在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上，制作四個(gè)電極E、F、M、N，它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖)，在E、F間通入恒定的電流I，同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B，在M、N間出現(xiàn)了電壓UH，稱為霍爾電壓．

(1)電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示，載流子是電子，M、N兩端中哪端電勢(shì)較高？

(2)試證明：，K為與材料有關(guān)的常量．

(3)為了提高霍爾元件的靈敏度，可采用哪些方法？

答案：
解析：

　　(1)M點(diǎn)電勢(shì)高　�、佟　�3分

　　(2)設(shè)前后兩個(gè)表面相距為L(zhǎng)，電子所受的電場(chǎng)力等于洛侖茲力

　　　　②　　2分

　　設(shè)材料單位體積內(nèi)電子的個(gè)數(shù)為n，材料截面積為s

　　　�、邸　�2分

　　s＝dL　�、堋　�1分

　　由②③④得：

　　　�、荨　�2分

　　令，則　　⑥　　2分

　　(3)增大電流I、減小厚度d和減小截流子的密度　　4分


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上，制作四個(gè)電極E、F、M、N，它就形成了一個(gè)霍爾元件，如圖所示，在E、F間通入恒定的電流I，同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B，則薄片中的自由電荷就在洛倫茲力的作用下向著與電流和磁場(chǎng)都垂直的方向漂移，使M、N間出現(xiàn)了電壓．設(shè)薄片中的自由電荷為正電荷．下列說(shuō)法正確的是（　　）

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2009?鹽城模擬）在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上，制作四個(gè)電極E、F、M、N，它就成了一個(gè)霍爾元件（如圖），在E、F間通入恒定的電流I，同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B，在M、N間出現(xiàn)了電壓UH，稱為霍爾電壓．
（1）電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示，載流子是電子，M、N兩端中哪端電勢(shì)較高？
（2）試證明：UH=K
IBd
，K為與材料有關(guān)的常量．
（3）為了提高霍爾元件的靈敏度，可采用哪些方法？

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上，制作四個(gè)電極E、F、M、N，它就成了一個(gè)霍爾元件（如圖），在E、F間通入恒定的電流I，同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B，在M、N間出現(xiàn)了電壓UH ，稱為霍爾電壓。

（1）電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示，載流子是電子，M、N兩端中哪端電勢(shì)較高?

（2）試證明： ，K為與材料有關(guān)的常量。

（３）為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法？

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

(19分)在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上，制作四個(gè)電極E、F、M、N，它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖)，在E、F間通人恒定的電流I，同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B，在M、N間出現(xiàn)了電壓UH，稱為霍爾電壓。

（1）電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示，載流子是電子，M、N兩端中哪端電勢(shì)較高?

（2）試證明： ，K為與材料有關(guān)的常量。

（3）為了提高霍爾元件的靈敏度，可采用哪些方法?[

 

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科目：高中物理 來(lái)源：福建省寧德三縣市2010屆高三第二次聯(lián)考（理綜）物理部分 題型：計(jì)算題

(19分)在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上，制作四個(gè)電極E、F、M、N，它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖)，在E、F間通人恒定的電流I，同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B，在M、N間出現(xiàn)了電壓UH，稱為霍爾電壓。

（1）電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示，載流子是電子，M、N兩端中哪端電勢(shì)較高?

（2）試證明： ，K為與材料有關(guān)的常量。

（3）為了提高霍爾元件的靈敏度，可采用哪些方法?[

 

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