25.如圖所示.半徑為r.圓心為O1的虛線所圍的圓形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng).在磁場(chǎng)右側(cè)有一堅(jiān)直放置的平行金屬板M和N.兩板間距離為L(zhǎng).在MN板中央各有一個(gè)小孔O2.O3.O1.O2.O3在同一水平直線上.與平行金屬板相接的是兩條豎直放置間距為L(zhǎng)的足夠長(zhǎng)的光滑金屬導(dǎo)軌.導(dǎo)體棒PQ與導(dǎo)軌接觸良好.與阻值為R的電陰形成閉合回路(導(dǎo)軌與導(dǎo)體棒的電阻不計(jì)).該回路處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B.方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中.整個(gè)裝置處在真空室中.有一束電荷量為+q.質(zhì)量為m的粒子流.以速率v0從圓形磁場(chǎng)邊界上的最低點(diǎn)E沿半徑方向射入圓形磁場(chǎng)區(qū)域.最后從小孔O3射出.現(xiàn)釋放導(dǎo)體棒PQ.其下滑h后開始勻速運(yùn)動(dòng).此后粒子恰好不能從O3射出.而從圓形磁場(chǎng)的最高點(diǎn)F射出.求: (1)圓形磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B′. (2)導(dǎo)體棒的質(zhì)量M. (3)棒下落h的整個(gè)過程中.電阻上產(chǎn)生的電熱. (4)粒子從E點(diǎn)到F點(diǎn)所用的時(shí)間. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖所示,半徑為r、圓心為O1的虛線所圍的圓形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),在磁場(chǎng)右側(cè)有一豎直放置的平行金屬板M和N,兩板間距離為L(zhǎng),在MN板中央各有一個(gè)小孔O2、O3、O1、O2、O3在同一水平直線上,與平行金屬板相接的是兩條豎直放置間距為L(zhǎng)的足夠長(zhǎng)的光滑金屬導(dǎo)軌,導(dǎo)體棒PQ與導(dǎo)軌接觸良好,與阻值為R的電陰形成閉合回路(導(dǎo)軌與導(dǎo)體棒的電阻不計(jì)),該回路處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,整個(gè)裝置處在真空室中,有一束電荷量為+q、質(zhì)量為m的粒子流(重力不計(jì)),以速率v0從圓形磁場(chǎng)邊界上的最低點(diǎn)E沿半徑方向射入圓形磁場(chǎng)區(qū)域,最后從小孔O3射出.現(xiàn)釋放導(dǎo)體棒PQ,其下滑h后開始勻速運(yùn)動(dòng),此后粒子恰好不能從O3射出,而從圓形磁場(chǎng)的最高點(diǎn)F射出.求:
(1)圓形磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B′.
(2)導(dǎo)體棒的質(zhì)量M.
(3)棒下落h的整個(gè)過程中,電阻上產(chǎn)生的電熱.

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如圖所示,半徑為r、圓心為O1的虛線所圍的圓形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),在磁場(chǎng)右側(cè)有一豎直放置的平行金屬板CD,兩板間距離為L,在CD板中央各有一個(gè)小孔O2、O3。O1、O2、O3在同一水平直線上,兩根足夠長(zhǎng)的直金屬導(dǎo)軌MN、PQ平行放置在傾角為θ的絕緣斜面上,兩導(dǎo)軌間距也為LM、P兩點(diǎn)間接有阻值為R的電阻。一根質(zhì)量為M的均勻直導(dǎo)體棒ab放在兩導(dǎo)軌上,并與導(dǎo)軌垂直,閉合回路,導(dǎo)軌與導(dǎo)體棒的電阻不計(jì),二者之間的摩擦不計(jì)。整套裝置處于勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)方向垂直于斜面向上。整個(gè)裝置處在真空室中,有一電荷量為+q、質(zhì)量為m的粒子(重力不計(jì)),以速率v0從圓形磁場(chǎng)邊界上的最低點(diǎn)E沿半徑方向射入圓形磁場(chǎng)區(qū)域,最后從小孔O3射出。現(xiàn)釋放導(dǎo)體棒ab,其沿著斜面下滑h后開始勻速運(yùn)動(dòng),此時(shí)仍然從E點(diǎn)沿半徑方向射入圓形磁場(chǎng)區(qū)域的相同粒子恰好不能從O3射出,而從圓形磁場(chǎng)的最高點(diǎn)F射出。求:
(1)圓形磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B′
(2)導(dǎo)體棒ab的質(zhì)量M
(3)導(dǎo)體棒ab下落h的整個(gè)過程中,導(dǎo)體棒ab克服安培力做的功為多少?

