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A、B、C、D代表元素周期表中4種元素,請完成下列問題

(1)A元素的基態(tài)原子的最外層有3個未成對電子,次外層有2個電子,該元素氫化物比同族元素氫化物熔沸點高的原因是 ;第一電離能比后面一號元素大的原因是

(2)B元素與氧元素形成的一種化合物是含有4個原子18個電子的分子,該化合物的電子式為 ,若向該化合物的稀溶液中加入少量二氧化錳,有無色氣體產生,該反應的化學方程式為

(3)C元素的正三價離子的 3d軌道為半充滿狀態(tài),C元素的符號為 ,在同期表中位于 周期 族,原子結構示意圖為

(4)D元素位于元素周期表第四周期第ⅠB族,其基態(tài)原子的電子排布式為

 

⑴NH3分子間有氫鍵;第一電離能不O大的原因是 N原子的2P軌道是半充滿的較穩(wěn)定狀態(tài);

; 2H2O22H2O+O2↑

⑶Fe ,位于第四周期Ⅷ族,原子結構示意圖 ⑷1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar] 3d104s1

【解析】

試題分析:根據(jù)題意可知:A是N;其相應的氫化物NH3的熔沸點比同族元素氫化物熔沸點高是因為在NH3分子間除了存在一般的分子間作用力外,還存在有氫鍵,增加了分子之間的相互作用。一般情況下,同一周期的元素,元素的原子序數(shù)越大,元素的非金屬性越強,原子半徑越小,失去電子越難,第一電離能越大,但是由于N原子2P軌道處于半充滿的穩(wěn)定狀態(tài),所以比O元素的第一電離能大。(2)B元素是H,它與O形成的18個電子的分子是H2O2,電子式為;H2O2在MnO2催化作用下反應的化學方程式為2H2O22H2O+O2↑;(3)C元素的正三價離子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d5,則C是26號元素Fe,該元素在周期表中位于第四周期Ⅷ族,原子結構示意圖為;(4)D元素是29號元素Cu,其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar] 3d104s1

考點:考查元素的推斷、電離能的比較、化學用語的應用、物質熔沸點高低的原因的知識。

 

練習冊系列答案
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某致基因突變物質的結構簡式如圖。下列相關分析正確的是

A、電負性:C<N<O

B、該分子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為4:2

C、該分子所有原子處于同一平面

D、該分子的加聚產物為

 

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已知反應4NH3+5O24NO+6H2O,若在反應開始后5s~10s之間的反應速率分別用v(NH3)、v(O2)、v(NO)、v(H2O)表示,則下列判斷正確的關系是(  )。

A. v(NH3)=v(O2) B.v(O2)=v(H2O)

C.v(NH3)=v(H2O) D.v(O2)=v(NO)

 

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某周期第二主族元素的原子序數(shù)為x,則同周期第三主族元素的原子序數(shù)是 ( )

A、只有x+1 B、可能是x+1或x+11或x+25

C、可能是x+8 D、可能是x+2

 

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下列物質中,既含離子鍵又含非極性共價鍵的是 ( )

A、Na2O2 B、H2O  C、HClO D、NaOH

 

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1-溴丙烷和2-溴丙烷分別與氫氧化鈉醇溶液共熱的反應中,兩反應

A.產物相同,反應類型相同 B.碳氫鍵斷裂的位置相同

C.產物不同,反應類型不同 D.碳溴鍵斷裂的位置相同

 

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能用鍵能知識解釋的是

A.稀有氣體的化學性質很不活潑 B.HCl氣體比HI氣體穩(wěn)定

C.干冰易升華 D.HF熔沸點高于HCl

 

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(16分)Ⅰ.硅是信息產業(yè)、太陽能電池光電轉化的基礎材料。鋅還原四氯化硅是一種有著良好應用前景的制備硅的方法,該制備過程示意圖如下:

(1)焦炭在過程Ⅰ中做 劑。

(2)過程Ⅱ中Cl2用電解飽和食鹽水制備,制備Cl2的化學方程式為 。

(3)整過生產過程必須嚴格控制無水。

①SiCl4遇水劇烈水解生成SiO2和一種酸,反應方程式為 。

②干燥Cl2時從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮,需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃,然后再通入濃H2SO4中。冷卻的作用是 。

(4)Zn還原SiCl4的反應如下:

反應①:400℃~756℃,SiCl4(g)+2Zn(l)Si(S)+2ZnCl2(l) △H1<0

反應②:756℃~907℃,SiCl4(g)+2Zn(l)Si(S)+2ZnCl2(g) △H2<0

反應③:907℃~1410℃,SiCl4(g)+2Zn(g)Si(S)+2ZnCl2(g) △H3<0

i. 反應②的平衡常數(shù)表達式為 。

ii. 對于上述三個反應,下列說明合理的是 。

a.升高溫度會提高SiCl4的轉化率 b.還原過程需在無氧的氣氛中進行

c.增大壓強能提高反應速率 d.Na、Mg可以代替Zn還原SiCl4

(5)用硅制作太陽能電池時,為減弱光在硅表面的反射,可用化學腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層。腐蝕劑常用稀HNO3和HF的混合液。硅表面首先形成SiO2,最后轉化成H2SiF6。用化學方程式表示SiO2轉化為H2SiF6的過程 。

Ⅱ.(1)甲烷、氫氣、一氧化碳的燃燒熱分別為akJ·mol-1,bkJ·mol-1,ckJ·mol-1,工業(yè)上利用天燃氣和二氧化碳反應制備合成氣(CO、H2),其熱化學反應方程式為 。

(2)已知Ksp(AgCl)=1.8×10-10,Ksp(AgI)=1.5×10-16,Ksp(Ag2CrO4)=2.0×10-12,三種難溶鹽的飽和溶液中,Ag+濃度大小的順序為 。

 

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(共10分)以下框圖中A~M是中學化學常見的物質,其中A、E是金屬,F(xiàn)和J為氣體單質,其余均為化合物或其溶液,C為淡黃色固體,D為紅棕色粉末,M為紅褐色固體。     

(1)B的化學式______;

(2)19.5gC與足量的水反應轉移電子的物質的量為______mol;

(3)寫出物質C的電子式 ;

(4)寫出②、③反應的離子方程式② ,③ 。

 

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