下列實(shí)驗(yàn)操作或事故處理中，正確的做法是（　　）
A、銀鏡反應(yīng)實(shí)驗(yàn)后附著銀的試管，可用稀H2SO4清洗
B、在中學(xué)“硫酸銅晶體中結(jié)晶水含量測定”的實(shí)驗(yàn)中，稱量操作至少需要三次
C、不慎將濃H2SO4濺在皮膚上，立即用NaOH溶液沖洗
D、在500 mL燒杯中，加入216g水和24gNaOH固體，配制10%NaOH溶液
考點(diǎn)：化學(xué)實(shí)驗(yàn)安全及事故處理
專題：化學(xué)實(shí)驗(yàn)基本操作
分析：A．銀和稀硫酸不反應(yīng)；
B．實(shí)驗(yàn)成敗的關(guān)鍵是保證結(jié)晶水全部失去；
C．NaOH溶液有腐蝕性；
D．燒杯中所盛液體不得超過燒杯容積的
2
3
．
解答： 解：A．銀和稀硫酸不反應(yīng)，銀鏡反應(yīng)實(shí)驗(yàn)后附有銀的試管，可以用硝酸來洗，故A錯(cuò)誤；
B．實(shí)驗(yàn)中的加熱、冷卻、稱量的操作步驟要重復(fù)進(jìn)行，直至連續(xù)兩次稱量的差不超過0.1 g為止，一般情況下，結(jié)晶水含量測定時(shí)稱量次數(shù)不得少于四次，故B錯(cuò)誤；
C．濃H2SO4沾在皮膚上，先用抹布擦，再用大量的水沖洗，最后用碳酸氫鈉溶液中和殘留的酸液；用氫氧化鈉溶液會加重傷勢，故C錯(cuò)誤；
D．燒杯中所盛液體不得超過燒杯容積的
2
3
，配制溶液約216ml，應(yīng)選用500 mL燒杯，故D正確．
故選D．
點(diǎn)評：本題考查化學(xué)實(shí)驗(yàn)安全及事故處理，難度不大，注意燒杯中所盛液體不得超過燒杯容積的
2
3
．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

如圖所示裝置，兩玻璃管中盛滿滴有酚酞溶液的NaCl飽和溶液，C（Ⅰ）、C（Ⅱ）為多孔石墨電極，斷開S2接通S1后，C（Ⅰ）附近溶液變紅，兩玻璃管中有氣體生成．一段時(shí)間后（兩玻璃管中液面未脫離電極），斷開S1，接通S2，電流表的指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)．說明此時(shí)該裝置形成了原電池．關(guān)于該原電池的敘述正確的是（　�。�
A、C（Ⅰ）的電極名稱是負(fù)極
B、C（Ⅱ）的電極名稱是陽極
C、C（Ⅰ）的電極反應(yīng)式是2H++2e一=H2↑
D、C（Ⅱ）的電極反應(yīng)式是Cl2+2e-=2Cl-

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

現(xiàn)有X2氣體a L（標(biāo)準(zhǔn)狀況），其摩爾質(zhì)量為M g/mol．若阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，則：
（1）該氣體的物質(zhì)的量為
 
．
（2）該氣體所含原子總數(shù)為
 
．
（3）該氣體的質(zhì)量為
 
．
（4）該氣體溶于1L水中（不考慮氣體與水的反應(yīng)），其溶液中溶質(zhì)的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為
 
．
（5）該氣體溶于水后形成V L溶液，其溶液中溶質(zhì)的物質(zhì)的量濃度為
 
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列離子方程式表達(dá)正確的是（　　）
A、向AgCl懸濁液中加入KI溶液：Ag++I-=AgI↓
B、向Ba（OH）2溶液中滴加少量CuSO4溶液：Ba2++SO42-=BaSO4↓
C、向Ca（HCO3）2溶液中滴加少量澄清石灰水：Ca2++HCO3-+OH-=CaCO3↓+H2O
D、向NaClO的堿性溶液中滴加少量CoCl2生成Co（OH）3沉淀：2Co2++ClO-+5H2O=2Co（OH）3↓+Cl-+4H+

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列敘述正確的是（　�。�
A、常溫下，1L 0.1 mol/L的NH4NO3溶液中氮原子數(shù)為0.2NA
B、1mol羥基中電子數(shù)為10NA
C、等物質(zhì)的量的O2和CO所含分子數(shù)均為NA
D、常溫常壓下，22.4L乙烯中C-H鍵數(shù)為4NA

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

在某反應(yīng)體系中，存在六種物質(zhì)：Cr3+、S2
O
2-
8
、Cr2
O
2-
7
、H+、H2O和S
O
2-
4
．已知：該反應(yīng)中氧化反應(yīng)只有Cr3+→Cr2O
 
