分析 (1)物質(zhì)的熔點(diǎn)與晶體類型有關(guān),原子晶體的熔點(diǎn)大于分子晶體;
(2)K是19號(hào)元素,其原子核外有19個(gè)電子,4s電子為其價(jià)電子,且4s能級(jí)上只有一個(gè)電子;根據(jù)均攤法計(jì)算該晶胞中K原子和C60個(gè)數(shù),從而確定化學(xué)式;
(3)同一周期元素,元素電負(fù)性隨著原子序數(shù)增大而增大,同一主族元素其電負(fù)性隨著原子序數(shù)增大而減弱;
NCl3分子中N原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4且含有一個(gè)孤電子對(duì),據(jù)此判斷該分子VSEPR模型;
Si60分子中每個(gè)硅原子只跟相鄰的3個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵,且每個(gè)硅原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),所以每個(gè)硅原子和其中兩個(gè)硅原子形成共價(jià)單鍵,和另外的一個(gè)硅原子形成共價(jià)雙鍵,據(jù)此計(jì)算分子中π鍵的數(shù)目.
解答 解:(1)原子晶體的熔點(diǎn)大于分子晶體,金剛石是原子晶體,C60是分子晶體,C60是分子晶體,熔化時(shí)破壞的是分子間作用力,無需破壞共價(jià)鍵,而分子間作用力較弱,所以能量較低,所以C60熔點(diǎn)低于金剛石,故答案為:不正確,因?yàn)榻饎偸窃泳w,而C60是分子晶體;
(2)K是19號(hào)元素,其原子核外有19個(gè)電子,4s電子為其價(jià)電子,且4s能級(jí)上只有一個(gè)電子,所以其價(jià)電子排布式為4s1;
該晶胞中K原子個(gè)數(shù)=12×$\frac{1}{2}$=6,C60個(gè)數(shù)=1+8×$\frac{1}{8}$=2,所以K原子和C60個(gè)數(shù)之比=6:2=3:1,
故答案為:4s1;3:1;
(3)同一周期元素,元素電負(fù)性隨著原子序數(shù)增大而增大,同一主族元素其電負(fù)性隨著原子序數(shù)增大而減弱,所以電負(fù)性大小順序是N>C>Si;
NCl3分子中N原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4且含有一個(gè)孤電子對(duì),據(jù)此判斷該分子VSEPR模型為正四面體;
Si60分子中每個(gè)硅原子只跟相鄰的3個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵,且每個(gè)硅原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),所以每個(gè)硅原子和其中兩個(gè)硅原子形成共價(jià)單鍵,和另外的一個(gè)硅原子形成共價(jià)雙鍵,所以平均每個(gè)Si60形成π鍵數(shù)目為:60×$\frac{1}{2}$=30,
故答案為:N>C>Si;正四面體;30.
點(diǎn)評(píng) 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì),為高頻考點(diǎn),涉及晶胞計(jì)算、電負(fù)性大小比較、原子核外電子排布、分子空間構(gòu)型判斷等知識(shí)點(diǎn),側(cè)重考查學(xué)生分析判斷、空間想象、計(jì)算能力,難點(diǎn)是晶胞計(jì)算.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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A. | ②④ | B. | ①② | C. | ③⑤ | D. | ④⑤ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 焚燒秸稈,還肥于田 | B. | 凈化廢水,循環(huán)利用 | ||
C. | 低碳出行,植樹造林 | D. | 開發(fā)風(fēng)能,利用地?zé)?/td> |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 硫酸的摩爾質(zhì)量是98 g | B. | 18 g水中含有水分子數(shù)為NA | ||
C. | O2的摩爾質(zhì)量等于其相對(duì)分子質(zhì)量 | D. | 1 mol CO的質(zhì)量為28 g•mol-1 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | K2SO4、HNO3、BaCl2 | B. | NaOH、NH4Cl、Mg(NO3)2 | ||
C. | NH4HCO3、KCl、NaCl | D. | KMnO4、NaCl、H2SO4 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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