(2012?天津模擬)物質(zhì)A~Z有如圖所示的轉(zhuǎn)化關(guān)系(部分反應(yīng)物與產(chǎn)物已略去).其中,常溫下B、C為氣體單質(zhì),Y為固體單質(zhì),Y是電子工業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料.F是具有磁性的黑色晶體.E的水溶液與M混合后得到N,N經(jīng)過干燥脫水可得到一種常用于實(shí)驗(yàn)室和袋裝食品、瓶裝食品等的干燥劑.

請(qǐng)回答:
(1)K的化學(xué)式
KSCN
KSCN
;Z的電子式
;D中存在的化學(xué)鍵類型為
離子鍵和共價(jià)鍵
離子鍵和共價(jià)鍵
;
(2)反應(yīng)①的離子方程式
2Cl-+2H2O
 電解 
.
 
H2↑+Cl2↑+2OH-
2Cl-+2H2O
 電解 
.
 
H2↑+Cl2↑+2OH-

反應(yīng)③的化學(xué)方程式
Fe3O4+8HCl═2FeCl3+FeCl2+4H2O
Fe3O4+8HCl═2FeCl3+FeCl2+4H2O
;
(3)向H的水溶液中加入足量氨水并將溶液露置在空氣中,觀察到的現(xiàn)象是
先有白色沉淀生成,后迅速變?yōu)榛揖G色,最終變?yōu)榧t褐色
先有白色沉淀生成,后迅速變?yōu)榛揖G色,最終變?yōu)榧t褐色
;
(4)寫出反應(yīng)⑥的化學(xué)方程式
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
;
該反應(yīng)中每消耗1mol X,轉(zhuǎn)移電子
4
4
mol.
分析:常溫下B、C為氣體單質(zhì),Y為固體單質(zhì),Y是電子工業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料,則Y是Si元素;
F是具有磁性的黑色晶體,則F是Fe3O4;
E的水溶液與M混合后得到N,N經(jīng)過干燥脫水可得到一種常用于實(shí)驗(yàn)室和袋裝食品、瓶裝食品等的干燥劑,則N是硅酸,X和焦炭反應(yīng)生成硅,則X是二氧化硅,二氧化硅和強(qiáng)堿反應(yīng)生成鹽,電解A的飽和溶液生成強(qiáng)堿,同時(shí)生成兩種氣體,則A是氯化鈉,電解時(shí)生成氫氣、氯氣和氫氧化鈉,則D是氫氧化鈉;
氫氣和氯氣反應(yīng)生成氯化氫,所以E是氯化氫;鹽酸和四氧化三鐵反應(yīng)生成氯化鐵、氯化亞鐵,G和K反應(yīng)生成紅色溶液,則G是氯化鐵,K是硫氰化鉀,G和B反應(yīng)生成H,氯化亞鐵能被氯氣氧化,所以B是氯氣,C是氫氣,H是氯化亞鐵;硅和氯氣反應(yīng)生成四氯化硅,所以Z是四氯化硅.
解答:解:常溫下B、C為氣體單質(zhì),Y為固體單質(zhì),Y是電子工業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料,則Y是Si元素;
F是具有磁性的黑色晶體,則F是Fe3O4;
E的水溶液與M混合后得到N,N經(jīng)過干燥脫水可得到一種常用于實(shí)驗(yàn)室和袋裝食品、瓶裝食品等的干燥劑,則N是硅酸,X和焦炭反應(yīng)生成硅,則X是二氧化硅,二氧化硅和強(qiáng)堿反應(yīng)生成鹽,電解A的飽和溶液生成強(qiáng)堿,同時(shí)生成兩種氣體,則A是氯化鈉,電解時(shí)生成氫氣、氯氣和氫氧化鈉,則D是氫氧化鈉;
氫氣和氯氣反應(yīng)生成氯化氫,所以E是氯化氫;鹽酸和四氧化三鐵反應(yīng)生成氯化鐵、氯化亞鐵,G和K反應(yīng)生成紅色溶液,則G是氯化鐵,K是硫氰化鉀,G和B反應(yīng)生成H,氯化亞鐵能被氯氣氧化,所以B是氯氣,C是氫氣,H是氯化亞鐵;硅和氯氣反應(yīng)生成四氯化硅,所以Z是四氯化硅.
(1)通過以上分析知,K是硫氰化鉀,其化學(xué)式為:KSCN,Z是四氯化硅,其電子式為:,D是氫氧化鈉,氫氧化鈉中含有離子鍵和共價(jià)鍵,故答案為:KSCN,,離子鍵和(極性)共價(jià)鍵;
(2)電解氯化鈉飽和溶液生成氯氣、氫氣和氫氧化鈉,離子反應(yīng)方程式為:2Cl-+2H2O
 電解 
.
 
H2↑+Cl2↑+2OH-,四氧化三鐵和鹽酸反應(yīng)生成氯化鐵、氯化亞鐵和水,反應(yīng)方程式為:Fe3O4+8 HCl═2FeCl3+FeCl2+4H2O,故答案為:2Cl-+2H2O
 電解 
.
 
H2↑+Cl2↑+2OH-,F(xiàn)e3O4+8 HCl═2FeCl3+FeCl2+4H2O;
(3)氯化亞鐵和氨水反應(yīng)生成氫氧化亞鐵白色沉淀,氫氧化亞鐵不穩(wěn)定,易被氧氣氧化生成紅棕色沉淀,所以看到的現(xiàn)象是:先有白色沉淀生成,后迅速變?yōu)榛揖G色,最終變?yōu)榧t褐色,
故答案為:先有白色沉淀生成,后迅速變?yōu)榛揖G色,最終變?yōu)榧t褐色;
(4)高溫下,二氧化硅和碳反應(yīng)生成硅和一氧化碳,反應(yīng)方程式為:SiO2+2 C
 高溫 
.
 
 Si+2CO↑,該反應(yīng)中每消耗1mol X,轉(zhuǎn)移電子=1mol(4-0)=4mol,
故答案為:SiO2+2 C
 高溫 
.
 
 Si+2CO↑,4.
點(diǎn)評(píng):本題考查元素化合物的性質(zhì),正確推斷元素是解本題的關(guān)鍵,注意書寫反應(yīng)方程式時(shí)要注明反應(yīng)條件,為易錯(cuò)點(diǎn).
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