Question

【題目】鎵(Ga)、鍺(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的單質(zhì)及某些化合物如砷化鎵、磷化鎵等都是常用的半導(dǎo)體材料�；卮鹣铝袉栴}：

(1)基態(tài)硒原子的核外電子排布式為[Ar]__________，核外電子占據(jù)的最高能層的符號(hào)是________________。

(2)砷與鍺、硒是同周期主族元素，該三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?/span>_______________________。

(3)單晶鍺具有金剛石結(jié)構(gòu)，其原子之間存在的作用力為__________________。

(4)水晶的主要成分是二氧化硅，在水晶中硅原子的配位數(shù)是____________。硅與氫結(jié)合能形成一系列的二元化合物SiH4、Si2H6等，與氯、溴結(jié)合能形成SiCl4、SiBr4，上述四種物質(zhì)沸點(diǎn)由高到低順序?yàn)?/span>_______________，丁硅烯(Si4H8)中鍵與鍵個(gè)數(shù)之比為______________。

(5)已知GaCl3的熔點(diǎn)77. 9 °C ，沸點(diǎn)201°C ； GeCl4的熔點(diǎn) -49. 5 °C ，沸點(diǎn)84 °C，則GaCl3的晶體類型為______________，GaCl3的雜化軌道類型為_____________，GeCl4的空間構(gòu)型為_________________。

(6)砷化稼的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，若該晶體密度為］則晶胞參數(shù)a =_____________cm (用NA表示阿伏加德羅常數(shù))。

Answer 1

【答案】3d104s24p4 N As＞Se＞Ge 共價(jià)鍵 4 SiBr4＞SiCl4＞Si2H6＞SiH4 11：1 分子晶體 sp2 正四面體

【解析】

(1) Se是34號(hào)元素，處于第四周期第第ⅥA族；其最外層電子處于電子層第四層；

(2) 同周期主族元素隨原子序數(shù)增大第一電離能呈增大趨勢(shì)，但IIA族、VA族元素第一電離能高于相鄰元素的；

(3) 單晶鍺具有金剛石型結(jié)構(gòu)，Ge原子與周圍4個(gè)Ge原子形成正四面體結(jié)構(gòu)，向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，屬于原子晶體。

(4) 水晶晶體中1個(gè)硅原子結(jié)合4個(gè)氧原子，同時(shí)每個(gè)氧原子結(jié)合2個(gè)硅原子，以[SiO4]四面體結(jié)構(gòu)向空間延伸的立體網(wǎng)站結(jié)構(gòu)；均屬于分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，沸點(diǎn)越高；丁硅烯(Si4H8)與丁烯結(jié)構(gòu)類似，分子中有8個(gè)Si-H鍵，1個(gè)Si=Si雙鍵、2個(gè)Si-Si鍵，單鍵為σ鍵，雙鍵含有1個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵；

(5)GaCl3的熔沸點(diǎn)很低，符合分子晶體的性質(zhì)；GaCl3中Ga原子形成3個(gè)Ga-Cl鍵，沒有孤電子對(duì)，雜化軌道數(shù)目為3；GeCl4中Ge原子形成4個(gè)Ge-Cl鍵，沒有孤電子對(duì)，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，微粒空間構(gòu)型與VSEPR模型相同；

(6)均攤法計(jì)算晶胞中As、Ga原子數(shù)目，結(jié)合密度計(jì)算晶胞體積，晶胞體積開三次方可得晶胞參數(shù)。

(1) Se是34號(hào)元素，處于第四周期第ⅥA族，核外電子排布式為：[Ar]3d104s24p4 ；其最外層電子處于電子層第四層，則核外電子占據(jù)的最高能層的符號(hào)是N；

(2) 同周期主族元素隨原子序數(shù)增大第一電離能呈增大趨勢(shì)，但IIA族、VA族元素第一電離能高于相鄰元素的，故第一電離能為：As＞Se＞Ge；

(3) 單晶鍺具有金剛石型結(jié)構(gòu)，Ge原子與周圍4個(gè)Ge原子形成正四面體結(jié)構(gòu)，向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，屬于原子晶體，Ge原子之間形成共價(jià)鍵；

(4) 水晶晶體中1個(gè)硅原子結(jié)合4個(gè)氧原子，同時(shí)每個(gè)氧原子結(jié)合2個(gè)硅原子，以[SiO4]四面體結(jié)構(gòu)向空間延伸的立體網(wǎng)站結(jié)構(gòu)，水晶的晶體中硅原子的配位數(shù)為4；均屬于分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，沸點(diǎn)越高，故沸點(diǎn)：SiBr4＞SiCl4＞Si2H6＞SiH4；丁硅烯(Si4H8)與丁烯結(jié)構(gòu)類似，分子中有8個(gè)Si-H鍵，1個(gè)Si=Si雙鍵、2個(gè)Si-Si鍵，單鍵為σ鍵，雙鍵含有1個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵，分子中σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)之比為11：1；

(5)GaCl3的熔沸點(diǎn)很低，屬于分子晶體；GaCl3中Ga原子形成3個(gè)Ga-Cl鍵，沒有孤電子對(duì)，雜化軌道數(shù)目為3，雜化方式為sp2雜化；GeCl4中Ge原子形成4個(gè)Ge-Cl鍵，沒有孤電子對(duì)，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，微�？臻g構(gòu)型與VSEPR模型相同，即空間構(gòu)型為正四面體；

(6)晶胞中黑色球數(shù)目為4、白色球數(shù)目為8×+6×=4，則晶胞質(zhì)量=4×g，故晶胞體積=4×g÷ρgcm-3=cm3，故晶胞參數(shù)=cm。