Question

10．有A、B、C、D、E五種短周期元素，它們的核電荷數(shù)按C、A、B、D、E的順序增大．C、D都能分別與A按原子個(gè)數(shù)比為1：1或2：1形成化合物；CB可與EA₂反應(yīng)生成C₂A和氣態(tài)物質(zhì)EB₄；E的M層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍．
（1）寫出下列元素的名稱：A氧，B氟，E硅．
（2）畫出E的原子結(jié)構(gòu)示意圖．
（3）比較EA₂與EB₄的熔點(diǎn)高低（填化學(xué)式）SiO₂＞SiF₄．
（4）A的氫化物的沸點(diǎn)與同族下一周期元素的氫化物相比，A的氫化物的沸點(diǎn)高（填“高”或“低”），原因是水分子之間形成氫鍵，而H₂S中不存在氫鍵．
（5）寫出電子式D₂A₂，EB₄．

Answer 1

分析 A、B、C、D、E五種短周期元素，核電荷數(shù)按C、A、B、D、E的順序增大，E的M層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍，K層容納2個(gè)電子，M層有4個(gè)電子，則E為Si元素；C、D都能分別與A按原子個(gè)數(shù)比為1：1或2：1形成化合物，則C為H元素，A為O元素，D為Na元素；CB可與EA₂反應(yīng)生成C₂A和氣態(tài)物質(zhì)EB₄，該反應(yīng)為4HF+SiO₂═2H₂O+SiF₄↑，則B為F元素，據(jù)此解答．

解答 解：A、B、C、D、E五種短周期元素，核電荷數(shù)按C、A、B、D、E的順序增大，E的M層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍，K層容納2個(gè)電子，M層有4個(gè)電子，則E為Si元素；C、D都能分別與A按原子個(gè)數(shù)比為1：1或2：1形成化合物，則C為H元素，A為O元素，D為Na元素；CB可與EA₂反應(yīng)生成C₂A和氣態(tài)物質(zhì)EB₄，該反應(yīng)為4HF+SiO₂═2H₂O+SiF₄↑，則B為F元素．
（1）由上述分析可知，A為氧、B為氟、E為硅，
故答案為：氧；氟；硅；
（2）E為Si元素，質(zhì)子數(shù)為14，最外層電子數(shù)為4，原子結(jié)構(gòu)示意圖為；
故答案為：；
（3）EA₂是SiO₂，EB₄是SiF₄，SiO₂為原子晶體，熔沸點(diǎn)較高，SiF₄為分子晶體，熔沸點(diǎn)較低，沸點(diǎn)SiO₂＞SiF₄，
故答案為：SiO₂；SiF₄；
（4）A為O元素，對(duì)應(yīng)氫化物為H₂O，與A同族下一周期元素的氫化物為H₂S，由于O元素的電負(fù)性很強(qiáng)，水分子之間形成氫鍵，而H₂S中不存在氫鍵，所以水的沸點(diǎn)比H₂S的沸點(diǎn)高，
故答案為：高；水分子之間形成氫鍵，而H₂S中不存在氫鍵；
（5）D₂A₂為Na₂O₂，由鈉離子與過氧根離子構(gòu)成，電子式為；
EB₄為SiF₄，硅原子與氟原子之間形成1對(duì)共用電子對(duì)，電子式為．
故答案為：；．

點(diǎn)評(píng) 本題考查結(jié)構(gòu)性質(zhì)位置關(guān)系綜合應(yīng)用，結(jié)合常見化合物的結(jié)構(gòu)推斷元素是解答本題的關(guān)鍵，注意二氧化硅的特性．