精英家教網(wǎng)如圖所示,矩形區(qū)域?qū)挾葹閘,其內(nèi)有磁感應(yīng)強度為B、垂直紙面向外的勻強磁場.一帶電粒子以初速度v0垂直左邊界射入,飛出磁場時偏離原方向30°.若撤去原來的磁場,在此區(qū)域內(nèi)加一個電場強度為E、方向豎直向下的勻強電場(圖中未畫出),帶電粒子仍以原來的初速度入射.不計粒子的重力,求:
(1)帶電粒子在磁場中的運動半徑;
(2)帶電粒子在磁場中運動的時間;
(3)帶電粒子飛出電場后的偏轉(zhuǎn)角.
分析:(1)帶電粒子在磁場中做勻速圓周運動,已知偏向角則由幾何關(guān)系可確定圓弧所對應(yīng)的圓心角,則可求得圓弧的半徑.
(2)由洛侖茲力充當(dāng)向心力可求得帶電粒子的比荷,得到周期,即可根據(jù)偏向角求解時間.
(3)粒子做類平拋運動,運用分解法,由牛頓第二定律和運動學(xué)公式結(jié)合求解粒子飛出電場后的偏轉(zhuǎn)角.
解答:精英家教網(wǎng)解:(1)如圖,設(shè)粒子的軌跡半徑為R,由幾何關(guān)系可得:
sin30°=
l
R

解得:R=2l
(2)由由洛侖茲力充當(dāng)向心力得:
qv0B=m
v
2
0
R

解得:
q
m
=
v0
2Bl

粒子運動的周期為:T=
2πm
qB
,
所以帶電粒子在磁場中運動的時間為:
t=
30°
360°
T=
1
12
T=
πl(wèi)
3v0

(3)粒子在電場中做類平拋運動,設(shè)偏轉(zhuǎn)角為θ,
 水平方向勻速運動,有:l=v0t′
 豎直方向做初速度為零的勻加速運動,加速度為:a=
Eq
m

 飛出電場時豎直分速度為:v=at′
則:tanθ=
v
v0
=
E
2Bv0

答:(1)帶電粒子在磁場中的運動半徑為2l;
(2)帶電粒子在磁場中運動的時間為
πl(wèi)
3v0

(3)帶電粒子飛出電場后的偏轉(zhuǎn)角為
E
2Bv0
點評:帶電粒子在磁場中的運動類題目關(guān)鍵在于幾何知識確定軌跡的圓心和半徑,電場中偏轉(zhuǎn)問題,關(guān)鍵要靈活運用運動的分解法,由力學(xué)知識求解.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2011?北京)利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學(xué)分析和原子核技術(shù)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用.如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫.離子源產(chǎn)生的離子,經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應(yīng)的收集器收集.整個裝置內(nèi)部為真空.已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2(m1>m2),電荷量均為q.加速電場的電勢差為U,離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力,也不考慮離子間的相互作用.
(1)求質(zhì)量為m1的離子進入磁場時的速率v1
(2)當(dāng)磁感應(yīng)強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距s;
(3)在前面的討論中忽略了狹縫寬度的影響,實際裝置中狹縫具有一定寬度.若狹縫過寬,可能使兩束離子在GA邊上的落點區(qū)域交疊,導(dǎo)致兩種離子無法完全分離.設(shè)磁感應(yīng)強度大小可調(diào),GA邊長為定值L,狹縫寬度為d,狹縫右邊緣在A處.離子可以從狹縫各處射入磁場,入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場.為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分離,求狹縫的最大寬度.

