Question

對(duì)核外電子排布規(guī)律理解正確的是（　�。�
①K層不超過2個(gè)電子　 ②第二層不超過8個(gè)電子  ③最外層不超過8個(gè)電子�、艽瓮鈱硬怀�過18個(gè)電子．

• A、④
• B、①②
• C、①④
• D、①②③④

Answer 1

考點(diǎn)：原子核外電子排布

專題：原子組成與結(jié)構(gòu)專題

分析：①K層有1個(gè)軌道（叫s軌道），1個(gè)軌道最多可以容納自旋方向相反的2個(gè)電子；
②L層有4個(gè)軌道（1個(gè)s軌道，3個(gè)p軌道），共8電子；
③由于能級(jí)交錯(cuò)的原因，End＞E（n+1）s．當(dāng)ns和np充滿時(shí)（共4個(gè)軌道，最多容納8個(gè)電子），多余電子不是填入nd，而是首先形成新電子層，填入（n+1）s軌道中；
④由于能級(jí)交錯(cuò)的原因，E（n-1）f＞E（n+1）s＞Enp，次外層不超過18個(gè)電子．

解答： 解：①K層有1個(gè)軌道（叫s軌道），1個(gè)軌道最多可以容納自旋方向相反的2個(gè)電子，可以容納1個(gè)電子，如H原子，可以容納2個(gè)電子如氦原子，不超過2個(gè)電子，故①正確；
②L層有4個(gè)軌道（1個(gè)s軌道，3個(gè)p軌道），1個(gè)軌道最多可以容納自旋方向相反的2個(gè)電子，故L層最多容納8個(gè)電子，故②正確；
③由于能級(jí)交錯(cuò)的原因，End＞E（n+1）s．當(dāng)ns和np充滿時(shí)（共4個(gè)軌道，最多容納8個(gè)電子），多余電子不是填入nd，而是首先形成新電子層，填入（n+1）s軌道中，因此最外層電子數(shù)不可能超過8個(gè)，故③正確；
④若最外層是第n層，次外層就是第（n-1）層，由于E（n-1）f＞E（n+1）s＞Enp，在第（n+1）層出現(xiàn)前，次外層只有（n-1）s、（n-1）p、（n-1）d上有電子，這三個(gè)亞層共有9個(gè)軌道，最多可容納18個(gè)電子，因此次外層電子數(shù)不超過18個(gè)，故④正確；
故選D．

點(diǎn)評(píng)：本題考查學(xué)生對(duì)核外電子排布規(guī)律的理解，注意④選項(xiàng)中核外電子排布能級(jí)交錯(cuò)，由于E（n-1）f＞E（n+1）s＞Enp，解釋為什么次外層電子數(shù)不超過18個(gè)，題目難度不大．