Question

【題目】清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO2粉塵等）。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na2SiO3等混合溶液在75～90℃反應(yīng)25～35 min，效果良好。

回答下列問題

（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學方程式加以解釋 ；

（2）寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式 ，對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型，他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng)，首先是Si與OH一反應(yīng)，生成SiO44一，然后SiO44一迅速水解生成H4SiO4�；�于此原理分析反應(yīng)中氧化劑為 。

（3）本�；瘜W興趣小組同學，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：

	實驗事實
事實一	水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。
事實二	盛放于鉑或石英器皿中的純水長時間對粉末狀還原硅無腐蝕作用。
事實三	普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。
事實四	在野外環(huán)境里，用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH，點著后燜燒，可劇烈放出H2。
事實五	1g（0.036mo1）Si和20mL含有lgNaOH（0.025mol）的溶液，小心加熱（稍微預(yù)熱），收集到約1700mL H2，很接近理論值（1600mL）。

結(jié)論：從實驗上說明堿性水溶液條件下，H2O可作 劑；NaOH作 劑，降低反應(yīng) 。高溫無水環(huán)境下，NaOH作 劑。

（4）在太陽能電池表面沉積深藍色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷（SiH4）與氨氣（NH3）在等離子體中反應(yīng)。硅烷是一種無色、有毒氣體，常溫下與空氣和水劇烈反應(yīng)。下列關(guān)于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是 。

A．在使用硅烷時要注意隔離空氣和水，SiH4能與水發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成H2；

B．硅烷與氨氣反應(yīng)的化學方程式為：3SiH4+4NH3＝Si3N4+12H2↑，反應(yīng)中NH3作氧化劑；

C．它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能，化學穩(wěn)定性很好，不與任何酸、堿反應(yīng)；

D．氮化硅晶體中只存在共價鍵，Si3N4是優(yōu)良的新型無機非金屬材料。

Answer 1

【答案】（10分，除標記外，其余每空2分）（1）SiO2+4HF＝SiF4↑+2H2O

（2）Si+2OH一+H2O＝SiO32-+2H2↑；NaOH；

（3）氧化 催化 活化能 氧化（每空各1分） （4）C

【解析】

試題分析：（1）因為氫氟酸能和二氧化硅反應(yīng)，從而腐蝕玻璃，反應(yīng)的化學方程式為SiO2+4HF＝SiF4↑+2H2O，因此不能用玻璃試劑瓶來盛HF溶液。

（2）硅單質(zhì)能和氫氧化鈉溶液反應(yīng)生成硅酸鈉和氫氣，所以晶片制絨反應(yīng)的離子方程式為Si+2OH一+H2O＝SiO32-+2H2↑；Si與OH一反應(yīng)，生成SiO44一，這說明在反應(yīng)中氧化劑應(yīng)該是氫氧化鈉。

（3）水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣，而普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中，這說明在堿性水溶液條件下，H2O可作氧化劑。少量的氫氧化鈉可以加快反應(yīng)速率，這說明氫氧化鈉通過降低反應(yīng)的活化能，起催化劑的作用。在野外環(huán)境里，用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH，點著后燜燒，可劇烈放出H2，這說明在高溫無水環(huán)境下，NaOH起氧化劑的作用，與硅反應(yīng)放出氫氣。

（4）A、硅烷在常溫下與空氣和水劇烈反應(yīng)，因此在使用硅烷時要注意隔離空氣和水，這是由于SiH4能與水發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成H2，A正確；B、在反應(yīng)3SiH4+4NH3＝Si3N4+12H2↑中，氨氣中氫元素的化合價從+1價降低到0價得到電子，所以反應(yīng)中NH3作氧化劑，硅烷是還原劑，B正確；C、氮化硅的性質(zhì)穩(wěn)定，但硅烷的性質(zhì)很活潑，常溫下與空氣和水劇烈反應(yīng)，因此選項C不正確；D、氮和硅都是非金屬，因此氮化硅晶體中只存在共價鍵，Si3N4是優(yōu)良的新型無機非金屬材料，D正確，答案選C。