6．下列關(guān)于電解質(zhì)的說(shuō)法中正確的是（　　）
A．純水的導(dǎo)電性很差，所以水不是電解質(zhì)
B．SO2水溶液的導(dǎo)電性很好，所以SO2是電解質(zhì)
C．熔融狀態(tài)時(shí)銅的導(dǎo)電性很好，所以銅是電解質(zhì)
D．硝酸鉀在水中和熔融狀態(tài)時(shí)都能導(dǎo)電，所以硝酸鉀是電解質(zhì)

分析 電解質(zhì)是指：在水溶液中或熔融狀態(tài)下能夠?qū)щ姷幕衔铮娊赓|(zhì)水溶液中或熔融狀態(tài)下能夠?qū)щ姡且螂娊赓|(zhì)自身可以離解成自由移動(dòng)的離子；單質(zhì)、混合物既不是電解質(zhì)也不是非電解質(zhì)．

解答 解：A．?dāng)?shù)存在微弱的電離，屬于弱電解質(zhì)，故A錯(cuò)誤；
B．二氧化硫本身不能電離，其水溶液導(dǎo)電的原因是二氧化硫與水反應(yīng)生成的亞硫酸導(dǎo)電，故二氧化硫是非電解質(zhì)，故B錯(cuò)誤；
C．銅是單質(zhì)，既不是電解質(zhì)也不是非電解質(zhì)，故C錯(cuò)誤；
D．硝酸鉀是鹽，是電解質(zhì)，故D正確，
故選D．

點(diǎn)評(píng) 本題考查了電解質(zhì)和非電解質(zhì)的概念，以及電解質(zhì)和金屬導(dǎo)電的問(wèn)題，屬于易錯(cuò)題目，需要學(xué)習(xí)時(shí)認(rèn)真歸納和總結(jié)，積累相關(guān)知識(shí)．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

10．如圖實(shí)驗(yàn)與物質(zhì)粒子大小無(wú)直接關(guān)系的是（　　）
A．
      過(guò)濾		B．
        滲析
C．
          萃取		D．
        丁達(dá)爾效應(yīng)

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

17．一定溫度下，在恒容容器中，對(duì)于反應(yīng)2SO2（g）+O2（g）═2SO3（g），SO2和O2起始時(shí)分別為20mol和10mol，達(dá)到平衡時(shí)SO2的轉(zhuǎn)化率為80%．若從SO3開(kāi)始進(jìn)行反應(yīng)，在相同條件下，欲使平衡時(shí)各成分的質(zhì)量分?jǐn)?shù)與前平衡時(shí)相同，則起始時(shí)SO3的物質(zhì)的量及SO3的轉(zhuǎn)化率分別為（　�。�
A．10mol和10%B．20mol和40%C．20mol和20%D．30mol和80%

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

14．下列化學(xué)式表示的粒子對(duì)H2O的電離平衡不產(chǎn)生影響的是（　�。�
A．B．C．D．OH-

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

1．如圖所示裝置是實(shí)驗(yàn)室常用的氣體制取裝置．據(jù)圖回答下列問(wèn)題：
（1）儀器a的名稱分液漏斗，檢查裝置氣密性操作為關(guān)閉活塞，打開(kāi)止水夾，將導(dǎo)管放入水中，加熱圓底燒瓶，若導(dǎo)管口有氣泡冒出，冷卻后形成水柱，則裝置氣密性良好．
（2）若實(shí)驗(yàn)室制取C2H2，a中盛放的藥品為飽和食鹽水；若制取氨氣且a中盛放的藥品為濃氨水，則b中盛放的固體藥品為生石灰；若需同時(shí)制取NH3和O2用于進(jìn)行NH3的催化氧化實(shí)驗(yàn)，則b中所放的固體藥品為Na2O2．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

11．將20mL 0.3mol/L AgNO3溶液與10mL0.4mol/L CaC12 溶液混合，所得溶液中離子濃度關(guān)系正確的是（　�。�
A．c（Ca2+）＞c（Cl-）＞c （ NO3-）B．c（Ca2+）＞c （ NO3-）＞c （Cl-）
C．c（NO3-）＞c （ Ca2+ ）＞c （ Cl-）D．c （ Cl-）＞c（Ca2+）＞c（NO3-）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：多選題

18．某物質(zhì)的分子式為CxHyOz，取該物質(zhì)ag在足量的O2中充分燃燒后，將產(chǎn)物全部通入過(guò)量的Na2O2中，若Na2O2固體的質(zhì)量增加了bg，則下列說(shuō)法正確的是（　　）
A．若x＞z則a＞bB．x=y＞z 則a＜bC．x=z＜y則a=bD．x＜z=y則a＜b

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

15．硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)．回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)M，該能層具有的原子軌道數(shù)為9、電子數(shù)為4．
（2）硅主要以硅酸鹽、二氧化硅等化合物的形式存在于地殼中．
（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以共價(jià)鍵相結(jié)合，其晶胞中共有8個(gè)原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)3個(gè)原子．
（4）單質(zhì)硅可通過(guò)甲硅烷（SiH4）分解反應(yīng)來(lái)制備．工業(yè)上采用Mg2Si和NH4CI在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2
（5）碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡(jiǎn)要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí)：
化學(xué)鍵C-CC-H
 		C-OSi-SiSi-HSi-O
鍵能（KJ/mol）
 		356
 		413336226318452 
①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是C-C鍵和C-H鍵較強(qiáng)，所形成的烷烴穩(wěn)定．而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成．
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是C-H鍵的鍵能大于C-O鍵，C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定．而Si-H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵．
（6）在硅酸鹽中，SiO44-四面體（如下圖a）通過(guò)共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式．圖b為一種無(wú)限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根；其中Si原子的雜化形式為sp3．Si與O的原子數(shù)之比為1：3化學(xué)式為SiO32-．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

16．下列分類正確的是（　�。�
A．
B．
C．
D．
金屬
核電荷數(shù)＜20核電荷數(shù)＞20
例：
Na，Al
Fe，Ca		例：
Zn，Hg
Mn，Cu

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