分析 (1)根據(jù)動能定理求出粒子經(jīng)電場加速度后獲得的速度,即進(jìn)入磁場時速度.
(2)先由第一問的結(jié)論求出x=-$\frac{R}{3}$處的離子釋放后獲得的速度,然后運動學(xué)公式和牛頓第二定律求出從釋放到經(jīng)過點(R,0)所需時間t.
(3)所有離子都經(jīng)過的點為持續(xù)發(fā)出熒光的點,由幾何知識確定半徑,由牛頓第二定律求磁感應(yīng)強(qiáng)度.
解答 解:(1)于x處釋放離子,由動能定理得:Eq$\frac{1}{2R}$x2=$\frac{1}{2}$mv2
得離子進(jìn)入磁場時的速度為:v=$\sqrt{\frac{Eq}{mR}}$|x|
(2)由(1)得在x=-$\frac{R}{3}$ 處釋放的離子到達(dá)x軸時速度為:v=$\sqrt{\frac{Eq}{mR}}$•$\frac{R}{3}$=$\frac{1}{3}$$\sqrt{\frac{EqR}{m}}$
從釋放到到達(dá)x軸時間為:t1=$\frac{v}{a}$=$\frac{\frac{1}{3}\sqrt{\frac{EqR}{m}}}{\frac{Eq}{m}}$=$\frac{1}{3}$$\sqrt{\frac{mR}{Eq}}$
a)第一種情況:離子直接從x=-$\frac{R}{3}$經(jīng)磁場達(dá)x=R 處.
在磁場中經(jīng)歷半圓時間為:t2=$\frac{s}{v}$=$\frac{\frac{π}{2}(R+\frac{R}{3})}{v}$=2π$\sqrt{\frac{mR}{Eq}}$
總時間為:T1=t1+t2=(2π+$\frac{1}{3}$)$\sqrt{\frac{mR}{Eq}}$
b)第二種情況:離子直接從x=-$\frac{R}{3}$經(jīng)磁場達(dá)x=$\frac{R}{3}$處進(jìn)入電場返回磁場再到x=R處
易得在磁場中時間仍然為:t2=2π$\sqrt{\frac{mR}{Eq}}$
在電場中時間為:3t1=$\sqrt{\frac{mR}{Eq}}$
總時間為:T2=3t1+t2=(2π+1)$\sqrt{\frac{mR}{Eq}}$
(3)在磁場B中有:qvB=m$\frac{{v}^{2}}{r}$
所以運動半徑為:r=$\frac{mv}{qB}$=$\frac{1}{B}$$\sqrt{\frac{Em}{qR}}$|x|
可以看出,B一定時,必有r∝|x|,當(dāng)|x|→0時,r→0 (離子經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)從逼近原點出磁場)因此,所有離子都從原點(0,0)點出磁場,擊中熒光屏上(0,$\frac{1}{2}$R)
則有:2r=x
因為qvB1=m$\frac{{v}^{2}}{r}$
所以有:B1=$\frac{mv}{qr}$=2$\sqrt{\frac{Em}{qR}}$
答:(1)在x(-R≤x≤R)處釋放的離子進(jìn)入磁場時速度v=$\sqrt{\frac{Eq}{mR}}$|x|.
(2)若僅讓橫坐標(biāo)x=-$\frac{R}{3}$的離子釋放,它最后能經(jīng)過點(R,0),從釋放到經(jīng)過點(R,0)所需時間t=(2π+$\frac{1}{3}$)$\sqrt{\frac{mR}{Eq}}$ 或(2π+1)$\sqrt{\frac{mR}{Eq}}$.
(3)若同時將離子由靜止釋放,釋放后一段時間發(fā)現(xiàn)熒光屏上只有一點持續(xù)發(fā)出熒光.該點坐標(biāo)為(0,$\frac{1}{2}$R)磁感應(yīng)強(qiáng)度B1為2$\sqrt{\frac{Em}{qR}}$.
點評 本題中電場的區(qū)域邊界是數(shù)學(xué)解析式的表達(dá)方式,設(shè)計新穎,學(xué)習(xí)中應(yīng)該注意數(shù)學(xué)思想在物理中的應(yīng)用
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 物塊受重力、圓盤的支持力 | |
B. | 物塊受重力、圓盤的支持力、指向圓心的靜摩擦力、向心力 | |
C. | 物塊受重力、圓盤的支持力、指向圓心的靜摩擦力 | |
D. | 物塊受重力、圓盤的支持力、沿切線方向的靜摩擦力 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | t1時刻 | B. | t2時刻 | C. | t3時刻 | D. | t4時刻 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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