如圖4所示，兩平行金屬板間有一勻強電場，板長為L，板間距離為d，在板右端L處有一豎直放置的光屏M，一帶電荷量為q，質(zhì)量為m的質(zhì)點從兩板中央射入板間，最后垂直打在M屏上，則下列結(jié)論正確的是(　　)

圖4

A．板間電場強度大小為mg/q

B．板間電場強度大小為mg/2q

C．質(zhì)點在板間的運動時間和它從板的右端運動到光屏的時間相等

 D．質(zhì)點在板間的運動時間大于它從板的右端運動到光屏的時間


C　根據(jù)質(zhì)點垂直打在M屏上可知，質(zhì)點在兩板中央運動時向上偏轉(zhuǎn)，在板右端運動時向下偏轉(zhuǎn)，mg<qE，選項A、B錯誤；根據(jù)運動的分解和合成，質(zhì)點沿水平方向做勻速直線運動，質(zhì)點在板間的運動時間和它從板的右端運動到光屏的時間相等，選項C正確D錯誤。


練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中物理 來源： 題型：


放在粗糙水平面上的物體受到水平拉力的作用，在0～6 s內(nèi)其速度與時間圖像和該拉力的功率與時間圖像分別如圖3所示，下列說法正確的是(　　)

圖3

A．0～6 s內(nèi)物體位移大小為36 m

B．0～6 s內(nèi)拉力做的功為30 J

C．合外力在0～6 s內(nèi)做的功與0～2 s內(nèi)做的功相等

D．滑動摩擦力大小為5 N

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科目：高中物理 來源： 題型：


如圖11所示，水平桌面上的輕質(zhì)彈簧一端固定，另一端與小物塊相連。彈簧處于自然長度時物塊位于O點(圖中未標出)。物塊的質(zhì)量為m，AB＝a，物塊與桌面間的動摩擦因數(shù)為μ�，F(xiàn)用水平向右的力將物塊從O點拉至A點，拉力做的功為W。撤去拉力后物塊由靜止向左運動，經(jīng)O點到達B點時速度為零。重力加速度為g。則上述過程中(　　)

圖11

A．物塊在A點時，彈簧的彈性勢能等于W－μmga

B．物塊在B點時，彈簧的彈性勢能小于W－μmga

C．經(jīng)O點時，物塊的動能小于W－μmga

D．物塊動能最大時彈簧的彈性勢能小于物塊在B點時彈簧的彈性勢能

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科目：高中物理 來源： 題型：


如圖3所示，有四個等量異種電荷，放在正方形的四個頂點處。A、B、C、D為正方形四個邊的中點，O為正方形的中心，下列說法中正確的是(　　)

圖3

A．A、B、C、D四個點的電場強度相同

B．O點電場強度等于零

C．將一帶正電的試探電荷勻速從B點沿直線移動到D點，電場力做功為零

D．將一帶正電的試探電荷勻速從A點沿直線移動到C點，試探電荷具有的電勢能增大

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科目：高中物理 來源： 題型：


A、B是一條電場線上的兩點，若在A點釋放一初速度為零的電子，電子僅在電場力作用下沿電場線從A運動到B，其電勢能Ep隨位移s變化的規(guī)律如圖10所示。設(shè)A、B兩點的電場強度分別為EA和EB，電勢分別為φA和φB。則(　　)

圖10

A．EA＝EB　　　　　　　　    　B．EA<EB

C．φA>φB       D．φA<φB

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科目：高中物理 來源： 題型：


如圖9所示，平行板電容器AB兩極板水平放置，A在上方，B在下方，現(xiàn)將其和二極管串聯(lián)接在電源上，已知A和電源正極相連，二極管具有單向?qū)щ娦裕粠щ娦∏蜓?i>AB中心水平射入，打在B極板上的N點，小球的重力不能忽略，現(xiàn)通過上下移動A板來改變兩極板AB間距(兩極板仍平行)，則下列說法正確的是(　　)

圖9

A．若小球帶正電，當AB間距增大時，小球打在N的右側(cè)

B．若小球帶正電，當AB間距減小時，小球打在N的左側(cè)

C．若小球帶負電，當AB間距減小時，小球可能打在N的右側(cè)

D．若小球帶負電，當AB間距增大時，小球可能打在N的左側(cè)

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關(guān)于安培力和洛倫茲力的異同，下列說法中正確的是（　�。�

　

A．

兩種力本質(zhì)上都是磁場對運動電荷的作用

　

B．

洛倫茲力與帶電粒子的運動方向有關(guān)，安培力與自由電荷定向移動的方向無關(guān)

　

C．

兩種力的方向均可用右手定則判斷

　

D．

安培力、洛倫茲力都一定不做功

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科目：高中物理 來源： 題型：


約里奧•居里夫婦由于在1934年發(fā)現(xiàn)了放射性同位素而獲得了1935年諾貝爾獎金，約里奧•居里夫婦發(fā)現(xiàn)放射性同位素和正電子的核反應(yīng)方程是Al+He→P+n，P→Si+e，則以下判斷中正確的是（　　）

　

A．

P是由Si和e組成的

　

B．

e是P內(nèi)的質(zhì)子轉(zhuǎn)化為中子時產(chǎn)生的

　

C．

e是P內(nèi)的中子轉(zhuǎn)化為質(zhì)子時產(chǎn)生的

　

D．

P原子核的質(zhì)量為mP、Si原子核的質(zhì)量為mS，e的質(zhì)量為m0，則P衰變成Si的過程中釋放的核能為（mP﹣mSi﹣m0）c2

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科目：高中物理 來源： 題型：


如圖所示，在x軸上方有一豎直向下的勻強電場區(qū)域，電場強度為E=500V/m。x軸下方分布有很多磁感應(yīng)強度為B=1T的條形勻強磁場區(qū)域，其寬度均為d1=3cm，相鄰兩磁場區(qū)域的間距為d2=4cm�，F(xiàn)將一質(zhì)量為m=5×10-13kg、電荷量為g=1×10-8C的帶正電的粒子（不計重力）從y軸上的某處靜止釋放，則：

（1）若粒子從坐標（0，h1）點由靜止釋放，要使它經(jīng)過x軸下方時，不會進入第二磁場區(qū)，h1應(yīng)滿足什么條件?

（2）若粒子從坐標（0，5cm）點由靜止釋放，求自釋放到第二次過x軸的時間（π取3.14）。

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