Question

18．A、B、C、D為前四周期元素．A元素的原子價(jià)電子排布為ns²np²，B元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，C元素原子的M電子層的P亞層中有3個(gè)未成對(duì)電 子，D元素原子核外的M層中只有2對(duì)成對(duì)電子．
（1）當(dāng)n=2時(shí)，AB₂屬于非極性分子（填“極性”或“非極性”），分子中有2個(gè)σ 鍵，2個(gè)π鍵．
（2）當(dāng)n=3時(shí)，A與B形成的晶體屬于原子晶體．
（3）若A元素的原子價(jià)電子排布為3s²3p²，A、C、D三種元素的第一電離能由大到小的順序是P＞S＞Si（用元素符號(hào)表示）
（4）已知某紅紫色絡(luò)合物的組成為CoCl₃•5NH₃•H₂O．該絡(luò)合物中的中心離子鈷離子在基態(tài)時(shí)核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁶ （或[Ar]3d⁶），作為配位體之一的NH₃分子的空間構(gòu)型為三角錐形．

Answer 1

分析 A，B，C，D均為前四周期元素，A元素的原子價(jià)電子排布為ns²np²，A為第IVA族元素；B元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，B為O元素；
C元素原子的M電子層的P亞層中有3個(gè)未成對(duì)電子，則C原子的最外層電子排布式為3s²3p³，所以C為P元素；
D元素原子核外的M層中只有2對(duì)成對(duì)電子，則D原子的最外層電子排布式為3s²3p⁴，所以D為S元素．
（1）當(dāng)n=2時(shí)，A為C元素，則AB₂為CO₂，根據(jù)分子的結(jié)構(gòu)式分析；
（2）當(dāng)n=3時(shí)，A為Si元素，A與B形成的是SiO₂；
（3）若A元素的原子價(jià)電子排布為3s²3p²，A為Si元素，同一周期元素，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)增大而增大，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，據(jù)此判斷第一電離能大小順序；
（4）Co原子序數(shù)為27，CoCl₃•5NH₃•H₂O中的中心離子鈷離子的帶3個(gè)正電荷，以此來(lái)書寫離子的電子排布式，NH₃價(jià)層電子對(duì)為4，有一個(gè)孤電子對(duì)，結(jié)構(gòu)為三角錐形．

解答 解：A，B，C，D均為前四周期元素，A元素的原子價(jià)電子排布為ns²np²，A為第IVA族元素；B元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，B為O元素；
C元素原子的M電子層的P亞層中有3個(gè)未成對(duì)電子，則C原子的最外層電子排布式為3s²3p³，所以C為P元素；
D元素原子核外的M層中只有2對(duì)成對(duì)電子，則D原子的最外層電子排布式為3s²3p⁴，所以D為S元素；
（1）當(dāng)n=2時(shí)，A是C元素，則AB₂是CO₂，二氧化碳是直線型結(jié)構(gòu)，正負(fù)電荷重心重合，所以是非極性分子，CO₂分子的結(jié)構(gòu)式為O=C=O，則分子中有2個(gè)σ 鍵，2個(gè)π鍵，
故答案為：非極性；2、2；
（2）當(dāng)n=3時(shí)，A是Si元素，硅和氧形成的晶體是二氧化硅晶體，二氧化硅晶體是由原子構(gòu)成的，屬于原子晶體，
故答案為：原子；
（3）若A元素的原子價(jià)電子排布為3s²3p²，則A是Si元素，同一周期中，原子的電負(fù)性隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢(shì)，但第VA族元素大于第VIA族元素，所以A、C、D三種元素的第一電離能由大到小的順序P＞S＞Si，
故答案為：P＞S＞Si；
（4）鈷離子的化合價(jià)是+3價(jià)，鈷離子核外有24個(gè)電子，其基態(tài)時(shí)核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁶，NH₃分子中N原子以sp³雜化，空間構(gòu)型為三角錐或四面體，
故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁶ （或[Ar]3d⁶）；三角錐形．

點(diǎn)評(píng) 本題考查了元素的推斷、電離能大小的判斷、核外電子排布式的書寫等，題目難度中等，注意書寫基態(tài)原子核外電子排布式時(shí)要根據(jù)構(gòu)造原理，側(cè)重于考查學(xué)生對(duì)基礎(chǔ)知識(shí)的應(yīng)用能力．