V,內(nèi)阻rV約為10kΩ
滑動變阻器R:總電阻為20Ω
電池組E:電動勢約為6V,內(nèi)阻很小但不能忽略
單刀單擲開關(guān)一個及導(dǎo)線若干.
(1)在如圖所示的虛線框中畫出精確測量Rx的電路圖,并標(biāo)明所選器材的代號字母.
(2)在所測量數(shù)據(jù)中選一組數(shù)據(jù)計算Rx,計算表達(dá)式Rx=
U-Ir1
I(1+
r1
R1
)
U-Ir1
I(1+
r1
R1
)
,表達(dá)式中各符號表示的意義是
U為電壓表的讀數(shù),I為電流表G1的讀數(shù),R1為定值電阻的讀數(shù),r1為電流表G1的電阻
U為電壓表的讀數(shù),I為電流表G1的讀數(shù),R1為定值電阻的讀數(shù),r1為電流表G1的電阻

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