分析 根據(jù)勻變速直線運(yùn)動(dòng)的位移時(shí)間公式求出運(yùn)動(dòng)員下滑的加速度大小,結(jié)合速度時(shí)間公式求出運(yùn)動(dòng)員到達(dá)坡底的速度大小.根據(jù)牛頓第二定律求出運(yùn)動(dòng)員受到的阻力大。
解答 解:(1)根據(jù)位移時(shí)間公式得:
$x=\frac{1}{2}a{t^2}$,
所以有:$a=\frac{2x}{{t}^{2}}=\frac{2×50}{100}m/{s}^{2}=1m/{s}^{2}$.
(2)運(yùn)動(dòng)員到達(dá)坡底的速度為:
v=at=1×10m/s=10m/s
(3)根據(jù)牛頓第二定律得:
mgsinθ-f=ma
代入數(shù)據(jù)解得:f=320N.
答:(1)運(yùn)動(dòng)員下滑過程中的加速度大小為1m/s2;
(2)運(yùn)動(dòng)員到達(dá)坡底時(shí)的速度大小為10m/s;
(3)運(yùn)動(dòng)員受到的阻力大小為320N.
點(diǎn)評 本題考查了牛頓第二定律和運(yùn)動(dòng)學(xué)公式的基本運(yùn)用,知道加速度是聯(lián)系力學(xué)和運(yùn)動(dòng)學(xué)的橋梁,基礎(chǔ)題.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 在A和C時(shí)刻線圈處于磁通量變化率最大位置 | |
B. | 在A和C時(shí)刻穿過線圈的磁通量為最大 | |
C. | 在B時(shí)刻到D時(shí)刻線圈轉(zhuǎn)過的角度為π弧度 | |
D. | 若從B時(shí)刻到D時(shí)刻經(jīng)過0.01s,則在1s內(nèi)交變電流的方向改變100次 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 一價(jià)離子打到屏上的速度比二價(jià)離子速度大 | |
B. | 離子經(jīng)過加速電場時(shí),一價(jià)離子所受電場力沖量小 | |
C. | 從離開偏轉(zhuǎn)電場時(shí)開始計(jì)時(shí),則二價(jià)離子到達(dá)屏上所用的時(shí)間較長 | |
D. | 兩種離子打到屏上的位置到屏上中心點(diǎn)O的距離不相等 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 絕緣導(dǎo)體上A、B兩點(diǎn)的電勢相等,且都高于大地的電勢 | |
B. | 絕緣導(dǎo)體上的感應(yīng)電荷在導(dǎo)體內(nèi)部一點(diǎn)D產(chǎn)生的場強(qiáng)大于點(diǎn)電荷C在D點(diǎn)產(chǎn)生場強(qiáng)的大小 | |
C. | 有電場線終止在絕緣導(dǎo)體的表面上,且與導(dǎo)體表面垂直 | |
D. | 用手接觸A后,放開手和移除C,導(dǎo)體帶正點(diǎn) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 4個(gè) | B. | 5個(gè) | C. | 6個(gè) | D. | 7個(gè) |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 在b飛離電場的同時(shí),a剛好打在負(fù)極板上 | |
B. | b和c同時(shí)飛離電場 | |
C. | 進(jìn)入電場時(shí),c的速度最小,a的速度最大 | |
D. | 動(dòng)能的增量相比,c的最小,a和b一樣大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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