Question

C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式______________。從電負性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為______________。

（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為______________，微粒間存在的作用力是______________。

（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為______________（填元素符號）。MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點比CaO的高，其原因是_________________________。

（4）C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO₂中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO₂中Si與O原子間不形成上述π鍵。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π鍵。___________。

Answer 1

（1）1s²2s²2p⁶3s²3p² O＞C＞Si

（2)sp³ 共價鍵

（3）Mg Mg²⁺半徑比Ca²⁺小，MgO晶格能大

（4）C的原子半徑較小，C、O原子能充分接近，p-p軌道肩并肩重疊程度較大，形成較穩(wěn)定的π鍵Si的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，p-p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的π鍵

【解析】本題考查原子核外電子的軌道排布式，核外電子的雜化方式，熔點比較等。（2）SiC中Si與C原子以共價鍵相結(jié)合，每個C原子與4個Si原子形成4個完全等同的C—Si鍵，C原子為sp³雜化。（3）對于離子晶體，離子半徑越小，離子鍵越強，熔、沸點越高。