Question

10．下列各組物質(zhì)中，從左到右熔點(diǎn)由高到低的是（　　）

• A． HBr、HCl、HF
• B． CO₂、NaCl、SiO₂
• C． I₂、CO₂、Hg
• D． Li、Na、K

Answer 1

分析 一般情況下，不同類型的晶體，熔點(diǎn)：原子晶體＞離子晶體＞金屬晶體＞分子晶體；同種類型的晶體可根據(jù)影響晶體的因素分析．
原子晶體中，晶體的熔點(diǎn)與鍵長(zhǎng)成反比，鍵長(zhǎng)越長(zhǎng)，晶體的熔點(diǎn)越低；
離子晶體中，結(jié)構(gòu)相似的離子晶體，離子半徑越小，晶格能越大，熔點(diǎn)越高；
金屬晶體中，原子半徑依次越小，金屬離子電荷越多，金屬鍵就越強(qiáng)強(qiáng)，則熔點(diǎn)就越高；
分子晶體中，結(jié)構(gòu)相似，分子量越大，熔沸點(diǎn)越高，含有氫鍵的物質(zhì)熔沸點(diǎn)較高．

解答 解：A．氫化物的熔沸點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量成正比，含有氫鍵的氫化物熔沸點(diǎn)較高，HF中含有氫鍵，熔沸點(diǎn)最高，所以這幾種物質(zhì)熔沸點(diǎn)由高到低順序是HF、HBr、HCl，故A錯(cuò)誤；B．一般來說，晶體熔沸點(diǎn)：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體，SiO₂、NaCl、CO₂分別是原子晶體、離子晶體、分子晶體，所以熔沸點(diǎn)由高到低順序是SiO₂、NaCl、CO₂，故B錯(cuò)誤；
C．CO₂常溫下為氣體，I₂常溫下為固體，Hg常溫下為液體，則熔點(diǎn)：I₂＞Hg＞CO₂，故C錯(cuò)誤；
D．金屬晶體與金屬鍵有關(guān)，金屬鍵與原子半徑成反比、與電荷成正比，原子半徑由小到大順序是Li、Na、K，金屬陽離子所帶電荷相同，所以單質(zhì)熔沸點(diǎn)由高到低順序是Li、Na、K，故D正確；
故選D．

點(diǎn)評(píng) 本題考查晶體的熔沸點(diǎn)高低的比較，題目難度不大，注意影響晶體熔沸點(diǎn)高低的因素，學(xué)習(xí)中注意相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)的積累，也可以依據(jù)物質(zhì)在常溫下的狀態(tài)來比較如C選項(xiàng)．