19．如圖14所示.正方形區(qū)域abcd邊長(zhǎng)L＝8cm.內(nèi)有平行于ab方向指向BC邊的勻強(qiáng)電場(chǎng).場(chǎng)強(qiáng)E＝3750 V/m.一帶正電的粒子電量q＝10-10C.質(zhì)量m＝10-20kg.沿電場(chǎng)中心線RO飛入電場(chǎng).初速度v0＝2×106m/s.粒子飛出電場(chǎng)后經(jīng)過(guò)界面CD.PS間的無(wú)電場(chǎng)區(qū)域后.進(jìn)入固定在O點(diǎn)的點(diǎn)電荷Q形成的電場(chǎng)區(qū)域.一進(jìn)入該區(qū)域即開(kāi)始做勻速圓周運(yùn)動(dòng)(設(shè)點(diǎn)電荷左側(cè)的電場(chǎng)分布以界面PS為界限.且不受PS影響).已知cd.PS相距12cm.粒子穿過(guò)PS最后垂直打在放置于中心線上的熒光屏MN上.不計(jì)粒子重力(靜電力常數(shù)k＝9×109Nm2/C2).試求: (1)粒子穿過(guò)界面PS時(shí)偏離中心線OR的距離y,(2)粒子穿過(guò)界面PS時(shí)的速度大小與方向,(3)O點(diǎn)與PS面的距離x,(4)點(diǎn)電荷Q的電性及電量大小. 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖14所示，在光滑絕緣的水平面上有一個(gè)用一根均勻?qū)w圍成的正方形線框abcd，其邊長(zhǎng)為L(zhǎng)，總電阻為R，放在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的左邊，圖中虛線MN為磁場(chǎng)的左邊界.線框在大小為F的恒力作用下向右運(yùn)動(dòng)，其中ab邊保持與MN平行.當(dāng)線框以速度v0進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)，它恰好做勻速運(yùn)動(dòng).在線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中，求：
（1）線框的ab邊產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大�。�
（2）求線框a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)差；
（3）求線框中產(chǎn)生的焦耳熱.

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14分）如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II，兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形（不計(jì)電子所受重力）。

（1）在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子，求電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置。

（2）在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子，電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi)，求所有釋放點(diǎn)的位置。

（3）若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向右移動(dòng)L/n（n≥1），仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi)（D不隨電場(chǎng)移動(dòng)），求在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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14分）如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II，兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形（不計(jì)電子所受重力）。

（1）在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子，求電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置。

（2）在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子，電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi)，求所有釋放點(diǎn)的位置。

（3）若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向右移動(dòng)L/n（n≥1），仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi)（D不隨電場(chǎng)移動(dòng)），求在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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