2-
7
該反應(yīng)過程中需要Ag+作催化劑，并加熱．
（1）寫出該反應(yīng)體系中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式：
 
．
（2）已知S2
O
2-
8
中存在一個(gè)過氧鍵（-O-O-），則S2
O
2-
8
中硫元素的化合價(jià)為
 
．
（3）催化劑往往參加反應(yīng)，改變反應(yīng)途徑．用離子方程式表示Ag+的催化過程：
 
．
（4）若將上述反應(yīng)設(shè)計(jì)成一個(gè)原電池，用石墨作電極，則負(fù)極反應(yīng)式為
 
，正極反應(yīng)式為
 
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法中正確的是（　　）
A、100mL lmol?L-1Na2CO3溶液中溶質(zhì)離子的總數(shù)為0.3NA
B、若120g的墨粉（只含碳）能打a個(gè)字，則平均每個(gè)字約含有
10NA
a
個(gè)碳原子
C、25℃、l01 kPa時(shí)，0.1NA個(gè)H2分子完全燃燒生成液態(tài)水，放出akJ熱量，表示氫氣燃燒熱的熱化學(xué)方程式為H2(g)+
1
2
O2(g)
       
.
.
 
H2O(l)△H=+1OakJ?mol-1
D、常溫下28g14CO中含有14NA個(gè)電子

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

目前市售LED晶片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）為主．已知鎵、砷分別是鋁、磷同主族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示．試回答：
（1）鎵的基態(tài)原子的核外電子排布式是
 
．
（2）每個(gè)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個(gè)數(shù)為
 
，與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
 
．
（3）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
 
（用氫化物分子式表示）．
（4）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時(shí)制得．AsH3中砷原子的雜化方式為
 
雜化．已知（CH3）3Ga為非極性分子，（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
 
雜化．
（5）比較As、Ga的第一電離能大小：As
 
Ga（填“＞”、“＜”或“=”）．
（6）下列說法正確的是
 
（填字母）．
a．砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl的相同
b．GaP與GaAs互為等電子體
c．電負(fù)性：As＞Ga
d．砷化鎵晶體中含有配位鍵．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

亞氯酸鈉（NaClO2）常用于水的消毒和砂糖、油脂的漂白與殺菌．如圖所示是用過氧化氫法生產(chǎn)亞氯酸鈉的工藝流程圖：

已知：NaClO2的溶解度隨溫度升高而增大，適當(dāng)條件下可結(jié)晶析出NaClO2?3H2O．
（1）吸收塔內(nèi)發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
 
（配平化學(xué)方程式）．該工藝流程中的NaClO3、ClO2、NaClO2都是強(qiáng)氧化劑，它們都能和濃鹽酸反應(yīng)制取Cl2．若用二氧化氯和濃鹽酸制取Cl2，當(dāng)生成5mol Cl2時(shí)，通過還原反應(yīng)制得氯氣的質(zhì)量為
 
克．
（2）從濾液中得到的NaClO2?3H2O晶體的操作依次是
 
（填寫序號）．a(chǎn)．蒸餾；b．灼燒；c．過濾；d．冷卻結(jié)晶．
（3）印染工業(yè)常用亞氯酸鈉（NaClO2）漂白織物，漂白織物時(shí)真正起作用的是HClO2．下表是25℃時(shí)HClO2 及幾種常見弱酸的電離平衡常數(shù)：
弱酸HClO2HFHCNH2S
Ka/mol?L-11×10-26.3×10-44.9×10-10K1=9.1×10-8
K2=1.1×10-12
①常溫下，物質(zhì)的量濃度相等的NaClO2、NaF、NaCN、Na2S四種溶液的pH由大到小的順序?yàn)?div id="n6d2ut3" class='quizPutTag' contenteditable='true'> 
；體積相等，物質(zhì)的量濃度相同的NaF、NaCN兩溶液中所含陰陽離子總數(shù)的大小關(guān)系為：
 
（填“前者大”“相等”或“后者大”）．
②Na2S是常用的沉淀劑．某工業(yè)污水中含有等濃度的Cu2+、Fe2+、Pb2+ 離子，滴加Na2S溶液后首先析出的沉淀是
 
；當(dāng)最后一種離子沉淀完全時(shí)（該離子濃度為10-5mol?L-1）此時(shí)的S2-的濃度為
 
．
已知Ksp(FeS)=6.3×10-18(mol?L-1)2，Ksp(CuS)=6×10-36(mol?L-1)2Ksp(PbS)=2.4×10-28(mol?L-1)2．

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同步練習(xí)冊答案