分析 (1)粒子在勻強(qiáng)電場(chǎng)中在加速運(yùn)動(dòng),電場(chǎng)力做功等于粒子動(dòng)能的增加;
(2)使用洛倫茲力提供向心力.求出粒子的運(yùn)動(dòng)半徑,再根據(jù)題意,正確畫(huà)出粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡,根據(jù)幾何關(guān)系寫(xiě)出粒子的半徑與磁場(chǎng)的半徑的關(guān)系,從而求出磁場(chǎng)的半徑;
(3)使用動(dòng)能定理求出粒子的速度,再求出運(yùn)動(dòng)的半徑,最后判定與圓筒的碰撞次數(shù)n.
解答 解:(1)粒子從開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到射入磁場(chǎng)的過(guò)程,電場(chǎng)力做功.由動(dòng)能定理:$qU=\frac{1}{2}m{v}^{2}$
勻強(qiáng)電場(chǎng)中有:U=Ed
聯(lián)立上式,得:$E=\frac{m{v}^{2}}{2qd}$
(2)粒子進(jìn)入磁場(chǎng)后又從S點(diǎn)射出,關(guān)鍵幾何關(guān)系可知,兩碰撞點(diǎn)和S將圓筒三等分.
設(shè)粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為r,由洛倫茲力提供向心力,得:
$qvB=\frac{m{v}^{2}}{r}$
根據(jù)幾何關(guān)系:$r=\sqrt{3}R$
聯(lián)立上式,解得:$R=\frac{\sqrt{3}mv}{3qB}$
(3)保持MN之間的電場(chǎng)強(qiáng)度不變,僅將M板向上平移$\frac{2}{3}d$后,$U′=\frac{U}{3}$
$qU′=\frac{1}{2}mv{′}^{2}$
于是:$v′=\frac{\sqrt{3}}{3}v$,$r′=\frac{\sqrt{3}}{3}r=R$
此時(shí)粒子經(jīng)過(guò)$\frac{1}{4}$圓后與圓筒發(fā)生碰撞,所以粒子將在于圓筒壁發(fā)生3次碰撞后由S點(diǎn)射出.
答:(1)M、N間電場(chǎng)強(qiáng)度E的大小$\frac{m{v}^{2}}{2qd}$;
(2)圓筒的半徑:$R=\frac{\sqrt{3}mv}{3qB}$
(3)保持M、N間電場(chǎng)強(qiáng)度E不變,僅將M板向上平移$\frac{2}{3}d$,粒子與圓筒的碰撞3次
點(diǎn)評(píng) 解決該題的關(guān)鍵是根據(jù)題目的要求,正確畫(huà)出粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡,并根據(jù)幾何關(guān)系寫(xiě)出粒子的半徑與磁場(chǎng)的半徑的關(guān)系.該題對(duì)空間思維的能力要求比較高.
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A. | 4 m、6 m和8 m | B. | 6 m、8 m和12 m | C. | 4 m、6 m和12 m | D. | 4 m、8 m和12 m |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | L1先變亮,然后逐漸變暗 | B. | L2先變亮,然后逐漸變暗 | ||
C. | L3先變亮,然后逐漸變暗 | D. | L2立即熄滅 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | t=0.01s時(shí)穿過(guò)線框的磁通量最小 | |
B. | 該交變電動(dòng)勢(shì)的瞬時(shí)值表達(dá)式為e=22$\sqrt{2}$sin(200πt)V | |
C. | 電動(dòng)勢(shì)瞬時(shí)值為22V時(shí),線圈平面與中性面的夾角為45° | |
D. | 該交變電動(dòng)勢(shì)的有效值為11$\sqrt{2}$V |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | $\frac{sinθ+μcosθ}{sinθ-μcosθ}$ | B. | $\frac{sinθ-μcosθ}{μcosθ-sinθ}$ | ||
C. | tanθ+μ | D. | $\frac{μcosθ}{sinθ-μcosθ}$ |
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