(1)不同類型的晶體:一般而言.熔.沸點(diǎn)高低順序?yàn)樵泳w>離子晶體和金屬晶體>分子晶體 (2)同類晶體: ①原子晶體的熔.沸點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)和鍵能.鍵長(zhǎng)越短.鍵越大.熔.沸點(diǎn)越高.如金剛石>金剛砂>晶體硅 ②離子晶體的熔.沸點(diǎn)取決于離子鍵的強(qiáng)弱.通常離子半徑越小.離子所帶電荷數(shù)大.離子鍵越強(qiáng).熔.沸點(diǎn)高.如KF>KCl>KBr.NaCl>KCl, 晶格能是指 形成1摩離子晶體釋放的能量.通常取正值.晶格能越大.形成的離子晶體越 .且熔沸點(diǎn) ③分子晶體的熔.沸點(diǎn)取決于分子間作用力的大小.通常分子極性越強(qiáng).相對(duì)分子質(zhì)量越大.分子間作用力越強(qiáng).熔.沸越高.有氫鍵的分子晶體.還要考慮氫鍵的強(qiáng)弱 ④同類金屬晶體中.金屬離子半徑越小.陽離子帶電荷數(shù)越高.金屬鍵越強(qiáng).熔.沸點(diǎn)越高.如Li>Na>K. Na<Mg<Al 試題枚舉 [例1]晶體具有各向異性.如藍(lán)晶石(Al2O3·SiO2)在不同方向上的硬度不同,又如石墨在與層垂直的方向上的導(dǎo)電率與層平行的方向上的導(dǎo)電率1∕104.晶體的各向異性主要表現(xiàn)在是:( ) ①硬度 ②導(dǎo)熱性 ③導(dǎo)電性 ④光學(xué)性質(zhì) A.①③ B.②④ C.①②③ D.①②③④ 答案:D [例2]下列屬于分子晶體的一組物質(zhì)是 A. CaO.NO.CO B .CCl4.H2O2.He C .CO2.SO2.NaCl D .CH4.O2.Na2O 解析:固態(tài)金屬是金屬晶體,大多數(shù)的鹽.堿和金屬氧化物是離子晶體,熟記常見的原子晶體,其它常見物質(zhì)大多是分子晶體 答案:B. [例3]下列性質(zhì)符合分子晶體的是 A . 熔點(diǎn)1070℃.易熔于水.水溶液能導(dǎo)電 B. 熔點(diǎn)是10.31℃.液體不導(dǎo)電.水溶液能導(dǎo)電 C. 熔點(diǎn)97.81℃.質(zhì)軟.能導(dǎo)電.密度是0.97g/cm3 D. 熔點(diǎn)973℃.熔化時(shí)能導(dǎo)電.水溶液也能導(dǎo)電 解析:A.D中的物質(zhì)熔點(diǎn)較高.D中物質(zhì)熔化時(shí)能導(dǎo)電.都是離子化合物,C中物質(zhì)固態(tài)能導(dǎo)電.應(yīng)為金屬單質(zhì) 答案:B [例4]下列大小關(guān)系正確的是( ) A.晶格能:NaCl<NaBr B.硬度:MgO>CaO C.熔點(diǎn):NaI>NaBr D.熔沸點(diǎn):CO2>NaCl 解析:離子半徑 Cl-<Br- 離子鍵 NaCl>NaBr.晶格能NaCl>NaBr.A項(xiàng)錯(cuò)誤,MgO.CaO均為離子晶體.離子半徑Mg2+<Ca2+.MgO中離子鍵強(qiáng).鍵能大.晶格能大.硬度大.B正確,C類似,D中CO2分子晶體.NaCl是離子晶體.熔沸點(diǎn):CO2<NaCl 答案:B [例5]金屬能導(dǎo)電的原因是 A. 金屬晶體中金屬陽離子與自由電子間的相互作用較弱 B.金屬晶體中的自由電子在外加電場(chǎng)作用下可發(fā)生定向移動(dòng) C.金屬晶體中的金屬陽離子在外加電場(chǎng)作用下可發(fā)生定向移動(dòng) D.金屬晶體在外加電場(chǎng)作用下可失去電子 解析:金屬晶體中金屬陽離子與自由電子間的相互作用屬于靜電作用.是強(qiáng)烈的相互作用.A錯(cuò)誤,金屬晶體在外加電場(chǎng)作用下電子定向移動(dòng).不會(huì)失去. 答案:B [例6]現(xiàn)有甲.乙.丙.丁四種晶胞.可推知:甲晶體中A與B的離子個(gè)數(shù)比為 ,乙晶體的化學(xué)式為 ,丙晶體的化學(xué)式為 ,丁晶體的化學(xué)式為 . 解析:立方晶胞體心的微粒一個(gè)晶胞所有.面心的微粒為兩個(gè)晶胞是共有.每個(gè)微粒有1/2屬于該晶胞.棱邊的微粒為4個(gè)晶胞共有.每個(gè)微粒有1/4屬于該晶胞.頂點(diǎn)的微粒為個(gè)8晶胞共有.每個(gè)微粒有1/8屬于該晶胞. 答案:1∶1 C2D EF XY3Z 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

X、Y、Z、M為4種短周期元素,X、Y位于同周期且原子半徑r(X)>r(Y),Y2-與M+的 電子層結(jié)構(gòu)相同,Z與X的原子核外最外層電子數(shù)相同,Z的單質(zhì)可制成半導(dǎo)體材料.下列說法不正確的是(  )

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(1)下列數(shù)據(jù)是對(duì)應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)(℃)
NaCl Na2O AlF3 AlCl3 BCl3 Al2O3 CO2 SiO2
801 920 1291 190 -109 2073 -57 1723
據(jù)此作出的下列判斷中,錯(cuò)誤的是
B
B

A.鋁的化合物晶體中有離子晶體
B.表中只有BCl3,干冰是分子晶體
C.同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體
D.不同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體
(2)SiO2晶體結(jié)構(gòu)片斷如圖所示.SiO2晶體中Si和Si-O鍵的比例為
1:4
1:4
通常人們把拆開1mol某化學(xué)鍵的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能.
化學(xué)鍵 Si-O Si-Si O-O
鍵能/KJ.mol-1 460 176 498
Si(s)+O2(g)
 高溫 
.
 
SiO2(s),該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H=
-990 kJ/mol
-990 kJ/mol

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表中數(shù)據(jù)是對(duì)應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn),據(jù)此做出的下列判斷中錯(cuò)誤的是:( 。
Na2O NaCl AlF3 AlCl3
920 801 1291 190
BCl3 Al2O3 CO2 SiO2
-107 2073 -57 1723

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下列數(shù)據(jù)是對(duì)應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)
Na2O NaCl AlF3 AlCl3
920 801 1291 190
BCl3 Al2O3 CO2 SiO2
-107 2073 -57 1723
據(jù)此做出的下列判斷中錯(cuò)誤的是( 。

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下列數(shù)據(jù)是對(duì)應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)表,有關(guān)的判斷正確的是( 。
Na2O Na AlF3 AlCl3 Al2O3 BCl3 CO2 SiO2
920℃ 97.8℃ 1291℃ 190℃ 2073℃ -107℃ -57℃ 1723℃
A、只要含有金屬陽離子的晶體就一定是離子晶體
B、AlF3 和AlCl3 晶體熔化時(shí),克服的微粒間作用力類型相同
C、同族元素的氧化物不可能形成不同類型的晶體
D、金屬晶體的熔點(diǎn)不一定比分子晶體的高

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