A. | 飛行器在軌道Ⅲ繞月球運(yùn)行一周所需的時(shí)間為2$π\(zhòng)sqrt{\frac{R}{{g}_{0}}}$ | |
B. | 飛行器在B點(diǎn)處點(diǎn)火后,動(dòng)能增加 | |
C. | 飛行器在軌道Ⅰ上運(yùn)動(dòng)速度為$\frac{1}{3}$$\sqrt{{g}_{0}R}$ | |
D. | 只有萬有引力作用下,飛行器在軌道Ⅱ上通過B點(diǎn)的加速度大于在軌道Ⅲ在B點(diǎn)的加速度 |
分析 在月球表面,重力等于萬有引力,在任意軌道,萬有引力提供向心力,聯(lián)立方程即可求解,
衛(wèi)星變軌也就是近心運(yùn)動(dòng)或離心運(yùn)動(dòng),根據(jù)提供的萬有引力和所需的向心力關(guān)系確定.
飛船在近月軌道Ⅲ繞月球運(yùn)行,重力提供向心力,根據(jù)向心力周期公式即可求解.
無論在什么軌道上,只要是同一個(gè)點(diǎn),引力必定相同,加速度必定相同.
解答 解:A、設(shè)飛船在近月軌道Ⅲ繞月球運(yùn)行一周所需的時(shí)間為T,則:$mR\frac{4{π}^{2}}{{T}^{2}}=m{g}_{0}$,$T=2π\(zhòng)sqrt{\frac{R}{{g}_{0}}}$,故A正確.
B、在圓軌道實(shí)施變軌成橢圓軌道遠(yuǎn)地點(diǎn)是做逐漸靠近圓心的運(yùn)動(dòng),要實(shí)現(xiàn)這個(gè)運(yùn)動(dòng)必須萬有引力大于飛船所需向心力,所以應(yīng)給飛船點(diǎn)火減速,減小所需的向心力,故點(diǎn)火后動(dòng)能減。蔅錯(cuò)誤.
C、飛船在軌道Ⅰ上,萬有引力提供向心力:
$\frac{GMm}{(4R)^{2}}=m\frac{{v}^{2}}{4R}$,
在月球表面,萬有引力等于重力得:
$\frac{GMm}{{R}^{2}}=m{g}_{0}$,
解得:v=$\frac{\sqrt{{g}_{0}R}}{2}$,故C錯(cuò)誤.
D、只有萬有引力作用下,飛行器在軌道Ⅱ上通過B點(diǎn)的加速度大于在軌道Ⅲ在B點(diǎn)的距離相等,引力相同,則加速度故相等,故D錯(cuò)誤.
故選:A.
點(diǎn)評(píng) 該題考查了萬有引力公式及向心力基本公式的應(yīng)用,要熟知衛(wèi)星的變軌,尤其注意無論在什么軌道上,只要是同一個(gè)點(diǎn),引力必定相同,加速度必定相同.難度不大,屬于中檔題.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 1kg鋁所含原子數(shù)為ρN | B. | 1m3鋁所含原子數(shù)為$\frac{ρ}{M}$ | ||
C. | 1個(gè)鋁原子的質(zhì)量為$\frac{M}{N}$(kg) | D. | 1個(gè)鋁原子所占的體積為$\frac{ρ}{MN}$(m3) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電壓表的示數(shù)為110$\sqrt{2}$V | B. | 電流表的示數(shù)為2$\sqrt{2}$A | ||
C. | 變壓器的輸入功率220W | D. | 交變電壓的頻率為100Hz |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 只要知道水的摩爾質(zhì)量和水分子的質(zhì)量,就可以計(jì)算出阿伏伽德羅常數(shù) | |
B. | 擴(kuò)散現(xiàn)象和布朗運(yùn)動(dòng)都與溫度有關(guān),所以擴(kuò)散現(xiàn)象和布朗運(yùn)動(dòng)都是分子的熱運(yùn)動(dòng) | |
C. | 彩色液晶顯示器利用了液晶的光學(xué)性質(zhì)具有各向異性的特點(diǎn) | |
D. | 氣體對(duì)容器的壓強(qiáng)是大量氣體分子對(duì)容器的碰撞引起的,它跟氣體分子的密度,氣體分子的平均動(dòng)能有關(guān) |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | V2表讀數(shù)變大 | |
B. | 輸入電壓u不變,所以副線圈兩端電壓也保持不變 | |
C. | 原線圈的輸入功率變小 | |
D. | V1表與V2表讀數(shù)之等于變壓器原副線圈匝數(shù)n1、n2正比 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 當(dāng)電源上極板a為負(fù)極時(shí),負(fù)離子打在P點(diǎn) | |
B. | 打在P點(diǎn)離子質(zhì)量為m1=$\frac{t1zfvbd_{1}^{2}{B}^{2}e}{2u}$ | |
C. | 打在Q點(diǎn)離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間比打在P點(diǎn)離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間短 | |
D. | 打在Q點(diǎn)離子質(zhì)量一定比打在P點(diǎn)離子質(zhì)量大 |
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