【題目】有兩個電阻1和2,它們的阻值隨所加電壓的變化而改變,從而它們的伏安特性即電壓和電流不再成正比關(guān)系(這種電阻稱為非線性電阻).假設電阻1和電阻2的伏安特性圖線分別如圖所示.現(xiàn)先將這兩個電阻并聯(lián),然后接在電動勢E=9.0V、內(nèi)電阻r0 = 2.0Ω的電源上.試利用題給的數(shù)據(jù)和圖線在題圖中用作圖法讀得所需的數(shù)據(jù),進而分別求出電阻1和電阻2上消耗的功率P1和P2.要求:
i.在題圖上畫出所作的圖線____________.(只按所畫圖線評分,不要求寫出畫圖的步驟及理由)
ii.從圖上讀下所需物理量的數(shù)據(jù)(取二位有效數(shù)字),分別是:__________________;
iii.求出電阻R1消耗的功率P1= ____________,電阻R2消耗的功率P2=______________.
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【題目】如圖所示,邊長為L的正方形單匝線圈abcd,電阻為r,外電路的電阻為R,a、b的中點和cd的中點的連線OO′恰好位于勻強磁場的邊界線上,磁場的磁感應強度為B,若線圈從圖示位置開始,以角速度ω繞軸OO′勻速轉(zhuǎn)動,則以下判斷正確的是
A.電阻R兩端電壓的最大值為
B.閉合電路中感應電動勢的瞬時值表達式為
C.線圈從圖示位置轉(zhuǎn)過180°的過程中,流過電阻R的電荷量為
D.線圈轉(zhuǎn)動一周的過程中,電阻R上產(chǎn)生的熱量為
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【題目】如圖所示,在一個桌面上方有三個金屬小球a、b、c,離桌面高度分別h1:h2:h3=3:2:1.若先后順次釋放a、b、c,三球剛好同時落到桌面上,不計空氣阻力,則下列說法不正確的是
A.三者到達桌面時的速度之比是::1
B.三者運動的平均速度之比是::1
C.b與a開始下落的時間差小于c與b開始下落的時間差
D.b與a開始下落的時間差大于c與b開始下落的時間差
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【題目】設空間存在三個相互垂直的已知場:電場強度為E的勻強電場,磁感應強度為B的勻強磁場和重力加速度為g的重力場。一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電的質(zhì)點在此空間運動,已知在運動過程中,質(zhì)點速度的大小恒定不變。
(i)試通過論證,說明此質(zhì)點作何種運動(不必求出運動的軌跡方程)。
(ii)若在某一時刻,電場和磁場突然全部消失,已知此后該質(zhì)點在運動過程中的最小動能為其初始動能(即電場和磁場剛要消失時的動能)的一半,試求在電場、磁場剛要消失時刻該質(zhì)點的速度在三個場方向的分量。
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【題目】近年來,由于“微結(jié)構(gòu)材料”的發(fā)展,研制具有負折射率的人工材料的光學性質(zhì)及其應用,已受人們關(guān)注.對正常介質(zhì),光線從真空射入折射率為n的介質(zhì)時,入射角和折射角滿足折射定律公式,入射光線和折射光線分布在界面法線的兩側(cè);若介質(zhì)的折射率為負,即n<0,這時入射角和折射角仍滿足折射定律公式,但入射光線與折射光線分布在界面法線的同一側(cè).現(xiàn)考慮由共軸的兩個薄凸透鏡L1和L2構(gòu)成的光學系統(tǒng),兩透鏡的光心分別為O1和O2,它們之間的距離為s.若要求以與主光軸成很小夾角的光線入射到O1能從O2出射,并且出射光線與入射光線平行,則可以在O1和O2之間放一塊具有負折射率的介質(zhì)平板,介質(zhì)板的中心位于OO’的中點,板的兩個平行的側(cè)面與主光軸垂直,如圖所示.若介質(zhì)的折射率n= -1.5,則介質(zhì)板的厚度即垂直于主光軸的兩個平行側(cè)面之間的距離d =_________________.
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【題目】跳傘運動員做低空跳傘表演,他在離地面224m高處,由靜止開始在豎直方向做自由落體運動。一段時間后,立即打開降落傘,以12.5m/s2的加速度勻減速下降,為了運動員的安全,要求運動員落地速度最大不得超過5m/s。(g取10m/s2)
(1)求運動員展開傘時,離地面高度至少為多少?著地時相當于從多高處自由落下?
(2)求運動員在空中的最短時間是多少?
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【題目】圖示為一列沿x軸負方向傳播的簡諧橫波,實線為t=0時刻的波形圖,虛線為t=0.6s時的波形圖,波的周期T>0.6s,則( )
A. 波的周期為2.4s
B. 在t=0.9s時,P點沿y軸正方向運動
C. 經(jīng)過0.4s,P點經(jīng)過的路程為0.4m
D. 在t=0.2s時,Q點經(jīng)過的路程為0.2m
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【題目】有—塊長條形的純凈半導體硅,其橫截面積為2.5cm2,通有電流2mA時,其內(nèi)自由電子定向移動的平均速率為7.5×10-5m/s,空穴定向移動的平均速率為2.5 ×10-5m/s.已知硅的密度為2.4×103kg/m3,原子量是28.電子的電荷量大小為e=1.6×10-19C.若一個硅原子至多只釋放一個自由電子,試估算此半導體材料中平均多少個硅原子中才有一個硅原子釋放出自由電子?阿伏伽德羅常數(shù)為N0=6.02×1023mol-1.
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【題目】如圖所示,一個滑塊套在粗細均勻的水平固定直桿上,小球有細線與滑塊相連,對小球施加大小為F的拉力,結(jié)果小球處于靜止,滑塊剛好要滑動,細線與水平方向的夾角為,拉力與水平方向的夾角為,滑塊與直桿間的動摩擦因數(shù)為0.5,重力加速度為g,最大靜摩擦力等于滑動摩擦力。求:
(1)小球的質(zhì)量;
(2)滑塊的質(zhì)量。
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