下列各組物質(zhì)的性質(zhì)比較中不正確的是（　�。�

下列有關(guān)說(shuō)法正確的是（　�。�

下列判斷正確的是（　　）

現(xiàn)有2mol/L稀硫酸30mL，往其中加入1.7gNaNO₃晶體，充分溶解，該混和液最多可溶解銅的物質(zhì)的量為（　　）

下列說(shuō)法中正確的是（　�。�

葡萄糖燃燒的熱化學(xué)反應(yīng)方程式：C₆H₁₂O₆（s）+6O₂（g）→6CO₂（g）+6H₂O（l）+2870kJ，此反應(yīng)說(shuō)明（　�。�

溶液中可能含有H⁺、NH₄⁺、Mg²⁺、Al³⁺、Fe³⁺、CO₃^2-、SO₄^2-、NO₃^-中的幾種．①加入鋁片，產(chǎn)生無(wú)色無(wú)味的氣體；②加入NaOH溶液，產(chǎn)生白色沉淀，且產(chǎn)生的沉淀量與加入NaOH的物質(zhì)的量之間的關(guān)系如圖所示．則下列說(shuō)法正確的是（　�。�

高純晶體硅是信息技術(shù)的關(guān)鍵材料．
（1）硅元素位于周期表的周期族，在周期表的以下區(qū)域中，可以找到類似硅的半導(dǎo)體材料的是（填字母序號(hào)）．
a．過(guò)渡元素區(qū)域
b．金屬和非金屬元素的分界線附近
c．含有氟、氯、硫、磷等元素的區(qū)域
（2）工業(yè)上用石英砂和焦炭可制得粗硅．
已知：（如圖1）

請(qǐng)將以下反應(yīng)的熱化學(xué)方程式補(bǔ)充完整：
SiO₂（s）+2C（s）═Si（s）+2CO（g）△H=
（3）粗硅經(jīng)系列反應(yīng)可生成硅烷（SiH₄），硅烷分解生成高純硅．已知硅烷的分解溫度遠(yuǎn)低于甲烷，用原子結(jié)構(gòu)解釋其原因：，Si元素的非金屬性弱于C元素，硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷．
（4）將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅（SiHCl₃），進(jìn)一步反應(yīng)也可制得高純硅．
①SiHCl₃中含有的SiCl4、AsCl₃等雜質(zhì)對(duì)晶體硅的質(zhì)量有影響．根據(jù)下表數(shù)據(jù)，可用 方法提純SiHCl₃．

物質(zhì)	SiHCl3	SiCl4	AsCl3
沸點(diǎn)/℃	32.0	57.5	131.6

②用SiHCl₃制備高純硅的反應(yīng)為 SiHCl₃ （g）+H₂（g） 

一定條件

 Si（s）+3HCl（g），不同溫度下，SiHCl₃的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應(yīng)物的投料比（反應(yīng)初始時(shí)，各反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比）的變化關(guān)系如圖2所示．下列說(shuō)法正確的是（填字母序號(hào)）．
a．該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大
b．橫坐標(biāo)表示的投料比應(yīng)該是

n(SiHCl3)

n(H2)

c．實(shí)際生產(chǎn)中為提高SiHCl₃的利用率，應(yīng)適當(dāng)升高溫度．

已知一種碳原子可用于測(cè)定文物的年代，該原子的原子核內(nèi)含有6個(gè)質(zhì)子和8個(gè)中子，則核外電子數(shù)為（　�。�

下列排列順序正確的是（　�。�
①熱穩(wěn)定性：HF＞H₂O＞NH₃       
②離子半徑：Na⁺＞Mg²⁺＞F^-
③電子數(shù)：H₂O＞OH^-＞-OH      
④結(jié)合質(zhì)子能力：OH^-＞C₆H₅O^-＞HCO₃^-
⑤分散系中分散質(zhì)粒子的直徑：Fe（OH）₃懸濁液＞Fe（OH）₃膠體＞FeCl₃溶液．