A. | 只要物體所受的合外力不為0,它就做曲線運(yùn)動(dòng) | |
B. | 做曲線運(yùn)動(dòng)的物體,例如勻速圓周運(yùn)動(dòng),速度是可以不變的 | |
C. | 物體做曲線運(yùn)動(dòng),速度方向與其運(yùn)動(dòng)軌跡無關(guān) | |
D. | 做曲線運(yùn)動(dòng)的物體,它的加速度可以是恒定的 |
分析 物體做曲線運(yùn)動(dòng)的條件是:合外力和速度不在一條直線上.曲線運(yùn)動(dòng)速度的方向沿切線方向,一定是變化的,故曲線運(yùn)動(dòng)一定是變速運(yùn)動(dòng).
解答 解:A、曲線運(yùn)動(dòng)的條件是:合外力和速度不在一條直線上,如果合外力不為零,但方向與運(yùn)動(dòng)方向相同,則物體做直線運(yùn)動(dòng),故A錯(cuò)誤
B、曲線運(yùn)動(dòng)速度的方向沿切線方向,一定是變化的,故曲線運(yùn)動(dòng)一定是變速運(yùn)動(dòng),故B錯(cuò)誤
C、曲線運(yùn)動(dòng)的速度方向是變化的,其方向沿運(yùn)動(dòng)軌跡的切線方向,故C錯(cuò)誤
D、做曲線運(yùn)動(dòng)的物體,它的加速度可以是恒定的,如平拋運(yùn)動(dòng),故D正確.
故選:D.
點(diǎn)評(píng) 掌握物體做曲線運(yùn)動(dòng)的條件和曲線運(yùn)動(dòng)的速度,加速度等的特征,可以判定各選項(xiàng),注意明確曲線運(yùn)動(dòng)兩個(gè)特例的應(yīng)用:平拋運(yùn)動(dòng)和勻速圓周運(yùn)動(dòng).
年級(jí) | 高中課程 | 年級(jí) | 初中課程 |
高一 | 高一免費(fèi)課程推薦! | 初一 | 初一免費(fèi)課程推薦! |
高二 | 高二免費(fèi)課程推薦! | 初二 | 初二免費(fèi)課程推薦! |
高三 | 高三免費(fèi)課程推薦! | 初三 | 初三免費(fèi)課程推薦! |
科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 原電場(chǎng)方向豎直向下 | |
B. | 改變后的電場(chǎng)方向垂直于MN | |
C. | 電場(chǎng)方向改變后,小球的加速度大小為g | |
D. | 電場(chǎng)方向改變后,小球的最大電勢(shì)能為$\frac{m{{v}_{0}}^{2}}{4}$ |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 物體落地的水平位移只跟拋出時(shí)的初速度有關(guān) | |
B. | 物體落地的水平位移只跟拋出點(diǎn)的高度有關(guān) | |
C. | 物體落地的時(shí)間只與拋出點(diǎn)的高度有關(guān) | |
D. | 物體落地時(shí)速度的大小只與初速度有關(guān) |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 衛(wèi)星的向心加速度減小到原來的$\frac{1}{4}$ | B. | 衛(wèi)星的角速度減小到原來的$\frac{1}{2}$ | ||
C. | 衛(wèi)星的周期增大到原來的8倍 | D. | 衛(wèi)星的周期增大3倍 |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 小球拋出點(diǎn)離地面的高度5m | B. | 小球拋出點(diǎn)離地面的高度10m | ||
C. | 小球飛行的水平距離10m | D. | 小球飛行的水平距離20m |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 若想套中直桿1,環(huán)拋出時(shí)的水平初速度不能小于1.9m/s | |
B. | 若想套中直桿2,環(huán)拋出時(shí)的水平初速度范圍為2.4m/s~2.8m/s | |
C. | 若以2m/S的水平初速度將環(huán)拋出,則可以套中直桿1 | |
D. | 若以2.3m/s的水平初速度將環(huán)拋出,則環(huán)落到直桿1、2之間的地面上 |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | $\frac{T}{4}$和$\frac{3T}{4}$時(shí)刻,導(dǎo)體棒的速度相同 | |
B. | 0到T時(shí)間內(nèi)通過電阻R的電荷量為0 | |
C. | $\frac{T}{4}$時(shí)刻,N點(diǎn)電勢(shì)比M點(diǎn)高ImR | |
D. | 0到$\frac{T}{4}$時(shí)間內(nèi),電阻R上產(chǎn)生的焦耳熱為$\frac{{I}_{m}^{2}RT}{2}$ |
查看答案和解析>>
百度致信 - 練習(xí)冊(cè)列表 - 試題列表
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺(tái) | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com