A. | 正粒子在M點(diǎn)的速率比在Q點(diǎn)的大 | |
B. | 三點(diǎn)中,正粒子在N點(diǎn)的電勢(shì)能最大 | |
C. | 在點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)中,M點(diǎn)的電勢(shì)比Q點(diǎn)的低 | |
D. | 正粒子從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到Q點(diǎn),電場(chǎng)力對(duì)它做的總功為正功 |
分析 根據(jù)軌跡彎曲的方向,可以判定粒子所受的電場(chǎng)力方向;再根據(jù)電場(chǎng)力的方向,判定粒子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),電場(chǎng)力做功情況,即可判斷粒子動(dòng)能、電勢(shì)能的變化情況.
解答 解:A、根據(jù)粒子軌跡彎曲的方向,可知粒子受到的靜電力是排斥力,方向大體向上,沿O和粒子連線的方向向上,故從Q到N點(diǎn)的過程中電場(chǎng)力對(duì)粒子做負(fù)功,粒子的速度減小,從N到M的過程電中場(chǎng)力對(duì)粒子做正功,粒子的速度增大.由于Q點(diǎn)比M點(diǎn)離點(diǎn)電荷更遠(yuǎn),可知,從Q到M電場(chǎng)力對(duì)它做的總功是負(fù)功,所以動(dòng)能減小,速率減小,則粒子在M點(diǎn)的速率比在Q點(diǎn)的小,故A錯(cuò)誤.
B、由上分析知,粒子在Q點(diǎn)的速度最大,N點(diǎn)的速度最小,由于只有電場(chǎng)力做功,所以粒子在各點(diǎn)的動(dòng)能與電勢(shì)能之和保持不變.N點(diǎn)的速度最小,故電勢(shì)能最大,故B正確;
C、由于粒子與點(diǎn)電荷存在排斥力,所以點(diǎn)電荷帶正電,Q點(diǎn)比M點(diǎn)離點(diǎn)電荷更遠(yuǎn),則M點(diǎn)的電勢(shì)比Q點(diǎn)的高.故C錯(cuò)誤.
D、粒子受力的方向大體向上,故靠近O點(diǎn)的過程電場(chǎng)力做負(fù)功,遠(yuǎn)離的過程電場(chǎng)力做正功,故正粒子從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到Q點(diǎn),電場(chǎng)力對(duì)它做的總功為正功,故D正確.
故選:BD
點(diǎn)評(píng) 本題要求對(duì)于點(diǎn)電荷周圍的電場(chǎng)線分布要有明確的認(rèn)識(shí),點(diǎn)電荷周圍的電場(chǎng)線是放射狀的,正點(diǎn)電荷周圍的電場(chǎng)線是沿半徑方向向外的,負(fù)點(diǎn)電荷周圍電場(chǎng)線是沿半徑方向向里的;點(diǎn)電荷周圍的等勢(shì)面是一個(gè)個(gè)的同心球面.電場(chǎng)力做功與重力做功有共同的特點(diǎn),就是與路徑無關(guān),電場(chǎng)力做功與初末位置的電勢(shì)差有關(guān).
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科目:高中物理 來源:2016-2017學(xué)年安徽師大附中高一上學(xué)期期中考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
在離地高h(yuǎn)處,沿豎直方向同時(shí)向上和向下拋出兩個(gè)小球,它們的初速度大小均為v,不計(jì)空氣阻力,兩球落地的時(shí)間差為( )
A. B. C. D.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 勵(lì)磁線圈中的電流方向是順時(shí)針方向 | |
B. | 若只增大加速電壓,可以使電子流的圓形徑跡的半徑減小 | |
C. | 若只增大線圈中的電流,可以使電子流的圓形徑跡的半徑增大 | |
D. | 若兩線圈間的磁感應(yīng)強(qiáng)度已知,燈絲發(fā)出的電子的初速度為零,加速電壓為U,則可通過測(cè)量圓形徑跡的直徑來估算電子的比荷 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源:2017屆廣東省韶關(guān)市六校高三10月聯(lián)考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,在同一平臺(tái)上的O點(diǎn)水平拋出的三個(gè)物體,分別落到a、b、c三點(diǎn),則三個(gè)物體運(yùn)動(dòng)的初速度va,vb,vc的關(guān)系和三個(gè)物體運(yùn)動(dòng)的時(shí)間ta,tb,tc的關(guān)系分別是( )
A.va>vb>vc ta>tb>tc
B.va<vb<vc ta=tb=tc
C.va<vb<vc ta>tb>tc
D.va>vb>vc ta<tb<tc
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 線框在其dc邊進(jìn)入磁場(chǎng)到ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)的過程中,一定先做加速度逐漸減小,速度逐漸增大的直線運(yùn)動(dòng) | |
B. | 從線框開始下落到dc邊剛剛到達(dá)磁場(chǎng)下邊界的過程中,線框速度的最大值是2m/s | |
C. | 從線框開始下落到dc邊剛剛到達(dá)磁場(chǎng)下邊界的過程中,線框克服安培力做的總功是0.05J | |
D. | 從線框開始下落到dc邊剛剛到達(dá)磁場(chǎng)下邊界(未出下邊界)的過程中,線框所受安培力的最大值為1N |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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