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邊長為a的正方形導(dǎo)線框在光滑水平面上以初速度v₀進(jìn)入有界磁場，勻強(qiáng)磁場的寬度L＞a，如圖所示，則線框進(jìn)入該磁場后的感應(yīng)電流隨時(shí)間變化的i-t圖象不可能是圖（b）中的（　　）

A．

B．

C．

D．

相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

A、

B、

C、

D、

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科目：高中物理 來源：2013年上海市閔行區(qū)高考物理一模試卷（解析版） 題型：選擇題

邊長為a的正方形導(dǎo)線框在光滑水平面上以初速度v進(jìn)入有界磁場，勻強(qiáng)磁場的寬度L＞a，如圖所示，則線框進(jìn)入該磁場后的感應(yīng)電流隨時(shí)間變化的i-t圖象不可能是圖（b）中的（）

A．

B．

C．

D．

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科目：高中物理 來源：閔行區(qū)一模 題型：單選題

邊長為a的正方形導(dǎo)線框在光滑水平面上以初速度v₀進(jìn)入有界磁場，勻強(qiáng)磁場的寬度L＞a，如圖所示，則線框進(jìn)入該磁場后的感應(yīng)電流隨時(shí)間變化的i-t圖象不可能是圖（b）中的（　�。�

A．

B．

C．

D．

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科目：高中物理 來源：上海市閔行區(qū)2013年高考一模物理試題 題型：013

邊長為a的正方形導(dǎo)線框在光滑水平面上以初速度v₀進(jìn)入有界磁場，勻強(qiáng)磁場的寬度L＞a，如圖所示，則線框進(jìn)入該磁場后的感應(yīng)電流隨時(shí)間變化的i－t圖像不可能是

[　　]

A．

B．

C．

D．

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科目：高中物理 來源：北京市師大附中2011－2012學(xué)年高二下學(xué)期期中考試物理理科試題 題型：013

邊長為L的正方形導(dǎo)線框在水平拉力F作用下，沿光滑絕緣水平面向右勻速運(yùn)動(dòng)，穿越如圖所示的有理想邊界的勻強(qiáng)磁場區(qū)(圖為俯視圖)，磁場區(qū)由寬均為L的兩部分組成，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小相同，方向相反，都垂直于水平面．若線框進(jìn)入左邊磁場區(qū)過程水平拉力做的功是W，那么線框穿越整個(gè)磁場區(qū)的全過程拉力F做的功是

[　　]

A．3 W

B．4 W

C．5 W

D．6 W

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科目：高中物理 來源： 題型：

一個(gè)邊長為L的正方形導(dǎo)線框在傾角為θ的光滑固定斜面上由靜止開始沿斜面下滑，隨后進(jìn)入虛線下方方向垂直于斜面的勻強(qiáng)磁場中．如圖所示，磁場的上邊界線水平，線框的下邊ab邊始終水平，斜面以及下方的磁場往下方延伸到足夠遠(yuǎn)．下列推理、判斷正確的是（　　）

A．線框進(jìn)入磁場過程b點(diǎn)的電勢比a點(diǎn)高

B．線框進(jìn)入磁場過程一定是減速運(yùn)動(dòng)

C．線框中產(chǎn)生的焦耳熱一定等于線框減少的機(jī)械能

D．線框從不同高度下滑時(shí)，進(jìn)入磁場過程中通過線框?qū)Ь€橫截面的電量一樣

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科目：高中物理 來源： 題型：

一個(gè)邊長為L的正方形導(dǎo)線框在傾角為θ的光滑固定斜面上由靜止開始沿斜面下滑，隨后進(jìn)入虛線下方方向垂直于斜面的勻強(qiáng)磁場中．如圖所示，磁場的上邊界線水平，線框的下邊ab邊始終水平，斜面以及下方的磁場往下方延伸到足夠遠(yuǎn)．下列推理、判斷正確的是：（　�。�

A、線框進(jìn)入磁場過程b點(diǎn)的電勢比a點(diǎn)高

B、線框進(jìn)入磁場過程一定是減速運(yùn)動(dòng)

C、線框中產(chǎn)生的焦耳熱一定等于線框減少的機(jī)械能

D、線框從不同高度下滑時(shí)，進(jìn)入磁場過程中通過線框?qū)Ь€橫截面的電量不同

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科目：高中物理 來源：2012年湖南省長、望、瀏、寧高三3月一模聯(lián)考物理卷 題型：選擇題

一個(gè)邊長為L的正方形導(dǎo)線框在傾角為θ的光滑固定斜面上由靜止開始沿斜面下滑，隨后進(jìn)入虛線下方方向垂直于斜面的勻強(qiáng)磁場中。如圖所示，磁場的上邊界線水平，線框的下邊ab邊始終水平，斜面以及下方的磁場往下方延伸到足夠遠(yuǎn)。下列推理、判斷正確的是：