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10.現有部分前四周期元素的性質或原子結構如表:
元素編號元素性質或原子結構
A第二周期中形成化合物最最多的元素
BL層s電子數比p電子數少l
C地殼中含量最高的元素
D第三周期中可以作為半導體材料的元素
E第四周期中最外層只有一個電子且內層完全排滿電子的元素
(1)寫出元素E+基態(tài)原子的電子排布式:1s22s22p63s23p63d10
(2)ABCD四種元素電負性由大到小排列順序為(用元素符號表示)O>N>C>Si
(3)B單質分子中,含有σ鍵和π鍵的個數比是1:2,元素C的氣態(tài)氫化物的雜化方式和空間構型分別為sp3、V形.
(4)以上元素組成的化合物中心原子是sp雜化方式的是CO2(化學式)
(5)A、B、C、D第一電離由大到小的順序為(用元素符號表示):N>O>C>Si.

分析 A是第二周期中形成化合物最最多的元素,則A為碳元素;B元素原子L層s電子數比p電子數少l,核外電子排布為1s22s22p3,故B為N元素;C是地殼中含量最高的元素,則C為O元素;D是第三周期中可以作為半導體材料的元素,則D為Si;E是第四周期中最外層只有一個電子且內層完全排滿電子的元素,核外電子排布式1s22s22p63S23p63d104s1,故E為Cu.

解答 解:A是第二周期中形成化合物最最多的元素,則A為碳元素;B元素原子L層s電子數比p電子數少l,核外電子排布為1s22s22p3,故B為N元素;C是地殼中含量最高的元素,則C為O元素;D是第三周期中可以作為半導體材料的元素,則D為Si;E是第四周期中最外層只有一個電子且內層完全排滿電子的元素,核外電子排布式1s22s22p63S23p63d104s1,故E為Cu.
(1)元素Cu+基態(tài)原子的電子排布式:1s22s22p63s23p63d10
故答案為:1s22s22p63s23p63d10;
(2)同周期自左而右電負性增大,同主族自上而下電負性減小,故電負性:O>N>C>Si,
故答案為:O>N>C>Si;
(3)B單質分子為N2,結構式為N≡N,含有σ鍵和π鍵的個數比是1:2,元素C的氣態(tài)氫化物為H2O,O原子形成2個O-H鍵,含有2對孤對電子,雜化軌道數目為,O原子雜化方式為sp3,水分子空間構型為V形,
故答案為:1:2;sp3;V形;
(4)以上元素組成的化合物中心原子是sp雜化方式,應為AB2直線形結構,改分子為CO2,
故答案為:CO2
(5)同周期隨原子序數增大,元素第一電離能呈增大趨勢,氮元素原子2p能級為半滿穩(wěn)定狀態(tài),第一電離能高于同周期相鄰元素的,而同主族自上而下第一電離能減小,故第一電離由大到小的順序為:N>O>C>Si,
故答案為:N>O>C>Si.

點評 本題是對物質結構與性質的考查,涉及核外電子排布、電離能與電負性、雜化方式與空間構型判斷等,注意同周期第一電離能異常情況.

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