利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用.如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫.離子源產(chǎn)生的離子,經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應的收集器收集.整個裝置內(nèi)部為真空.已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2(m1>m2),電荷量均為q.加速電場的電勢差為U,離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力,也不考慮離子間的相互作用.
(1)求質(zhì)量為m1的離子進入磁場時的速率v1;
(2)當磁感應強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距s;
(3)在前面的討論中忽略了狹縫寬度的影響,實際裝置中狹縫具有一定寬度.若狹縫過寬,可能使兩束離子在GA邊上的落點區(qū)域交疊,導致兩種離子無法完全分離.設磁感應強度大小可調(diào),GA邊長為定值L,狹縫寬度為d,狹縫右邊緣在A處.離子可以從狹縫各處射入磁場,入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場.為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分離,求狹縫的最大寬度.
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(1)動能定理  Uq=
1
2
m1
v21

得:v1=
2qU
m1
…①
(2)由牛頓第二定律和軌道半徑有:
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 qvB=
mv2
R
,R=
mv
qB

利用①式得離子在磁場中的軌道半徑為別為(如圖一所示):
 R1=
2m1U
qB2
R2=
2m2U
qB2
…②
兩種離子在GA上落點的間距s=2(R1-R2)=
8U
qB2
(
m1
-
m2
)
…③
(3)質(zhì)量為m1的離子,在GA邊上的落點都在其入射點左側(cè)2R1處,由于狹縫的寬度為d,因此落點區(qū)域的寬度也是d(如圖二中的細線所示).同理,質(zhì)量為m2的離子在GA邊上落點區(qū)域的寬度也是d(如圖二中的粗線所示).為保證兩種離子能完全分離,兩個區(qū)域應無交疊,條件為2(R1-R2)>d…④
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利用②式,代入④式得:2R1(1-
m2
m1
)>d

R1的最大值滿足:
2R1m=L-d
得:(L-d)(1-
m2
m1
)>d

求得最大值:dm=
m1
-
m2
2
m1
-
m2
L
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2011?北京)利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用.如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫.離子源產(chǎn)生的離子,經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應的收集器收集.整個裝置內(nèi)部為真空.已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2(m1>m2),電荷量均為q.加速電場的電勢差為U,離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力,也不考慮離子間的相互作用.
(1)求質(zhì)量為m1的離子進入磁場時的速率v1
(2)當磁感應強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距s;
(3)在前面的討論中忽略了狹縫寬度的影響,實際裝置中狹縫具有一定寬度.若狹縫過寬,可能使兩束離子在GA邊上的落點區(qū)域交疊,導致兩種離子無法完全分離.設磁感應強度大小可調(diào),GA邊長為定值L,狹縫寬度為d,狹縫右邊緣在A處.離子可以從狹縫各處射入磁場,入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場.為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分離,求狹縫的最大寬度.

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用.
如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫.離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應的收集器收集.整個裝置內(nèi)部為真空.
已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2(m1>m2),電荷量均為q.加速電場的電勢差為U,離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力,也不考慮離子間的相互作用.
(1)求質(zhì)量為m1的離子進入磁場時的速率v1;
(2)當磁感應強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距.

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科目:高中物理 來源:2013屆黑龍江省哈爾濱第三十二中學高三上學期期末考試物理試卷(帶解析) 題型:計算題

利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用.如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫.離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應的收集器收集.整個裝置內(nèi)部為真空.
已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2(m1>m2),電荷量均為q.加速電場的電勢差為U,離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力,也不考慮離子間的相互作用.

(1)求質(zhì)量為m1的離子進入磁場時的速率v1
(2)當磁感應強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距.

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科目:高中物理 來源:2013-2014學年重慶市高三上期期末訓練物理試卷(解析版) 題型:計算題

(16分)利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用。如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫。離子源產(chǎn)生的離子,經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應的收集器收集。整個裝置內(nèi)部為真空。已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是,電荷量均為.加速電場的電勢差為,離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力,也不考慮離子間的相互作用。

(1)求質(zhì)量為的離子進入磁場時的速率;

(2)當磁感應強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距.

 

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科目:高中物理 來源:2012-2013學年黑龍江省高三上學期期末考試物理試卷(解析版) 題型:計算題

利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用.如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫.離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應的收集器收集.整個裝置內(nèi)部為真空.

已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2(m1>m2),電荷量均為q.加速電場的電勢差為U,離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力,也不考慮離子間的相互作用.

(1)求質(zhì)量為m1的離子進入磁場時的速率v1;

(2)當磁感應強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距.

 

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