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題目列表(包括答案和解析)

Ⅰ.A、B、C分別代表三種不同的短周期元素.A原子的最外層電子排布為ns1,B原子的價(jià)電子排布為ns2np2,C原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍.
(1)若A原子的最外層電子排布為1s1,則按原子軌道的重迭方式判斷,A與C形成的化合物中的共價(jià)鍵類型屬于
σ
σ
鍵,A與C所形成的化合物的熔沸點(diǎn)明顯高于A與C的同主族元素所形成的化合物的熔沸點(diǎn),其原因是
水分子之間存在氫鍵
水分子之間存在氫鍵
;
(2)當(dāng)n=2時(shí),B與C形成的晶體屬于
分子
分子
晶體.當(dāng)n=3時(shí),B與C形成的晶體中,B原子的雜化方式為
sp3
sp3
,微粒間的作用力是
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵
;
Ⅱ.元素周期表中第四周期元素由于受3d電子的影響,性質(zhì)的遞變規(guī)律與短周期元素略有不同.第四周期過(guò)渡元素的明顯特征是形成多種多樣的配合物.
(3)CO可以和很多過(guò)渡金屬形成配合物,如羰基鐵[Fe(CO)5]、羰基鎳[Ni(CO)4].CO分子中C原子上有一對(duì)孤對(duì)電子,C、O原子都符合8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),CO的結(jié)構(gòu)式為
C≡O(shè)
C≡O(shè)
,與CO互為等電子體的離子為
CN-
CN-
(填化學(xué)式).
(4)第四周期元素的第一電離能隨原子序數(shù)的增大,總趨勢(shì)是逐漸增大的.鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
,Ga的第一電離能卻明顯低于Zn,原因是
Ga失去1個(gè)電子后內(nèi)層電子達(dá)到全充滿的穩(wěn)定狀態(tài),而Zn的4s容納2個(gè)電子、處于全滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,Zn第一電離能較高
Ga失去1個(gè)電子后內(nèi)層電子達(dá)到全充滿的穩(wěn)定狀態(tài),而Zn的4s容納2個(gè)電子、處于全滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,Zn第一電離能較高

(5)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論預(yù)測(cè)H2Se和BBr3的立體結(jié)構(gòu),兩個(gè)結(jié)論都正確的是
d
d

a.直線形;三角錐形        b.V形;三角錐形
c.直線形;平面三角形      d.V形;平面三角形.

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Ⅰ.A、B、C、D、E、F為六種短周期元素,它們核電荷數(shù)依次遞增.
已知:B原子有3個(gè)能級(jí)且各能級(jí)電子數(shù)相等;D原子最外能層P能級(jí)上有2個(gè)未成對(duì)電子,E是同周期元素中第一電離能最小的元素;F是同周期元素中原子半徑最小的元素;A是非金屬元素,且A、C、F可形成離子化合物.   
請(qǐng)回答:
(1)A、D形成的三原子分子中心原子雜化類型是
sp3
sp3
,分子空間構(gòu)型為
三角錐
三角錐
,其電子式為

(2)元素A、D、F形成的原子數(shù)之比為1:1:1的化合物的電子式為
,其中心原子的雜化類型為
sp3
sp3
,VSEPR模型空間構(gòu)型為
四面體型
四面體型

(3)請(qǐng)用電子式表示D、E原子個(gè)數(shù)比為1:1的化合物的形成過(guò)程

(4)在B原子與A形成的多種分子中,有些分子的核磁共振氫譜顯示有兩種氫,寫出其中一種分子的名稱
丙烷
丙烷
,A、B、D元素的原子也可以共同形成多種分子和某種常見(jiàn)無(wú)機(jī)陰離子,寫出其中一種分子與該無(wú)機(jī)陰離子反應(yīng)的離子方程式
CO2+CO32-+H2O═2HCO3-
CO2+CO32-+H2O═2HCO3-

