（3）設(shè)打在金箔上d端離cd中心最遠(yuǎn)的粒子沿直線穿出金箔進(jìn)入電場(chǎng)，在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)通過N點(diǎn)，SN⊥ab且SN=40cm，則此粒子從金箔上穿出時(shí)，損失的動(dòng)能為多少？

     江蘇省揚(yáng)州中學(xué)2009屆高三5月模擬考試

（2）金箔cd被粒子射中區(qū)域的長度L；

（1）粒子在磁場(chǎng)中作圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R；

15．（17分）如圖所示，真空室內(nèi)存在寬度為d=8cm的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.332T，磁場(chǎng)方向垂直于紙面向里；ab、cd足夠長，cd為厚度不計(jì)的金箔，金箔右側(cè)有一勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域，電場(chǎng)強(qiáng)度E=3.32×10⁵N/C，方向與金箔成37°角。緊挨邊界ab放一點(diǎn)狀粒子放射源S，可沿紙面向各個(gè)方向均勻放射初速率相同的粒子，已知：m₀=6.64×10^-27kg，q₀=3.2×10^-19C，初速率v=3.2×10⁶m/s。（sin37°=0.6，cos37°=0.8）求：

已知cd棒的質(zhì)量為m、電阻為R，ab棒的質(zhì)量、阻值均未知，區(qū)域Ⅱ沿斜面的長度為2l，在t=t_x時(shí)刻（t_x未知）ab棒恰進(jìn)入?yún)^(qū)域Ⅱ，重力加速度為g。求：

（1）通過cd棒電流的方向和區(qū)域I內(nèi)磁場(chǎng)的方向；

（2）當(dāng)ab棒在區(qū)域Ⅱ內(nèi)運(yùn)動(dòng)時(shí)cd棒消耗的電功率；

（3）ab棒開始下滑的位置離EF的距離；

（4）ab棒從開始下滑至EF的過程中回路中產(chǎn)生的熱量。

14．（16分）如圖（a）所示，間距為l、電阻不計(jì)的光滑導(dǎo)軌固定在傾角為θ的斜面上。在區(qū)域I內(nèi)有方向垂直于斜面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B；在區(qū)域Ⅱ內(nèi)有垂直于斜面向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，其磁感應(yīng)強(qiáng)度B_t的大小隨時(shí)間t變化的規(guī)律如圖（b）所示。t =0時(shí)刻在軌道上端的金屬細(xì)棒ab從如圖位置由靜止開始沿導(dǎo)軌下滑，同時(shí)下端的另一金屬細(xì)棒cd在位于區(qū)域I內(nèi)的導(dǎo)軌上由靜止釋放。在ab棒運(yùn)動(dòng)到區(qū)域Ⅱ的下邊界EF處之前，cd棒始終靜止不動(dòng)，兩棒均與導(dǎo)軌接觸良好。

（3）在第（2）問情況下，求物塊在皮帶上運(yùn)動(dòng)的整個(gè)過程中摩擦力對(duì)物塊做的功和生的熱。

（1）物塊在皮帶上運(yùn)動(dòng)的整個(gè)過程中，摩擦力對(duì)物塊做的功及生的熱；

（2）若小物塊以水平速度v垂直于皮帶邊緣滑上皮帶（如圖所示），試分析說明物塊相對(duì)于皮帶上做什么運(yùn)動(dòng)，并求物塊運(yùn)動(dòng)過程中相對(duì)于地的速度最小值。

13．（16分）如圖所示，水平傳送帶的皮帶以恒定的速度v運(yùn)動(dòng)，一個(gè)質(zhì)量為m小物塊以一定的水平初速度v平行于皮帶邊緣滑上皮帶，假設(shè)皮帶足夠大，物塊與皮帶間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ。求：

（3）（4分）如圖所示，在水平光滑直導(dǎo)軌上，靜止著三個(gè)質(zhì)量均為m=2kg的相同小球、、，現(xiàn)讓球以v₀=2m/s的速度向著球運(yùn)動(dòng)，、兩球碰撞后黏合在一起，兩球繼續(xù)向右運(yùn)動(dòng)并跟球碰撞，球的最終速度v_c=1m/s，、兩球跟球相碰前的共同速度多大？