在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極E、F、M、N,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在E、F間通入恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH ,稱為霍爾電壓。
(1)電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢(shì)較高?
(2)試證明: ,K為與材料有關(guān)的常量。
(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?
(1)M點(diǎn)電勢(shì)高 ①
(2)設(shè)前后兩個(gè)表面相距為L(zhǎng),電子所受的電場(chǎng)力等于洛侖茲力
②
設(shè)材料單位體積內(nèi)電子的個(gè)數(shù)為n,材料截面積為s
③
s=dL 、
由②③④得:
⑤
令,則 ⑥
(3) 增大電流I、減小厚度d 和減小截流子的密度
(1)M點(diǎn)電勢(shì)高 ①
(2)設(shè)前后兩個(gè)表面相距為L(zhǎng),電子所受的電場(chǎng)力等于洛侖茲力
②
設(shè)材料單位體積內(nèi)電子的個(gè)數(shù)為n,材料截面積為s
③
s=dL ④
由②③④得:
⑤
令,則 ⑥
(3) 增大電流I、減小厚度d 和減小截流子的密度
年級(jí) | 高中課程 | 年級(jí) | 初中課程 |
高一 | 高一免費(fèi)課程推薦! | 初一 | 初一免費(fèi)課程推薦! |
高二 | 高二免費(fèi)課程推薦! | 初二 | 初二免費(fèi)課程推薦! |
高三 | 高三免費(fèi)課程推薦! | 初三 | 初三免費(fèi)課程推薦! |
科目:高中物理 來源: 題型:
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:
IB | d |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:
(19分)在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極E、F、M、N,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在E、F間通人恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓。
(1)電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢(shì)較高?
(2)試證明: ,K為與材料有關(guān)的常量。
(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?[
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源:福建省寧德三縣市2010屆高三第二次聯(lián)考(理綜)物理部分 題型:計(jì)算題
(19分)在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極E、F、M、N,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在E、F間通人恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓。
(1)電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢(shì)較高?
(2)試證明: ,K為與材料有關(guān)的常量。
(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?[
查看答案和解析>>
百度致信 - 練習(xí)冊(cè)列表 - 試題列表
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺(tái) | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com