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如圖所示,半徑為r、圓心為O1的虛線所圍的圓形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),在磁場(chǎng)右側(cè)有一堅(jiān)直放置的平行金屬板M和N,兩板間距離為L(zhǎng),在MN板中央各有一個(gè)小孔O2、O3,O1、O2、O3在同一水平直線上,與平行金屬板相接的是兩條豎直放置間距為L(zhǎng)的足夠長(zhǎng)的光滑金屬導(dǎo)軌,導(dǎo)體棒PQ與導(dǎo)軌接觸良好,與阻值為R的電阻形成閉合回路(導(dǎo)軌與導(dǎo)體棒的電阻不計(jì)),該回路處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,整個(gè)裝置處在真空室中,有一束電荷量為+q、質(zhì)量為m的粒子流(重力不計(jì)),以速率v0從圓形磁場(chǎng)邊界上的最低點(diǎn)E沿半徑方向射入圓形磁場(chǎng)區(qū)域,最后從小孔O3射出,F(xiàn)釋放導(dǎo)體棒PQ,其下滑h后開始勻速運(yùn)動(dòng),此后粒子恰好不能從O3射出,而從圓形磁場(chǎng)的最高點(diǎn)F射出。求:
(1)圓形磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B′。
(2)導(dǎo)體棒的質(zhì)量M。
(3)棒下落h的整個(gè)過程中,電阻上產(chǎn)生的電熱。
(4)粒子從E點(diǎn)到F點(diǎn)所用的時(shí)間。

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如圖所示,半徑為r、圓心為O1的虛線所圍的圓形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),在磁場(chǎng)右側(cè)有一豎直放置的平行金屬板CD,兩板間距離為L,在CD板中央各有一個(gè)小孔O2O3。O1、O2O3在同一水平直線上,兩根足夠長(zhǎng)的直金屬導(dǎo)軌MNPQ平行放置在傾角為θ的絕緣斜面上,兩導(dǎo)軌間距也為L。MP兩點(diǎn)間接有阻值為R的電阻。一根質(zhì)量為M的均勻直導(dǎo)體棒ab放在兩導(dǎo)軌上,并與導(dǎo)軌垂直,閉合回路,導(dǎo)軌與導(dǎo)體棒的電阻不計(jì),二者之間的摩擦不計(jì)。整套裝置處于勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)方向垂直于斜面向上。整個(gè)裝置處在真空室中,有一電荷量為+q、質(zhì)量為m的粒子(重力不計(jì)),以速率v0從圓形磁場(chǎng)邊界上的最低點(diǎn)E沿半徑方向射入圓形磁場(chǎng)區(qū)域,最后從小孔O3射出,F(xiàn)釋放導(dǎo)體棒ab,其沿著斜面下滑h后開始勻速運(yùn)動(dòng),此時(shí)仍然從E點(diǎn)沿半徑方向射入圓形磁場(chǎng)區(qū)域的相同粒子恰好不能從O3射出,而從圓形磁場(chǎng)的最高點(diǎn)F射出。求:
(1)圓形磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B'。
(2)導(dǎo)體棒ab的質(zhì)量M
(3)導(dǎo)體棒ab下落h的整個(gè)過程中,導(dǎo)體棒ab克服安培力做的功為多少?

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如圖所示,半徑為r、圓心為O1的虛線所圍的圓形區(qū)域內(nèi)存在垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),在磁場(chǎng)右側(cè)有一堅(jiān)直放置的平行金屬板M和N,兩板間距離為L(zhǎng),在MN板中央各有一個(gè)小孔O2、O3、O1、O2、O3在同一水平直線上,與平行金屬板相接的是兩條豎直放置間距為L(zhǎng)的足夠長(zhǎng)的光滑金屬導(dǎo)軌,導(dǎo)體棒PQ與導(dǎo)軌接觸良好,與阻值為R的電陰形成閉合回路(導(dǎo)軌與導(dǎo)體棒的電阻不計(jì)),該回路處在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,整個(gè)裝置處在真空室中,有一束電荷量為+q、質(zhì)量為m的粒子流(重力不計(jì)),以速率v0從圓形磁場(chǎng)邊界上的最低點(diǎn)E沿半徑方向射入圓形磁場(chǎng)區(qū)域,最后從小孔O3射出,F(xiàn)釋放導(dǎo)體棒PQ,其下滑h后開始勻速運(yùn)動(dòng),此后粒子恰好不能從O3射出,而從圓形磁場(chǎng)的最高點(diǎn)F射出。求:

   (1)圓形磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B′。

   (2)導(dǎo)體棒的質(zhì)量M。

   (3)棒下落h的整個(gè)過程中,電阻上產(chǎn)生的電熱。

   (4)粒子從E點(diǎn)到F點(diǎn)所用的時(shí)間。

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