分析 (1)氮族元素的外圍電子為其最外層上s、p能級(jí)電子;基態(tài)磷原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為M,該能層有1個(gè)s軌道、3個(gè)p軌道、5個(gè)d軌道;
(2)PH3分子中P原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4且含有一個(gè)孤電子對(duì),根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷該分子的VSEPR模型,成鍵電子對(duì)和孤電子對(duì)之間的排斥力小于孤電子對(duì)之間的排斥力,據(jù)此判斷鍵角;
(3)氮的最高價(jià)氧化物為N2O5,由兩種離子構(gòu)成,其中陰離子構(gòu)型為平面正三角形,化學(xué)式應(yīng)為NO3-,則其陽(yáng)離子的化學(xué)式為:NO2+,其中心原子價(jià)電子對(duì)數(shù)為 2+$\frac{5-1-2×2}{2}$=2,根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷原子雜化方式;
(4)①分子晶體中含有氫鍵的物質(zhì)熔沸點(diǎn)較高;
②NF3中N-F成鍵電子對(duì)偏向于F原子,N原子上的孤對(duì)電子難與銅離子形成配離子;
(5)磷化硼結(jié)構(gòu)如圖所示,該晶胞中B原子為4個(gè)、P原子個(gè)數(shù)=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,每個(gè)B原子連接4個(gè)P原子,則硼原子的配位數(shù)為4;晶體中硼原子和磷原子的核間距(dB-P)等該晶胞體對(duì)角線的 $\frac{1}{4}$,據(jù)此計(jì)算.
解答 解:(1)氮族元素的外圍電子為其最外層上s、p能級(jí)電子,則氮族元素外圍電子排布式為ns2np3;基態(tài)磷原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為M,該能層有1個(gè)s軌道、3個(gè)p軌道、5個(gè)d軌道,所以有9個(gè)軌道,
故答案為:ns2np3;M;9;
(2)PH3分子中P原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4且含有一個(gè)孤電子對(duì),根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷該分子的VSEPR模型為四面體形,成鍵電子對(duì)和孤電子對(duì)之間的排斥力小于孤電子對(duì)之間的排斥力,氨氣分子中只含一個(gè)孤電子對(duì)、水分子中含有兩個(gè)孤電子對(duì),所以鍵角,
故答案為:四面體形;>;
(3)氮的最高價(jià)氧化物為N2O5,由兩種離子構(gòu)成,其中陰離子構(gòu)型為平面正三角形,化學(xué)式應(yīng)為NO3-,則其陽(yáng)離子的化學(xué)式為:NO2+,其中心原子價(jià)電子對(duì)數(shù)為2+$\frac{5-1-2×2}{2}$=2,根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷原子雜化方式為sp,
故答案為:sp雜化;
(4)①NH3存在氫鍵,而NF3只存在分子間作用力,兩種作用力前者較強(qiáng),物質(zhì)的沸點(diǎn)較高,
故答案為:NH3分子間存在較強(qiáng)的氫鍵,而NF3分子間僅有較弱的范德華力;
②F的電負(fù)性大于N元素,NF3中N-F成鍵電子對(duì)偏向于F原子,N原子上的孤對(duì)電子難與銅離子形成配離子,所以NF3不易與Cu2+形成配離子,
故答案為:F的電負(fù)性大于N元素,NF3中N-F成鍵電子對(duì)偏向于F原子,N原子上的孤對(duì)電子難與銅離子形成配離子;
(5)磷化硼結(jié)構(gòu)如圖所示,該晶胞中B原子為4個(gè)、P原子個(gè)數(shù)=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,每個(gè)B原子連接4個(gè)P原子,則硼原子的配位數(shù)為4;已知磷化硼的晶胞邊長(zhǎng)a=478pm,則晶胞的體對(duì)角線長(zhǎng)為$\sqrt{3}$a,晶體中硼原子和磷原子的核間距應(yīng)為體對(duì)角線的$\frac{1}{4}$,所以dB-P=$\frac{1}{4}$$\sqrt{3}$×478pm=207pm,
故答案為:4;207.
點(diǎn)評(píng) 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì),為高頻考點(diǎn),涉及晶胞計(jì)算、氫鍵、鍵角、微?臻g構(gòu)型、原子核外電子排布等知識(shí)點(diǎn),側(cè)重考查學(xué)生知識(shí)應(yīng)用、計(jì)算、空間想象能力,難點(diǎn)是晶胞計(jì)算,注意該晶胞中B-P原子核間距,題目難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 硅的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,常溫下不與任何物質(zhì)反應(yīng) | |
B. | 硅是構(gòu)成礦物和巖石的主要元素,硅元素在地殼中的含量居第一位 | |
C. | 硅在自然界中可以以游離態(tài)存在 | |
D. | 高純度的單質(zhì)硅被廣泛用于制作計(jì)算機(jī)芯片 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
I1/kJ•mol-1 | I2/kJ•mol-1 | I3/kJ•mol-1 | I4/kJ•mol-1 | I5/kJ•mol-1 |
738 | 1451 | 7733 | 10540 | 13630 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 3 mol/(L•s) | B. | 2mol/(L•s) | C. | 1.5 mol/(L•s) | D. | 0.5mol/(L•s) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 同一原子中,2p、3p、4p能級(jí)的軌道數(shù)依次增多 | |
B. | 電子排布式(22Ti)1s22s22p63s23p10違反了能量最低原則 | |
C. | 表示的原子能量處于最低狀態(tài) | |
D. | 正三價(jià)陽(yáng)離子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d5的元素在周期表中位于Ⅷ族 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
元素 | 相關(guān)信息 |
X | 其一種同位素,可被用作相對(duì)原子質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn) |
Y | 其最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物能與其氣態(tài)氫化物相互間發(fā)生化合反應(yīng) |
P | 是短周期中(除稀有氣體外)原子半徑最大的元素 |
Q | 存在質(zhì)量數(shù)為25,中子數(shù)為13的核素 |
W | 位于周期表第13列 |
R | 與Z同族,且最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的濃溶液常溫下與W單質(zhì)會(huì)出現(xiàn)鈍化現(xiàn)象 |
化合物 | X3Y4 | R2T2 |
晶體類型 | ||
熔點(diǎn)/℃ | >3600 | -76 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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