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A. | 第2 s末的瞬時速度是$\frac{\sqrt{2}}{2}$ m/s | B. | 前2s內的平均速度為$\frac{\sqrt{2}}{2}$m/s | ||
C. | 前4s內的平均速率為0.5 m/s | D. | 前2s內的平均速度為2 m/s |
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A. | 氣體的體積變小時,單位體積的分子數(shù)增多,單位時間內打到器壁單位面積上的分子數(shù)增多,從而氣體的壓強一定增大 | |
B. | 氣體膨脹,它的內能一定減少 | |
C. | 已知阿伏加德羅常數(shù)、某氣體的摩爾質量和密度,就可估算出該氣體中分子的平均距離 | |
D. | 對于一定量的理想氣體,當分子熱運動變劇烈時,壓強必變大 |
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A. | 人造衛(wèi)星的角速度為$\sqrt{\frac{g}{{8{R_0}}}}$ | B. | 人造衛(wèi)星的周期$T=2π\(zhòng)sqrt{\frac{{2{R_0}}}{g}}$ | ||
C. | 人造衛(wèi)星受到地球的引力為$F=\frac{1}{2}mg$ | D. | 人造衛(wèi)星的速度$v=\sqrt{{R_0}g}$ |
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A. | Q球在運動過程中機械能守恒 | |
B. | P從最高點運動到最低點過程中桿對其做功為2mgL | |
C. | 水平位置時桿對P的作用力大小為$\sqrt{5}$mg | |
D. | Q到達最高點時桿對其作用力大小為$\frac{2}{3}$mg |
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A. | 膜內電場強度約為4×105 V/m | |
B. | 膜內電場強度約為2×105 V/m | |
C. | 每個鈉離子沿電場方向透過膜時電場力做功約為6.4×10-20 J | |
D. | 每個鈉離子沿電場方向透過膜時電場力做功約為1.6×10-19 J |
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A. | 沿著電場線的方向電勢不一定降低 | |
B. | 電勢降低的方向一定是電場線的方向 | |
C. | 正電荷只在電場力的作用下,一定向電勢低的地方移動 | |
D. | 負電荷只在電場力的作用下,由靜止釋放,一定向電勢高的地方移動 |
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