7.X、Y、Z、R、M是原子序數(shù)依次增大的五種元素,基態(tài)X原子的s電子數(shù)比p電子數(shù)多3個,
Y、Z同周期且相鄰,第一電離能:Y>Z,Z、R同主族,M核外電子有29種運動狀態(tài),
請回答下列問題:
(1)化合物XCl3的中心原子雜化類型為sp2;RCl2 的立體構(gòu)型為V;
(2)H2Z、H2R的沸點分別為100℃、-60.4℃,試解釋其原因H2O分子間可以形成氫鍵,H2S分子間不能形成氫鍵;
(3)H2RO3的K1和K2分別為1.54×10-2和1.02×10-7,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋K1>K2的原因SO32-與H+間的結(jié)合能力強于HSO3-與H+間的結(jié)合能力,故H2SO3比HSO3-更易電離出離子,電離程度大,對應(yīng)K值大;
(4)Z、M形成的一種化合物晶胞如圖所示:
①該化合物的化學(xué)式為Cu2O;
②若晶胞參數(shù)為apm.列式計算該晶胞的密度ρ=$\frac{288}{{a}^{3}{N}_{A}×1{0}^{-30}}$g•cm-3

分析 X、Y、Z、R、M是原子序數(shù)依次增大五種元素,M核外電子有29種運動狀態(tài),則M為Cu;基態(tài)X原子的s電子數(shù)比p電子數(shù)多3個,原子核外電子排布式為1s22s22p1,則X為B元素;在周期表中Y與Z相鄰且第一電離能Y>Z,Z、R同主族,則Y處于Ⅱ族或ⅤA族,結(jié)合原子序數(shù)可知,若Y處于ⅡA族,R的原子序數(shù)大于Cu,不符合題意,故Y為N元素、Z為O元素、R為S元素;
(1)化合物BCl3中B原子孤電子對數(shù)=$\frac{3-1×3}{2}$=0,價層電子對數(shù)=3+0=3,SCl2分子中S原子價層電子對個數(shù)是4且含有2個孤電子對,根據(jù)價層電子對理論判斷原子雜化及微?臻g構(gòu)型判斷;
(2)H2O分子間可以形成氫鍵,H2S分子間不能形成氫鍵;
(3)SO32-與H+間的結(jié)合能力強于HSO3-與H+間的結(jié)合能力;
(4)①Cu與O形成的化合物為Cu2O、CuO,根據(jù)均攤法計算晶胞中黑色球、白色球數(shù)目,進而確定化學(xué)式;
②結(jié)合分子中含有原子數(shù)目,表示出晶胞質(zhì)量,再根據(jù)ρ=$\frac{m}{V}$計算晶胞密度.

解答 解:X、Y、Z、R、M是原子序數(shù)依次增大五種元素,M核外電子有29種運動狀態(tài),則M為Cu;基態(tài)X原子的s電子數(shù)比p電子數(shù)多3個,原子核外電子排布式為1s22s22p1,則X為B元素;在周期表中Y與Z相鄰且第一電離能Y>Z,Z、R同主族,則Y處于Ⅱ族或ⅤA族,結(jié)合原子序數(shù)可知,若Y處于ⅡA族,R的原子序數(shù)大于Cu,不符合題意,故Y為N元素、Z為O元素、R為S元素;
(1)化合物BCl3中B原子孤電子對數(shù)=$\frac{3-1×3}{2}$=0,價層電子對數(shù)=3+0=3,其B原子雜化方式為sp2;SCl2分子中S原子價層電子對個數(shù)是4且含有2個孤電子對,所以該分子空間構(gòu)型是V形,故答案為:sp2;V;
(2)H2O分子間可以形成氫鍵,H2S分子間不能形成氫鍵,氫鍵導(dǎo)致物質(zhì)的熔沸點升高,所以水的熔沸點高于硫化氫,故答案為:H2O分子間可以形成氫鍵,H2S分子間不能形成氫鍵;
(3)SO32-與H+間的結(jié)合能力強于HSO3-與H+間的結(jié)合能力,導(dǎo)致亞硫酸比亞硫酸氫根離子更易電離出氫離子,電離程度大,對應(yīng)的K值大,
故答案為:SO32-與H+間的結(jié)合能力強于HSO3-與H+間的結(jié)合能力,故H2SO3比HSO3-更易電離出離子,電離程度大,對應(yīng)K值大;
(4)①Cu與O形成的化合物為Cu2O、CuO,黑色球個數(shù)為4、白色球個數(shù)=1+8×$\frac{1}{8}$=2,則黑色球與白色球個數(shù)之比為2:1,所以其化學(xué)式為Cu2O,
故答案為:Cu2O;
②ρ=$\frac{m}{V}$=$\frac{\frac{144}{{N}_{A}}×2}{(a×1{0}^{-10})^{3}}$g•cm-3=$\frac{288}{{a}^{3}{N}_{A}×1{0}^{-30}}$g•cm-3,故答案為:$\frac{288}{{a}^{3}{N}_{A}×1{0}^{-30}}$.

點評 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的相互關(guān)系及應(yīng)用,為高頻考點,涉及晶胞計算、原子雜化方式判斷、氫鍵對物質(zhì)性質(zhì)的影響、微粒空間構(gòu)型判斷等知識點,側(cè)重考查學(xué)生分析判斷及計算能力,明確價層電子對互斥理論、均攤分是解本題關(guān)鍵,難點是晶胞計算,題目難度中等.

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