17.下列有關(guān)硅及其化合物的敘述中,錯(cuò)誤的是(  )
A.單質(zhì)硅是良好的半導(dǎo)體材料B.硅常溫時(shí)可以和強(qiáng)堿反應(yīng)
C.二氧化硅廣泛存在于自然界D.硅酸是揮發(fā)性酸

分析 A.硅的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間;
B.硅常溫下能與強(qiáng)堿反應(yīng)生成硅酸鹽和氫氣;
C.自然界中無(wú)游離態(tài)硅,硅是親氧元素,硅在自然界中以化合態(tài)存在;
D.根據(jù)硅酸的性質(zhì)分析.

解答 解:A.硅的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間是良好的半導(dǎo)體材料,故A正確;
B.硅常溫下能與強(qiáng)堿反應(yīng)生成硅酸鹽和氫氣,故B正確;
C.硅在自然界中以二氧化硅和硅酸鹽的形式存在,故C正確;
D.硅酸是固體酸、弱酸,易分解,但不易揮發(fā),故D錯(cuò)誤;
故選:D.

點(diǎn)評(píng) 本題主要考查了硅及含硅化合物,側(cè)重于常識(shí)性內(nèi)容的考查,難度不大,注意基礎(chǔ)知識(shí)的積累.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題

7.化學(xué)反應(yīng)N2(g)+3H2(g)=2NH3(l)的能量變化如圖所示,(注:圖中△E都為正值),寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:N2(g)+3H2(g)=2NH3(1)△H=2(a-b-c)kJ•mol-1

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8.下列四種X溶液,均能跟鹽酸反應(yīng),其中反應(yīng)最快的是( 。
A.10℃20mL 3mol/L的X溶液B.20℃30mL 2molL的X溶液
C.20℃10mL 4mol/L的X溶液D.10℃10mL 2mol/L的X溶液

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題

5.有如圖所示的裝置,當(dāng)電流表中產(chǎn)生持續(xù)電流時(shí),下列說(shuō)法正確的是( 。
A.電子由Al沿導(dǎo)線流向Cu
B.電流由Cu電極流出
C.Cu是原電池的負(fù)極
D.鋁片上的電極反應(yīng)式為:Al-3e-═Al3+

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12.寫出下列反應(yīng)的化學(xué)方程式
(1)制備乙酸乙酯CH3COOH+C2H5OH$?_{△}^{濃硫酸}$CH3COOC2H5+H2O;
(2)實(shí)驗(yàn)室制作硝基苯;
(3)乙醇的催化氧化2CH3CH2OH+O2$→_{△}^{Cu}$2CH3CHO+2H2O;
(4)鋁熱法煉鐵反應(yīng)8Al+3Fe3O4$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$4Al2O3+9Fe.

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2.下列各物質(zhì)中,化學(xué)鍵類型不同的是( 。
A.H2O、COB.MgF2、H2O2C.KOH、Mg(OH)2D.HCl、H2SO4

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9.一定溫度下,對(duì)反應(yīng)2A(g)+B(s)?2C(g)能說(shuō)明其達(dá)到平衡狀態(tài)的是( 。
A.容積中A、B、C三者共存
B.單位時(shí)間內(nèi)反應(yīng)的A與生成的C的物質(zhì)的量之比為1:1
C.c(A):c(B):c(C)=2:1:2
D.氣體的總質(zhì)量不再發(fā)生變化

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6.下列比較正確的是( 。
A.元素的電負(fù)性:S>PB.晶體的硬度:碳化硅<晶體硅
C.酸性:H3PO4<H3PO3D.熱分解溫度:CaCO3>BaCO3

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題

7.把0.6mol X氣體和0.4mol Y氣體混合于2L容器中,使它們發(fā)生如下反應(yīng):3X(g)+Y(g)?nZ(g)+2W(g),在5min時(shí)生成0.2mol W,若測(cè)知以Z的濃度變化表示反應(yīng)速率為0.04mol•L-1•min-1,則上述反應(yīng)中Z氣體的化學(xué)計(jì)量數(shù)n的值是(  )
A.4B.3C.2D.1

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