Ⅱ.某合金由 X、Y、Z三種元素組成,這三種元素位于周期表中前四周期,X是主要成分元素,X的基態(tài)原子中有4個(gè)未成對(duì)電子.Y的含量不低于11%,否則不能生成致密氧化膜YO3防止腐蝕,Y與X同周期,且原子核外未成對(duì)電子數(shù)最多.Z位于周期表中第4行、第10列.
(5)請(qǐng)寫出X、Y、Z的元素符號(hào)及原子序數(shù)X
Fe、26
Fe、26
、Y
Cr、24
Cr、24
Z
Ni、28
Ni、28

(6)請(qǐng)寫出Z的原子核外電子排布式
[Ar]3d84s2
[Ar]3d84s2
,X元素在周期表中的位置
第四周期第Ⅷ族
第四周期第Ⅷ族

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C、S、O、Se是同族元素,該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)Ge的原子核外電子排布式為

(2)C、Si、Sa三種元素的單質(zhì)中,能夠形成金屬晶體的是

(3)按要求指出下列氧化物的空間構(gòu)型、成鍵方式或性質(zhì)

①CO2分子的空間構(gòu)型及碳氧之間的成鍵方式                           

②SO2晶體的空間構(gòu)型及硅氧之間的成鍵方式                            ;

③已知SnO2是離子晶體,寫出其主要物理性質(zhì)             (寫出2條即可)

(4)CO可以和很多金屬形成配合物,如Ni(CO)2,Ni與CO之間的鍵型為

(5)碳氧鍵的紅外伸縮振動(dòng)頻率與鍵的強(qiáng)度成正比,已知Ni(CO)4中碳氧鍵的伸縮振動(dòng)頻率為2060cm3,CO分子中碳氧鍵的伸縮振動(dòng)頻率為2143cm2,則Ni(CO)中碳氧鍵的強(qiáng)度比CO分子中碳氧鍵的強(qiáng)度     (填字母)

A.強(qiáng)   

B.弱   

C.相等   

D.無(wú)法判斷

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C、S、O、Se是同族元素,該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:      

(1)Ge的原子核外電子排布式為

(2)C、Si、Sa三種元素的單質(zhì)中,能夠形成金屬晶體的是

(3)按要求指出下列氧化物的空間構(gòu)型、成鍵方式或性質(zhì)

①CO2分子的空間構(gòu)型及碳氧之間的成鍵方式                            ;

②SO2晶體的空間構(gòu)型及硅氧之間的成鍵方式                            ;

③已知SnO2是離子晶體,寫出其主要物理性質(zhì)             (寫出2條即可)

(4)CO可以和很多金屬形成配合物,如Ni(CO)2,Ni與CO之間的鍵型為

(5)碳氧鍵的紅外伸縮振動(dòng)頻率與鍵的強(qiáng)度成正比,已知Ni(CO)4中碳氧鍵的伸縮振動(dòng)頻率為2060cm-3,CO分子中碳氧鍵的伸縮振動(dòng)頻率為2143cm-2,則Ni(CO)中碳氧鍵的強(qiáng)度比CO分子中碳氧鍵的強(qiáng)度     (填字母)

A.強(qiáng)   

B.弱   

C.相等   

D.無(wú)法判斷

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C、S、O、Se是同族元素,該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)Ge的原子核外電子排布式為      

(2)C、Si、Sa三種元素的單質(zhì)中,能夠形成金屬晶體的是

(3)按要求指出下列氧化物的空間構(gòu)型、成鍵方式或性質(zhì)

①CO2分子的空間構(gòu)型及碳氧之間的成鍵方式                            ;

②SO2晶體的空間構(gòu)型及硅氧之間的成鍵方式                            ;

③已知SnO2是離子晶體,寫出其主要物理性質(zhì)             (寫出2條即可)

(4)CO可以和很多金屬形成配合物,如Ni(CO)2,Ni與CO之間的鍵型為

(5)碳氧鍵的紅外伸縮振動(dòng)頻率與鍵的強(qiáng)度成正比,已知Ni(CO)4中碳氧鍵的伸縮振動(dòng)頻率為2060cm-3,CO分子中碳氧鍵的伸縮振動(dòng)頻率為2143cm-2,則Ni(CO)中碳氧鍵的強(qiáng)度比CO分子中碳氧鍵的強(qiáng)度     (填字母)

A.強(qiáng)   

B.弱   

C.相等   

D.無(wú)法判斷

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