（2013?朝陽(yáng)區(qū)二模）硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料．鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法，該制備過(guò)程示意如下：

（1）焦炭在過(guò)程Ⅰ中作劑．
（2）過(guò)程Ⅱ中的Cl₂用電解飽和食鹽水制備，制備Cl₂的化學(xué)方程式是．
（3）整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水．
①SiCl₄遇水劇烈水解生成SiO₂和一種酸，反應(yīng)的化學(xué)方程式是．
②干燥Cl₂時(shí)，從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮，需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃，然后再通入到濃H₂SO₄中．冷卻的作用是．
（4）Zn還原SiCl₄的反應(yīng)如下：
反應(yīng)1：400℃～756℃，SiCl₄（g）+2Zn（l）?Si（s）+2ZnCl₂（l）△H₁＜0
反應(yīng)2：756℃～907℃，SiCl₄（g）+2Zn（l）?Si（s）+2ZnCl₂（g）△H₂＜0
反應(yīng)3：907℃～1410℃，SiCl₄（g）+2Zn（g）?Si（s）+2ZnCl₂（g）△H₃＜0
①對(duì)于上述三個(gè)反應(yīng)，下列說(shuō)法合理的是．
a．升高溫度會(huì)提高SiCl₄的轉(zhuǎn)化率      b．還原過(guò)程需在無(wú)氧的氣氛中進(jìn)行
c．增大壓強(qiáng)能提高反應(yīng)的速率         d．Na、Mg可以代替Zn還原SiCl₄
②實(shí)際制備過(guò)程選擇“反應(yīng)3”，選擇的理由是．
③已知Zn（l）═Zn（g）△H=+116KJ/mol．若SiCl₄的轉(zhuǎn)化率均為90%，每投入1mol SiCl₄，“反應(yīng)3”比“反應(yīng)2”多放出kJ的熱量．
（5）用硅制作太陽(yáng)能電池時(shí)，為減弱光在硅表面的反射，采用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層．腐蝕劑常用稀HNO₃和HF的混合液．硅表面首先形成SiO₂，最后轉(zhuǎn)化為H₂SiF₆．用化學(xué)方程式表示SiO₂轉(zhuǎn)化為H₂SiF₆的過(guò)程．

（2013?合肥一模）已知Zn（s）+H₂SO₄（aq）=ZnSO₄（aq）+H₂（g）△H＜0；則下列敘述不正確的是（　�。�

已知Zn（s）+H₂SO₄（aq）═ZnSO₄（aq）+H₂（g）△H＜0，則下列關(guān)于該反應(yīng)的敘述不正確的是（　�。