A. | 金屬桿ab所受的安培力大小為BILsinθ | |
B. | 金屬桿ab所受的安培力大小為BIL | |
C. | 金屬桿ab所受的摩擦力大小為BILsinθ | |
D. | 金屬桿ab所受的摩擦力大小為μmg |
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | μg | B. | $\frac{g}{μ}$ | C. | $\frac{μ}{g}$ | D. | g |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電場線方向由B指向A | B. | A點場強一定大于B點場強 | ||
C. | 如Q為負電荷,則Q在A點左側 | D. | 從A運動到B,電子電勢能增加 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | ($\frac{{L}_{1}}{{L}_{2}}$)2 | B. | ($\frac{{L}_{1}}{{L}_{2}}$)3 | C. | ($\frac{{L}_{2}}{{L}_{1}}$)2 | D. | ($\frac{{L}_{2}}{{L}_{1}}$)3 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 15N,水平向左 | B. | 15N,水平向右 | C. | 30N,水平向左 | D. | 30N,水平向右 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 二價銅離子打在屏上時的速度小 | |
B. | 離子進入偏轉電場后,二價銅離子飛到屏上用的時間短 | |
C. | 離子通過加速電場過程中,電場力對二價銅離子做的功大 | |
D. | 在離開偏轉電場時,兩種離子在電場方向上的位移不相等 |
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