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科目: 來源: 題型:


有關(guān)短周期元素A、B、C、D、E、F的信息如下:

元素    有關(guān)信息

A       最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物(甲)能與其氣態(tài)氫化物(乙)反應(yīng)生成鹽

B       最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的2倍

C       M層上有3個(gè)電子

D       短周期原子半徑最大的主族元素

E       其單質(zhì)是淡黃色固體

F       最高正價(jià)與最低負(fù)價(jià)代數(shù)和為6

請(qǐng)回答下列問題:

(1)寫出基態(tài)A原子外圍電子的電子排布圖   .氣態(tài)氫化物乙中A原子的雜化類型是SP3

(2)E、F兩元素的電負(fù)性大小比較:E  F(選填>、<或=)

(3)下列說法正確的是  (填序號(hào)).

①實(shí)驗(yàn)室可用右圖所示裝置制取B的最高價(jià)氧化物.

②用C單質(zhì)做成的槽車,都可用來運(yùn)輸甲的濃溶液.

③C形成的單質(zhì)熔點(diǎn)低于D形成的單質(zhì)的熔點(diǎn).

④E的氫化物穩(wěn)定性強(qiáng)于F的氫化物穩(wěn)定性.

(4)將E的常見氧化物(該氧化物能使品紅溶液褪色)通入由CuSO4和NaCl混合的濃溶液中,溶液顏色變淺,析出白色沉淀,取該沉淀進(jìn)行元素質(zhì)量分?jǐn)?shù)分析,可知其中含Cl:35.7%,Cu:64.3%,則該氧化物在上述反應(yīng)中的作用是 

A.漂白劑B.氧化劑C.還原劑.

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下面的表格是元素周期表的一部分,其中的序號(hào)對(duì)應(yīng)的是元素.

請(qǐng)回答下列問題:

(1)按原子軌道的重疊方式看,元素A、C形成的相對(duì)分子質(zhì)量最小的分子含  鍵;元素E和H形成的化學(xué)鍵類型為 

(2)上表中所列舉的某元素最外電子層上p電子數(shù)比s電子數(shù)少1,則該元素的元素符號(hào)為  

(3)B、D、E、F四種元素的第一電離能由大到小的順序是(填元素符號(hào)) 

(4)元素I的價(jià)電子排布式為   .I元素通常情況下能形成兩種離子,其中較穩(wěn)定的是Fe3+,其原因是  

(5)硒(se)是人體必需的微量元素,與G同一主族,Se原子比G原子多一個(gè)電子層.則:Se的原子序數(shù)為34,其原子結(jié)構(gòu)示意圖為  

(6)G、H兩元素能形成G2H2,它是一種琥珀色液體,是合成硫化染料的重要原料.它的熔點(diǎn)﹣80℃,沸點(diǎn)138℃.常溫下,它遇水易反應(yīng),產(chǎn)生使品紅褪色的氣體,且溶液出現(xiàn)渾濁.

①S2Cl2遇水反應(yīng)產(chǎn)生氣體,該氣體分子是  (填“極性”或“非極性”)分子.

②寫出二氯化硫與水反應(yīng)的化學(xué)方程式  

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A、X、Y、Z、R、W均為周期表中前四周期的元素,其中原子序數(shù)依次增大;A原子價(jià)電子排布式nsnnpn+1,X2和Y+有相同的核外電子排布;Z的氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)比其上一周期同族元素氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)低;R的基態(tài)原子在前四周期元素的基態(tài)原子中單電子數(shù)最多;W為金屬元素,X與W形成的某種化合物與Z的氫化物的濃溶液加熱時(shí)反應(yīng)可用于實(shí)驗(yàn)室制取Z的氣體單質(zhì).回答下列問題(相關(guān)回答均用元素符號(hào)表示):

(1)R基態(tài)原子的核外電子排布式是  .W在周期表中的位置是  

(2)NH4Cl晶體中含有多種化學(xué)鍵,其中一定不含有的化學(xué)鍵是  (填字母).

A.離子鍵B.極性鍵C.配位鍵  D.金屬鍵

(3)A原子的第一電離能  (填“大于”、“小于”或“等于”)X原子的第一電離能; A元素的氫化物是一種易液化的氣體,該氣體易液化的原因是  

(4)X與Y形成的化合物Y2X2的電子式   ,其晶體類型是  .X與Y形成的化合物的晶胞如圖所示,則該化合物的化學(xué)式為  (請(qǐng)用推斷出的元素符號(hào)表示).

(5)Z的某種含氧酸鹽常用于實(shí)驗(yàn)室制取X形成的單質(zhì),此酸根離子的空間構(gòu)型為  

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含有NaOH的Cu(OH)2懸濁液可用于檢驗(yàn)醛基,也可用于和葡萄糖反應(yīng)制備納米Cu2O.

(1)與OH互為等電子體的一種分子為HF(填化學(xué)式).

