【題目】如圖所示，一傳送帶與水平面的夾角θ= 300，且以v1=2 m/s的速度沿順時針方向傳動。一小物塊以v2=4 m/s的速度從底端滑上傳送帶，最終又從傳送帶的底端滑出。已知物塊與傳送帶間的動摩擦因數(shù)，傳送帶足夠長，取重力加速度g=10 m／s2。求：

(1)小物塊沿傳送帶向上滑行的時間t；

(2)小物塊離開傳送帶時的速度大小v。

（1）現(xiàn)有兩個滑動變阻器R1（0～10Ω，2A）和R2（0～1kΩ，1A），實驗中應(yīng)選用的滑動變阻器是_____。

（2）請根據(jù)圖甲所示的電路，在圖乙中將實物連線補(bǔ)充完整_____。

（3）如圖丙是某同學(xué)根據(jù)實驗數(shù)據(jù)描繪出的伏安特性曲線，從圖形可以得出小燈泡燈絲的電阻率隨溫度變化的特點是_____。

（4）若實驗室現(xiàn)只有一個電動勢為6V的鉛蓄電池，為了調(diào)節(jié)方便，同時確保實驗過程的安全性，某同學(xué)設(shè)計在電路中位置增加一個合適的定值電阻R0，在如圖丁給出的A、B、C三個位置中，最合理的是_____。

（1）讓物塊從圓弧面上某處下滑，物塊通過光電門時，數(shù)字計時器記錄的時間為t，測出物塊通過光電門后在長木板上滑行的距離為x，則物塊通過光電門的速度為_____，則物塊與長木板間的動摩擦因數(shù)為_____。

（2）通過改變物塊在圓弧面上開始下滑的位置，測出多組物塊通過光電門的時間t及物塊在長木板上滑行的距離x，如果要通過圖像處理數(shù)據(jù)，且要使作出的圖像是線性圖像，則當(dāng)橫軸為x時，縱軸應(yīng)為_____（填“t”“ ”或），如果作出的圖像斜率為k，則物塊與斜面體間的動摩擦因數(shù)為_____。

（3）關(guān)于該實驗下列說法中正確的是_____。

A．圓弧面越光滑越好 B．物塊每次必須在同一位置靜止開始下滑

C．遮光片寬度越小，實驗誤差越小 D．滑塊質(zhì)量的按下對測量結(jié)果沒有影響

【題目】如圖所示，傾角為的光滑斜面下端固定一絕緣輕彈簧，M點固定一個質(zhì)量為m、帶電量為-q的小球Q，整個裝置處于在場強(qiáng)大小為E、方向沿斜面向下的勻強(qiáng)電場中。現(xiàn)把一個帶電量為+q的小球P從N點由靜止釋放，釋放后P沿著斜面向下運動。N點與彈簧的上端和M的距離均為。P、Q以及彈簧的軸線ab與斜面平行。兩小球均可視為質(zhì)點和點電荷，彈簧的勁度系數(shù)為，靜電力常量為k，則

A. 小球P返回時，不可能撞到小球Q

B. 小球P在N點的加速度大小為

C. 小球P沿著斜面向下運動過程中，其電勢能一定減少

D. 當(dāng)彈簧的壓縮量為時，小球P的速度最大

A. 獲得的最大速度之比為1：2

B. 獲得的最大動能之比為1：4

C. 加速需要的交變電壓的頻率之比為2：1

D. 經(jīng)加速電場加速的次數(shù)之比為1：2

A. 炸彈從B點到C點和從C點到D點重力做功之比為1：1

B. 炸彈從B點到C點和從C點到D點重力做功的平均功率之比為1：3

C. 炸彈運動到C點和D點重力的瞬時功率之比為1：3

D. 炸彈從B點到C點與從C點到D點的動能改變量之比為1:2

A．分子勢能隨分子間距的圖像斜率越大，則分子力也越大

B．浸潤是附著層內(nèi)分子之間的作用表現(xiàn)為斥力，不浸潤是附著層內(nèi)分子之間的作用表現(xiàn)為引力

C．在任何自然過程中，一個孤立系統(tǒng)的總熵可能增加也可能減小

D．布朗運動中的固體顆粒在做無規(guī)則運動說明固體分子在做無規(guī)則熱運動

E．一定質(zhì)量的單晶體在熔化過程中分子勢能一定是增大的

（1）金屬棒在區(qū)域abdc內(nèi)切割磁感線時產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢隨位移x（相對b點）的表達(dá)式；

（2）試求撤去外力后在區(qū)域cdfe內(nèi)切割磁感線時棒的速度v隨位移x（相對d點）的變化規(guī)律以及df的長度x2應(yīng)滿足什么條件。

（3）金屬棒在整個運動過程中電阻R的最大電流值和最小值。

（1）物體滑上傳送帶向左運動的最遠(yuǎn)距離及此過程中物體與傳送帶摩擦所產(chǎn)生的內(nèi)能

（2）物體第一次從滑上傳送帶到離開傳送帶所經(jīng)歷的時間；