分析 (1)根據(jù)滑動(dòng)摩擦力公式求出第一薄片受第二薄片的摩擦力,當(dāng)拉力大于摩擦力時(shí),可以直接把A的最上方薄板水平拉出;
(2)根據(jù)滑動(dòng)摩擦力公式求出第100薄片上表面和下表面受到的摩擦力,根據(jù)牛頓第二定律求解;
(3)根據(jù)牛頓第二定律結(jié)合運(yùn)動(dòng)學(xué)基本公式列式求解即可.
解答 解:(1)第一薄片受第二薄片的摩擦力為:f0=μmg
F1-f0>0
代入數(shù)據(jù)解出:F1>0.09N
(2)第100薄片上表面受摩擦力為:f1=99μmg
下表面受摩擦力為:f2=100μmg
由牛頓第二定律,拉力F2應(yīng)滿足:F2-f1-f2>ma1
a1是與A分離時(shí)A剩余部分的加速度為:a1=μg,
代入數(shù)據(jù)解出:F2>18N
(3)第n薄片獲速度最小vn時(shí),各層面摩擦因數(shù)均為μ,其余薄片相對(duì)靜止.
A的剩余部分加速度為:${a}_{1}=\frac{μ(n-1)mg}{(n-1)m}=μg$
第n薄片的加速度為:${a}_{2}=\frac{nμmg+μ(n-1)mg}{m}=(2n-1)μg$,
A做勻加速運(yùn)動(dòng),第n薄片做勻減速運(yùn)動(dòng),速度相同時(shí)歷時(shí)為t,有:
vn-a2t=a1t
與A分離的條件是:${v}_{n}t-\frac{1}{2}{a}_{2}{t}^{2}≥\frac{1}{2}{a}_{1}{t}^{2}+L$
聯(lián)立求解得最小速度:${v}_{n}=2\sqrt{nLμg}$
同理得,第(n-1)薄片獲最小速度:${v}_{n-1}=2\sqrt{(n-1)Lμg}$
第(n-N) 薄片獲最小速度:${v}_{n-N}=2\sqrt{(n-N)Lμg}$
這樣擊打了99次,最后獲動(dòng)能之和最小值為:
${E}_{k}=\frac{1}{2}m({{v}_{n}}^{2}+{v}_{n-1}^{2}+…+{v}_{n-N}^{2})$
代入數(shù)據(jù)得:Ek=90.882J
答:(1)若用力F1直接把A的最上方薄板水平拉出,拉力F1的范圍為F1>0.09N;
(2)若用力F2直接把A的最下方薄板水平拉出,拉力F2的范圍為F2>18N;
(3)現(xiàn)在用硬質(zhì)薄尺快速擊打最下面一片薄板,僅使它立即獲得垂直于邊長方向的水平速度,導(dǎo)致與A分離,在A的剩余部分靜止后再按同樣的要求擊打第二次、第三次、…,直到各薄板全部分離為止,所有薄板獲得的最小總動(dòng)能之和是90.882J.
點(diǎn)評(píng) 本題主要考查了運(yùn)動(dòng)學(xué)基本公式、牛頓第二定律以及動(dòng)能表達(dá)式的直接應(yīng)用,要求同學(xué)們能正確對(duì)物體受力分析,知道A與剩余部分分離的條件,難度較大.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 10(3-$\sqrt{8}$)s | B. | $\sqrt{10}$s | C. | ($\sqrt{10}$-3)s | D. | 10$\sqrt{3}$s |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 場強(qiáng)的大小關(guān)系為Ea>Ec,Eb=Ed | |
B. | 電勢的大小關(guān)系為φa>φc,φb=φd | |
C. | 在AB連線上O點(diǎn)的場強(qiáng)最小 | |
D. | 將一正點(diǎn)電荷沿直線由b運(yùn)動(dòng)到d的過程中電勢能始終不變 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 庫侖最早引入了電場概念,并提出用電場線表示電場 | |
B. | 牛頓第一運(yùn)動(dòng)定律涉及了兩個(gè)重要的物理概念:力和慣性 | |
C. | 加速度a=$\frac{F}{m}$屬于比值法定義式 | |
D. | “如果電場線與等勢面不垂直,那么電場強(qiáng)度沿著等勢面方向就有一個(gè)分量,在等勢面上移動(dòng)電荷時(shí)靜電力就要做功”用的是歸納法 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 牛頓提出萬有引力定律的同時(shí)測定了引力常數(shù) | |
B. | 力是物理學(xué)中的一個(gè)基本概念,所以在國際單位制中力的單位屬于基本單位 | |
C. | 紫外線具有明顯的熱效應(yīng) | |
D. | 帶電體的形狀、大小對(duì)研究問題的影響可以忽略不計(jì),這樣的帶電體就是點(diǎn)電荷 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | EPA<EPB | B. | EPA>EPB | C. | ϕM>ϕN | D. | ϕM<ϕN |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
次數(shù) | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
U/V | 0.20 | 0.60 | 1.00 | 1.40 | 1.80 | 2.20 | 2.70 |
I/mA | 80 | 155 | 195 | 227 | 255 | 279 | 310 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | aA=aB=g | B. | aA=2g,aB=0 | C. | aA=$\sqrt{3}$g,aB=0 | D. | aA=2$\sqrt{3}$g,aB=0 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | v1<$\sqrt{2}$v2 | |
B. | v1>$\sqrt{2}$v2 | |
C. | 從N到Q的過程中,動(dòng)能與勢能相等的點(diǎn)在A點(diǎn)上方,從Q到N的過程中,動(dòng)能與勢能相等的點(diǎn)在A點(diǎn)下方 | |
D. | 從N到Q的過程中,動(dòng)能與勢能相等的點(diǎn)在A點(diǎn)下方,從Q到N的過程中,動(dòng)能與勢能相等的點(diǎn)在A點(diǎn)上方 |
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