(2)葡萄糖等很多不飽和有機(jī)物在Ni催化下可以與H2發(fā)生加成反應(yīng).如①CH2=CH2 ②CH≡CH③ ④HCHO等,

其中Ⅰ:①中含有的官能團(tuán)名稱是   、③的分子式為  

Ⅱ:②中碳原子的軌道雜化類型是  ;④的立體構(gòu)型為 

(3)Cu屬于  區(qū)元素,基態(tài)Cu+核外價(jià)電子排布式為 

銅的另一種價(jià)態(tài)的離子Cu2+的水合離子中,提供孤電子對(duì)的原子是 

(4)將氨氣通入到Cu(OH)2懸濁液的離子方程式為  

(5)Cu2O在稀硫酸中生成Cu和CuSO4,請(qǐng)寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式:  .銅晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,銅晶體中每個(gè)銅原子周圍等距離且最近的銅原子數(shù)目為 

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根據(jù)已學(xué)知識(shí),請(qǐng)你回答下列問題:

(1)試比較含氧酸的酸性強(qiáng)弱(填“>”、“<”或“=”):HClO3  HClO4

(2)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷:H2O的VSEPR構(gòu)型為正四面體H3O+的分子立體結(jié)構(gòu)為三角錐

(3)沸點(diǎn)比較:鄰羥基苯甲醛    對(duì)羥基苯甲醛(填“>”、“<”或“=”)

(4)在下列物質(zhì)①NH3、②BF3、③HCl、④SO3,屬于非極性分子的是(填番號(hào)) 

(5)①苯、②CH3OH、③HCHO、④CS2、⑤CCl4五種有機(jī)溶劑中,碳原子采取sp2雜化的分子有(填序號(hào)).

(6)三氯化鐵常溫下為固體,熔點(diǎn)282°C,沸點(diǎn)315°,在300°C以上易升華.易溶于水,也易溶于乙醚、丙酮等有機(jī)溶劑.據(jù)此判斷三氯化鐵晶體為 

(7)配離子[TiCl(H2O)5]2+的中心離子的符號(hào)為  ,配位數(shù)為 

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X、Y、Z、W是原子序數(shù)依次增大的短周期元素,且互不同族,其中只有兩種為金屬;X原子的最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相等;X與W、Y與Z這兩對(duì)原子的最外層電子數(shù)之和均為9,單質(zhì)Y可與NaOH溶液反應(yīng)生成氫氣.下列說法不正確的是()

    A. 原子半徑:Y>Z>W(wǎng)

    B. XW2熔點(diǎn)為107℃,沸點(diǎn)為142.5℃,說明固態(tài)XW2為分子晶體

    C. 電解YW3固體可得單質(zhì)Y

    D.

ZW2分子結(jié)構(gòu)見右圖,說明ZW2是極性分子

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SCR法(選擇性催化還原技術(shù))是一種以NH3作為還原劑,將煙氣中NOx分解成無害的N2和H2O的干法脫硝技術(shù),反應(yīng)原理為:①6NO+4NH3═5N2+6H2O;②6NO2+8NH3═7N2+12H2O;③NO+NO2+2NH3═2N2+3H2O.下列說法正確的是()

    A. 汽車尾氣中含有NOx,NOx是引起溫室效應(yīng)的主要?dú)怏w之一

    B. N2中π鍵與σ鍵之比為1:2

    C. 反應(yīng)③中每生成標(biāo)況下的22.4 L N2轉(zhuǎn)移電子數(shù)1.5NA

    D. NH3的沸點(diǎn)比PH3的沸點(diǎn)高

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下列說法全部正確的是()

①CH3﹣CH=CH2和CH2=CH2的最簡式相同;

②CH≡CH和C6H6含碳量相同;

③苯乙烯和丁烯為同系物;

④正戊烷、異戊烷、新戊烷的沸點(diǎn)逐漸變低;

⑤標(biāo)準(zhǔn)狀況下,11.2L的戊烷所含的分子數(shù)為0.5NA (NA為阿伏加德羅常數(shù))

    A.             ①②③              B. ②③④          C. ①②④   D. ③④⑤

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下列說法正確的是()

①具有規(guī)則幾何外形的固體一定是晶體   

②含有陽離子的晶體一定是離子晶體

③非極性分子中一定含有非極性鍵       

④s﹣s σ鍵與s﹣p σ鍵的電子云形狀相同

⑤含有共價(jià)鍵的晶體一定具有高的熔、沸點(diǎn)及硬度

⑥因?yàn)镠﹣F的鍵能大于H﹣Cl的鍵能,所以HF的沸點(diǎn)高于HCl

⑦含有π鍵的化合物與只含σ鍵的化合物的化學(xué)性質(zhì)不同

⑧中心原子采取sp3雜化的分子,其立體構(gòu)形不一定是正四面體.

    A.             ①②⑤⑥            B. ③⑦⑧          C. ⑦⑧ D. ③④⑤⑧

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下面的排序不正確的是()

    A. 晶體熔點(diǎn)由低到高:CH4<SiH4<GeH4<SnH4

    B. 熔點(diǎn)由高到低:Rb>K>Na

    C. 硬度由大到。航饎偸咎蓟瑁揪w硅

    D. 晶格能由大到。篘aF>NaCl>NaBr>NaI

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