在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極E、F、M、N,它就形成了一個(gè)霍爾元件,如圖所示,在E、F間通入恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B,則薄片中的自由電荷就在洛倫茲力的作用下向著與電流和磁場(chǎng)都垂直的方向漂移,使M、N間出現(xiàn)了電壓.設(shè)薄片中的自由電荷為正電荷.下列說(shuō)法正確的是(  )
分析:(1)根據(jù)左手定則判斷電子的偏轉(zhuǎn)方向,從而確定出電勢(shì)的高低.
(2)根據(jù)電子受電場(chǎng)力和洛倫茲力平衡,結(jié)合電流的微觀表達(dá)式證明UH=K
IB
d
解答:解:A、B:根據(jù)左手定則,電流的方向向里,自由電荷受力的方向指向N端,向N端偏轉(zhuǎn),則N點(diǎn)電勢(shì)高.故A錯(cuò)誤,B正確;
C:設(shè)左右兩個(gè)表面相距為d,電子所受的電場(chǎng)力等于洛侖茲力,即:
eUH
d
=evB
                ①
設(shè)材料單位體積內(nèi)電子的個(gè)數(shù)為n,材料截面積為s,則
I=nesv                       ②
s=dL               ③
由①②③得:UH=
BI
ned
       
k=
1
ne
,則   UH=
BI
ned
=k?
BI
d
  ④
所以若保持電流I恒定,則M、N間的電壓與磁感慮強(qiáng)度B成正比.故C正確;
D、在公式④中,如測(cè)得了k與d,通上電流I,測(cè)量出霍爾電壓,即可計(jì)算出磁感應(yīng)強(qiáng)度.故D正確.
故選:BCD
點(diǎn)評(píng):解決本題的關(guān)鍵掌握左手定則判斷洛倫茲力的方向,以及知道最終電子在電場(chǎng)力和洛倫茲力作用下平衡.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2009?鹽城模擬)在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極E、F、M、N,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在E、F間通入恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱(chēng)為霍爾電壓.
(1)電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢(shì)較高?
(2)試證明:UH=K
IBd
,K為與材料有關(guān)的常量.
(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極E、F、M、N,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在EF間通入恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH ,稱(chēng)為霍爾電壓。

(1)電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢(shì)較高?

(2)試證明: ,K為與材料有關(guān)的常量。

(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(19分)在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極E、F、M、N,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在E、F間通人恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱(chēng)為霍爾電壓。

(1)電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢(shì)較高?

(2)試證明: ,K為與材料有關(guān)的常量。

(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?[

 

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(19分)在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極E、F、M、N,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在EF間通人恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱(chēng)為霍爾電壓。

(1)電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢(shì)較高?

(2)試證明: K為與材料有關(guān)的常量。

(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?[

 

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