Question

1．納米技術(shù)制成的金屬燃料、非金屬固體燃料、氫氣等已應(yīng)用到社會(huì)生活和高科技領(lǐng)域．單位質(zhì)量的A和B單質(zhì)燃燒時(shí)均放出大量熱，可用作燃料．已知A和B為短周期元素，其原子的第一至第四電離能如表所示：

電離能（kJ/mol）	I1	I2	I3	I4
A	932	1821	15390	21771
B	738	1451	7733	10540

（1）某同學(xué)根據(jù)上述信息，推斷B的核外電子排布如圖1所示，該同學(xué)所畫(huà)的電子排布圖違背了能量最低原理．
（2）ACl₂分子中A的雜化類型為sp雜化．
（3）氫氣作為一種清潔能源，必須解決它的儲(chǔ)存問(wèn)題，C₆₀可用作儲(chǔ)氫材料．已知金剛石中的C-C的鍵長(zhǎng)為154.45pm，C₆₀中C-C鍵長(zhǎng)為145～140pm，有同學(xué)據(jù)此認(rèn)為C₆₀的熔點(diǎn)高于金剛石，你認(rèn)為是否正確否，并闡述理由C₆₀為分子晶體，熔化時(shí)破壞的是分子間作用力，無(wú)需破壞共價(jià)鍵．
（4）科學(xué)家把C₆₀和鉀摻雜在一起制造了一種富勒烯化合物，其晶胞如圖2所示，該物質(zhì)在低溫時(shí)是一種超導(dǎo)體．寫(xiě)出基態(tài)鉀原子的價(jià)電子排布式4S¹，該物質(zhì)的K原子和C₆₀分子的個(gè)數(shù)比為3：1．
（5）繼C₆₀后，科學(xué)家又合成了Si₆₀、N₆₀，C、Si、N原子電負(fù)性由大到小的順序是N＞C＞Si，NCl₃分子的VSEPR模型為正四面體．Si₆₀分子中每個(gè)硅原子只跟相鄰的3個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵，且每個(gè)硅原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則Si₆₀分子中π鍵的數(shù)目為30．

Answer 1

分析 （1）由圖1電子軌道排布圖可知，3s能級(jí)未填滿就填充3p能級(jí)，3s能級(jí)能量比3p能級(jí)低，違背了能量最低原理；
（2）BeCl₂分子中Be的成2個(gè)σ鍵，雜化軌道數(shù)為2，采取sp雜化；
（3）C₆₀是分子晶體，金剛石是原子晶體，決定二者熔沸點(diǎn)的作用力不同；
（4）鉀元素位于第四周期ⅠA族，據(jù)此寫(xiě)出鉀元素價(jià)電子排布式；利用均攤法確定K原子和C₆₀分子的個(gè)數(shù)比；
（5）根據(jù)電負(fù)性遞變規(guī)律判斷電負(fù)性大��；根據(jù)價(jià)電子對(duì)互斥理論確定微粒的理論模型；每個(gè)硅原子只跟相鄰的3個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵，且每個(gè)硅原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，即形成三條共價(jià)鍵外，還形成一條π鍵，據(jù)此判斷π鍵的數(shù)目．

解答 解：（1）①由圖1電子軌道排布圖可知，3s能級(jí)未填滿就填充3p能級(jí)，所以違背能量最低原理，
故答案為：能量最低原理；
（2）BeCl₂分子中Be的成2個(gè)σ鍵，雜化軌道數(shù)為2，采取sp雜化，
故答案為：sp雜化；
（3）C₆₀是分子晶體，金剛石是原子晶體，決定二者熔沸點(diǎn)的作用力不同，C₆₀為分子晶體，熔化時(shí)破壞的是分子間作用力，無(wú)需破壞共價(jià)鍵，所以認(rèn)為C₆₀的熔點(diǎn)高于金剛石是錯(cuò)誤的，
故答案為：否；　C₆₀為分子晶體，熔化時(shí)破壞的是分子間作用力，無(wú)需破壞共價(jià)鍵；
（4）鉀元素位于第四周期ⅠA族，寫(xiě)出鉀元素價(jià)電子排布式為4S¹；該晶胞中C₆₀個(gè)數(shù)=1+8×$\frac{1}{8}$=2，6×2×$\frac{1}{2}$=6，所以K原子和C₆₀分子的個(gè)數(shù)比為6：2=3：1，
故答案為：4S¹；3：1；
（5）電負(fù)性同周期從左到右，逐漸增大，同主族從上到下，逐漸減小，則電負(fù)性由大到小順序?yàn)椋篘＞C＞Si；
NCl₃中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+$\frac{5-3×1}{2}$=4，所以原子雜化方式是sp³，價(jià)層電子對(duì)互斥理論模型為為正四面體構(gòu)型；
Si₆₀分子中，共價(jià)鍵數(shù)目為60×3×$\frac{1}{2}$=90，每三條共價(jià)鍵含有一條π鍵，數(shù)目為：90×$\frac{1}{3}$=30，
故答案為：N＞C＞Si；正四面體；30．

點(diǎn)評(píng) 本題考查了位置、結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的關(guān)系，題目難度中等，涉及晶胞的計(jì)算、電子排布圖、雜化類型判斷、電負(fù)性等知識(shí)點(diǎn)，試題知識(shí)點(diǎn)較多，充分考查了學(xué)生靈活應(yīng)用基礎(chǔ)知識(shí)的能力，要求學(xué)生能夠運(yùn)用均攤法計(jì)算化學(xué)鍵、晶胞的化學(xué)式．