題目列表(包括答案和解析)
)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備SiCl4的裝置示意圖。
實(shí)驗(yàn)過程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:
物質(zhì) | SiCl4 | AlCl3 | FeCl3 |
沸點(diǎn)/℃ | 57.7 | - | 315 |
熔點(diǎn)/℃ | -70.0 | - | - |
升華溫度/℃ | - | 180 | 300 |
請回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是????????????????????????? 。
(2)裝置C中的試劑是?????????? ; D、E間導(dǎo)管短且粗的原因是????????????? 。
(3)G中吸收尾氣一段時(shí)間后,吸收液中肯定存在OH-、Cl-和SO42-。請?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。
【提出假設(shè)】假設(shè)1:只有SO32-;假設(shè)2:既無SO32-也無ClO-;假設(shè)3:?????? 。
【設(shè)計(jì)方案,進(jìn)行實(shí)驗(yàn)】可供選擇的實(shí)驗(yàn)試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。
取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中,分別進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)。請完成下表:
序號 | 操? 作 | 可能出現(xiàn)的現(xiàn)象 | 結(jié)論 |
① | 向a試管中滴加幾滴????????? 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設(shè)1成立 |
若溶液不褪色 | 則假設(shè)2或3成立 | ||
② | 向b試管中滴加幾滴????????? 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設(shè)1或3成立 |
若溶液不褪色 | 假設(shè)2成立 | ||
③ | 向c試管中滴加幾滴????????? 溶液 |
| 假設(shè)3成立 |
單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備SiCl4的裝置示意圖。
實(shí)驗(yàn)過程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:
物質(zhì) |
SiCl4 |
AlCl3 |
FeCl3 |
沸點(diǎn)/℃ |
57.7 |
- |
315 |
熔點(diǎn)/℃ |
-70.0 |
- |
- |
升華溫度/℃ |
- |
180 |
300 |
請回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是 。
(2)裝置C中的試劑是 ; D、E間導(dǎo)管短且粗的原因是 。
(3)G中吸收尾氣一段時(shí)間后,吸收液中肯定存在OH-、Cl-和SO42-。請?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。
【提出假設(shè)】假設(shè)1:只有SO32-;假設(shè)2:既無SO32-也無ClO-;假設(shè)3: 。
【設(shè)計(jì)方案,進(jìn)行實(shí)驗(yàn)】可供選擇的實(shí)驗(yàn)試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。
取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中,分別進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)。請完成下表:
序號 |
操 作 |
可能出現(xiàn)的現(xiàn)象 |
結(jié)論 |
① |
向a試管中滴加幾滴 溶液 |
若溶液褪色 |
則假設(shè)1成立 |
若溶液不褪色 |
則假設(shè)2或3成立 |
||
② |
向b試管中滴加幾滴 溶液 |
若溶液褪色 |
則假設(shè)1或3成立 |
若溶液不褪色 |
假設(shè)2成立 |
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③ |
向c試管中滴加幾滴 溶液 |
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假設(shè)3成立 |
)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備SiCl4的裝置示意圖。
實(shí)驗(yàn)過程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:
物質(zhì) | SiCl4 | AlCl3 | FeCl3 |
沸點(diǎn)/℃ | 57.7 | - | 315 |
熔點(diǎn)/℃ | -70.0 | - | - |
升華溫度/℃ | - | 180 | 300 |
序號 | 操 作 | 可能出現(xiàn)的現(xiàn)象 | 結(jié)論 |
① | 向a試管中滴加幾滴 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設(shè)1成立 |
若溶液不褪色 | 則假設(shè)2或3成立 | ||
② | 向b試管中滴加幾滴 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設(shè)1或3成立 |
若溶液不褪色 | 假設(shè)2成立 | ||
③ | 向c試管中滴加幾滴 溶液 | | 假設(shè)3成立 |
單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備SiCl4的裝置示意圖。
實(shí)驗(yàn)過程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:
物質(zhì) | SiCl4 | AlCl3 | FeCl3 |
沸點(diǎn)/℃ | 57.7 | - | 315 |
熔點(diǎn)/℃ | -70.0 | - | - |
升華溫度/℃ | - | 180 | 300 |
序號 | 操 作 | 可能出現(xiàn)的現(xiàn)象 | 結(jié)論 |
① | 向a試管中滴加幾滴 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設(shè)1成立 |
若溶液不褪色 | 則假設(shè)2或3成立 | ||
② | 向b試管中滴加幾滴 溶液 | 若溶液褪色 | 則假設(shè)1或3成立 |
若溶液不褪色 | 假設(shè)2成立 | ||
③ | 向c試管中滴加幾滴 溶液 | | 假設(shè)3成立 |
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