A. | 單質(zhì)硅是良好的半導(dǎo)體材料 | B. | 硅常溫時(shí)可以和強(qiáng)堿反應(yīng) | ||
C. | 二氧化硅廣泛存在于自然界 | D. | 硅酸是揮發(fā)性酸 |
分析 A.硅的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間;
B.硅常溫下能與強(qiáng)堿反應(yīng)生成硅酸鹽和氫氣;
C.自然界中無(wú)游離態(tài)硅,硅是親氧元素,硅在自然界中以化合態(tài)存在;
D.根據(jù)硅酸的性質(zhì)分析.
解答 解:A.硅的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間是良好的半導(dǎo)體材料,故A正確;
B.硅常溫下能與強(qiáng)堿反應(yīng)生成硅酸鹽和氫氣,故B正確;
C.硅在自然界中以二氧化硅和硅酸鹽的形式存在,故C正確;
D.硅酸是固體酸、弱酸,易分解,但不易揮發(fā),故D錯(cuò)誤;
故選:D.
點(diǎn)評(píng) 本題主要考查了硅及含硅化合物,側(cè)重于常識(shí)性內(nèi)容的考查,難度不大,注意基礎(chǔ)知識(shí)的積累.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 10℃20mL 3mol/L的X溶液 | B. | 20℃30mL 2molL的X溶液 | ||
C. | 20℃10mL 4mol/L的X溶液 | D. | 10℃10mL 2mol/L的X溶液 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 電子由Al沿導(dǎo)線流向Cu | |
B. | 電流由Cu電極流出 | |
C. | Cu是原電池的負(fù)極 | |
D. | 鋁片上的電極反應(yīng)式為:Al-3e-═Al3+ |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | H2O、CO | B. | MgF2、H2O2 | C. | KOH、Mg(OH)2 | D. | HCl、H2SO4 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 容積中A、B、C三者共存 | |
B. | 單位時(shí)間內(nèi)反應(yīng)的A與生成的C的物質(zhì)的量之比為1:1 | |
C. | c(A):c(B):c(C)=2:1:2 | |
D. | 氣體的總質(zhì)量不再發(fā)生變化 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 元素的電負(fù)性:S>P | B. | 晶體的硬度:碳化硅<晶體硅 | ||
C. | 酸性:H3PO4<H3PO3 | D. | 熱分解溫度:CaCO3>BaCO3 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 4 | B. | 3 | C. | 2 | D. | 1 |
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