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科目:高中物理 來源:2011年普通高等學(xué)校招生全國統(tǒng)一考試物理卷(北京) 題型:計算題

利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學(xué)分析和原子核技術(shù)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用。

如圖所示的矩形區(qū)域ABCDAC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫。離子源產(chǎn)生的離子,經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應(yīng)的收集器收集,整個裝置內(nèi)部為真空。

已知被加速度的兩種正離子的質(zhì)量分別是,電荷量均為。加速電場的電勢差為U,離子進入電場時的初速度可以忽略,不計重力,也不考慮離子間的相互作用。

(1)求質(zhì)量為的離子進入磁場時的速率;

(2)當(dāng)感應(yīng)強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距s;

(3)在前面的討論中忽略了狹縫寬度的影響,實際裝置中狹縫具有一定寬度。若狹縫過寬,可能使兩束離子在GA邊上的落點區(qū)域受疊,導(dǎo)致兩種離子無法完全分離。

    設(shè)磁感應(yīng)強度大小可調(diào),GA邊長為定值L,狹縫寬度為d,狹縫右邊緣在A處;離子可以從狹縫各處射入磁場,入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場。為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分離,求狹縫的最大寬度。

 

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科目:高中物理 來源: 題型:

利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學(xué)分析和原子核技術(shù)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用。

如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫。離子源產(chǎn)生的離子,經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應(yīng)的收集器收集。整個裝置內(nèi)部為真空。

已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1m2(m1>m2),電荷量均為q。加速電場的電勢差為U,離子進入電場時的初速度可以忽略。不計重力,也不考慮離子間的相互作用。

(1)求質(zhì)量為m1的離子進入磁場時的速率v1;

(2)當(dāng)磁感應(yīng)強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距s;

(3)在前面的討論中忽略了狹縫寬度的影響,實際裝置中狹縫具有一定寬度。若狹縫過寬,

可能使兩束離子在GA邊上的落點區(qū)域交疊,導(dǎo)致兩種離子無法完全分離。

設(shè)磁感應(yīng)強度大小可調(diào),GA邊長為定值L,狹縫寬度為d,狹縫右邊緣在A處。離子可以從狹縫各處射入磁場,入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場。為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分離,求狹縫的最大寬度。

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科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年河北省唐山市豐南一中高三(上)周考物理試卷(四)(解析版) 題型:解答題

利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學(xué)分析和原子核技術(shù)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用.如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫.離子源產(chǎn)生的離子,經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應(yīng)的收集器收集.整個裝置內(nèi)部為真空.已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2(m1>m2),電荷量均為q.加速電場的電勢差為U,離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力,也不考慮離子間的相互作用.
(1)求質(zhì)量為m1的離子進入磁場時的速率v1;
(2)當(dāng)磁感應(yīng)強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距s;
(3)在前面的討論中忽略了狹縫寬度的影響,實際裝置中狹縫具有一定寬度.若狹縫過寬,可能使兩束離子在GA邊上的落點區(qū)域交疊,導(dǎo)致兩種離子無法完全分離.設(shè)磁感應(yīng)強度大小可調(diào),GA邊長為定值L,狹縫寬度為d,狹縫右邊緣在A處.離子可以從狹縫各處射入磁場,入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場.為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分離,求狹縫的最大寬度.

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科目:高中物理 來源:2011年北京市高考物理試卷(解析版) 題型:解答題

利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學(xué)分析和原子核技術(shù)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用.如圖所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫.離子源產(chǎn)生的離子,經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應(yīng)的收集器收集.整個裝置內(nèi)部為真空.已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2(m1>m2),電荷量均為q.加速電場的電勢差為U,離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力,也不考慮離子間的相互作用.
(1)求質(zhì)量為m1的離子進入磁場時的速率v1;
(2)當(dāng)磁感應(yīng)強度的大小為B時,求兩種離子在GA邊落點的間距s;
(3)在前面的討論中忽略了狹縫寬度的影響,實際裝置中狹縫具有一定寬度.若狹縫過寬,可能使兩束離子在GA邊上的落點區(qū)域交疊,導(dǎo)致兩種離子無法完全分離.設(shè)磁感應(yīng)強度大小可調(diào),GA邊長為定值L,狹縫寬度為d,狹縫右邊緣在A處.離子可以從狹縫各處射入磁場,入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場.為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分離,求狹縫的最大寬度.

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