Question

1．在半導(dǎo)體離子注入工藝中，質(zhì)量相等、初速度可忽略的磷離子P⁺和P³⁺，經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后，垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里，寬度為d的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，P⁺離子在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)θ=30°后，從磁場(chǎng)右邊界射出，如圖所示．關(guān)于上述運(yùn)動(dòng)，下列說(shuō)法正確的是（　�。�

• A． P⁺和P³⁺在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間之比為3：1
• B． P⁺和P³⁺在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為3：1
• C． P⁺和P³⁺在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間之比為3：2
• D． P⁺和P³⁺離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的動(dòng)能之比為1：3

Answer 1

分析 要分析加速度就要先分析其受的電場(chǎng)力，而要分析動(dòng)能就要看電場(chǎng)做的功；要分析半徑就要用洛倫茲力充當(dāng)向心力，來(lái)找出半徑，有了半徑其轉(zhuǎn)過(guò)的角度就很容易了．

解答 解：A、兩個(gè)離子的質(zhì)量相同，其帶電量是1：3的關(guān)系，所以由a=$\frac{qU}{md}$可知，其在電場(chǎng)中的加速度是1：3，
d=$\frac{1}{2}a{t}^{2}$，t=$\sqrt{\frac{2d}{a}}$，所以運(yùn)動(dòng)時(shí)間之比是：$\sqrt{3}$：1，故A錯(cuò)誤．
B、要想知道半徑必須先知道進(jìn)入磁場(chǎng)的速度，而速度的決定因素是加速電場(chǎng)，所以在離開(kāi)電場(chǎng)時(shí)其速度表達(dá)式為：v=$\sqrt{\frac{2qU}{m}}$，可知其速度之比為1：$\sqrt{3}$．又由qvB=m$\frac{{v}^{2}}{r}$知，r=$\frac{mv}{qB}$，所以其半徑之比為$\sqrt{3}$：1，故B錯(cuò)誤．
C、由B的分析知道，離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為$\sqrt{3}$：1，設(shè)磁場(chǎng)寬度為L(zhǎng)，離子通過(guò)磁場(chǎng)轉(zhuǎn)過(guò)的角度等于其圓心角，所以有sinθ=$\frac{L}{R}$，則可知角度的正弦值之比為1：$\sqrt{3}$，又P⁺的角度為30°，可知P³⁺角度為60°，即在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度之比為1：2，
在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間：t=$\frac{θm}{qB}$，故運(yùn)動(dòng)時(shí)間之比為：$\frac{1}{2}$×$\frac{3}{1}$=$\frac{3}{2}$，故C正確．
D、由電場(chǎng)加速后：qU=$\frac{1}{2}$mv²可知，兩離子離開(kāi)電場(chǎng)的動(dòng)能之比為1：3，故D正確．
故選：CD．

點(diǎn)評(píng) 磁場(chǎng)中的圓周運(yùn)動(dòng)問(wèn)題重點(diǎn)是要找出半徑，然后通過(guò)合理的作圖畫(huà)出粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡，基本就可以解決問(wèn)題了，磁場(chǎng)中的軌跡問(wèn)題是高考特別喜歡考查的內(nèi)容，而且都是出大題，應(yīng)該多做訓(xùn)練．