分析 圖1的電極測得的數(shù)值是負(fù)值,因此為神經(jīng)元C的膜內(nèi)電位的變化.結(jié)構(gòu)①為突觸小泡,②為突觸前膜,③為受體,④突觸后膜.
分析圖2可知,操作I刺激軸突A兩次,時(shí)問間隔稍長,操作Ⅱ刺激軸突A兩次,時(shí)間間隔很短,操作Ⅲ先給B一個(gè)刺激,(間隔時(shí)間稍長)再同時(shí)給A、B-個(gè)刺激;操作Ⅳ給A、B交替連續(xù)多個(gè)刺激(問隔時(shí)間很短).
解答 解:(1)圖1的電極測得的數(shù)值是負(fù)值,因此為神經(jīng)元C的膜內(nèi)電位的變化.結(jié)構(gòu)①為突觸小泡,②為突觸前膜,③為受體,④突觸后膜.刺激軸突A可直接觀察到突觸前膜Ca+內(nèi)流,之后引發(fā)突觸小泡定向移動(dòng).Ca2+內(nèi)流會(huì)引起膜內(nèi)電位由負(fù)變?yōu)檎?br />(2)分析圖2可知,操作I刺激軸突A兩次,時(shí)問間隔稍長,操作Ⅱ刺激軸突A兩次,時(shí)間間隔很短,操作Ⅲ先給B一個(gè)刺激,(間隔時(shí)間稍長)再同時(shí)給A、B-個(gè)刺激;操作Ⅳ給A、B交替連續(xù)多個(gè)刺激(問隔時(shí)間很短). 因此I、Ⅱ操作的不同點(diǎn)是兩次刺激問隔時(shí)問不同.只有操作Ⅳ產(chǎn)生了動(dòng)作電位,說明突觸后膜的多個(gè)小電位可疊加,達(dá)到一定閾值后會(huì)引發(fā)動(dòng)作電位,其原因可能是突觸前膜釋放的乙酰膽堿累加作用于突觸后膜,主要引起Na+通道開放增多,導(dǎo)致電位變化增大,最終達(dá)到閾值并引發(fā)動(dòng)作電位.
故答案為:
(1)膜內(nèi) 由負(fù)變?yōu)檎?nbsp; 突觸小泡 突觸后膜
(2)兩次刺激間隔時(shí)間不同 突觸后膜的多個(gè)小電位可疊加,達(dá)到一定閡值后會(huì)引發(fā)動(dòng)作電位 神經(jīng)遞質(zhì)(或乙酰膽堿)
點(diǎn)評 本題考查興奮在神經(jīng)元之間的傳遞等知識(shí),旨在考查考生的理解能力和實(shí)驗(yàn)探究能力.
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科目:高中生物 來源: 題型:解答題
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科目:高中生物 來源: 題型:選擇題
A. | 花藥離體培養(yǎng)出來的個(gè)體都是單倍體 | |
B. | 基因突變對生物進(jìn)化往往是有利的 | |
C. | DNA分子中發(fā)生堿基對的替換,增添和缺失叫作基因突變 | |
D. | 染色體結(jié)構(gòu)的突變,會(huì)使排列在染色體上的基因數(shù)目或排列順序發(fā)生改變 |
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科目:高中生物 來源: 題型:解答題
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科目:高中生物 來源: 題型:解答題
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科目:高中生物 來源: 題型:選擇題
A. | 細(xì)菌基因突變的頻率增加 | B. | 細(xì)菌增殖受到抑制 | ||
C. | 細(xì)菌DNA復(fù)制發(fā)生障礙 | D. | 細(xì)菌蛋白質(zhì)合成發(fā)生障礙 |
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科目:高中生物 來源: 題型:選擇題
A. | Hsp90α是由其他相關(guān)基因突變后合成的異常蛋白質(zhì) | |
B. | 阻礙細(xì)胞內(nèi)Hsp90α的活性可抑制腫瘤細(xì)胞的轉(zhuǎn)移 | |
C. | Hsp90α分泌到細(xì)胞外,離不開核糖體和線粒體的作用 | |
D. | 抑制Hsp90α合成基因的表達(dá)不利于人體健康 |
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科目:高中生物 來源: 題型:解答題
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科目:高中生物 來源: 題型:選擇題
A. | 膜的組成成分可以從內(nèi)質(zhì)網(wǎng)膜轉(zhuǎn)移到高爾基體膜,再轉(zhuǎn)移到細(xì)胞膜 | |
B. | 各種生物膜的化學(xué)組成和結(jié)構(gòu)相似 | |
C. | 核膜和內(nèi)質(zhì)網(wǎng)膜在結(jié)構(gòu)上有密切聯(lián)系 | |
D. | 線粒體膜和葉綠體膜中的膜蛋白是相同的 |
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