A. 逐漸減小θ角，a光在液膜下表面先發(fā)生全反射

B. b光從下表面射出時(shí)與入射光線間偏移的距離較大

C. a光更容易發(fā)生明顯的衍射現(xiàn)象

D. 相同裝置做雙縫干涉實(shí)驗(yàn)，a光產(chǎn)生的干涉條紋間距較小

A. 當(dāng) F＝25N 時(shí)，木塊沒(méi)有動(dòng)，木塊受到的摩擦力為 6.25N

B. 當(dāng) F＝10N 時(shí)，木塊沿墻面下滑，木塊受到的摩擦力為 2.5N

C. 當(dāng) F 一直變大時(shí)，木塊受到的摩擦力也會(huì)一直變大

D. 當(dāng) F 始終為 0 時(shí)，物體將向下做自由落體運(yùn)動(dòng)

A. 細(xì)繩對(duì)A的拉力將增大 B. A對(duì)斜面的壓力將減小

C. A受到的靜摩擦力不變 D. A受到的合力將增大

（1）電場(chǎng)強(qiáng)度的大��；

（2）若剪斷細(xì)線，則小球的加速度有多大；

（3）剪斷細(xì)線開(kāi)始經(jīng)歷1秒小球電勢(shì)能的變化. (最后答案用m、q、g等符號(hào)表示)

【題目】如圖所示，AB為均勻帶有電荷量為+Q的細(xì)棒，C為AB棒附近的一點(diǎn)，CB垂直于AB。AB棒上電荷形成的電場(chǎng)中C點(diǎn)的電勢(shì)為，可以等效成AB棒上電荷集中AB上的某點(diǎn)P（未畫出）處，帶電量為+Q的點(diǎn)電荷所形成的電場(chǎng)在C點(diǎn)的電勢(shì)，若PC的距離為r，由點(diǎn)電荷電勢(shì)的知識(shí)可知。若某點(diǎn)處在多個(gè)點(diǎn)電荷形成的電場(chǎng)中，則電勢(shì)為每個(gè)點(diǎn)電荷在該點(diǎn)所產(chǎn)生的電勢(shì)的代數(shù)和。根據(jù)題中提供的知識(shí)與方法，我們可將AB棒均分成兩段，并看成兩個(gè)點(diǎn)電荷，就可以求得AC連線中點(diǎn)處的電勢(shì)為

A、B、C、2D、4

【題目】如圖所示，光滑水平面AB與粗糙斜面BC在B處通過(guò)圓弧銜接，質(zhì)量M=0.3kg的小木塊靜止在水平面上的A點(diǎn),現(xiàn)有一質(zhì)量m=0.2kg子彈以v0=20m/s初速度水平地射入木塊 但未穿出，它們一起沿AB運(yùn)動(dòng)，并沖上BC已知木塊與斜面間的動(dòng)摩擦因數(shù)，斜面傾角，木塊在B處無(wú)機(jī)械能損失試求：

（1）子彈射入木塊后的共同速度；

（2）子彈和木塊能沖上斜面的最大高度．

A.

B.

C.

D.

A. 在0～10s內(nèi)兩物體逐漸靠近

B. 在10s末兩物體相遇

C. 在10～20s內(nèi)兩物體逐漸靠近

D. 在20s末兩物體相距最遠(yuǎn)

A. 電場(chǎng)和磁場(chǎng)的概念分別是奧斯特和楞次建立的

B. 重力場(chǎng)與靜電場(chǎng)相類比，重力場(chǎng)的“場(chǎng)強(qiáng)”相等于重力加速度，其“場(chǎng)強(qiáng)”大小的決定式為g=

C. 靜電場(chǎng)與磁場(chǎng)相類比，如果在靜電場(chǎng)中定義“電通量”這個(gè)物理量，則該物理量表示穿過(guò)靜電場(chǎng)中某一（平或曲）面的電場(chǎng)線的多少

D. 如果把地球抽象為一個(gè)孤質(zhì)點(diǎn)，用于形象描述它所產(chǎn)生的重力場(chǎng)的所謂“重力場(chǎng)線”的分布類似于真空中一個(gè)孤立的正電荷所產(chǎn)生的靜電場(chǎng)的電場(chǎng)線分布

【題目】兩同學(xué)驗(yàn)證反沖運(yùn)動(dòng)中動(dòng)量守恒，如圖所示，兩質(zhì)量分別為mA、mB玩具小車放置在水平桌面上，中間夾一彈簧，自某一位置突然放開(kāi)，兩小車做反沖運(yùn)動(dòng)，一段時(shí)間后，同時(shí)止住運(yùn)動(dòng)的小車，測(cè)出兩小車運(yùn)動(dòng)的距離分別為sA、sB忽略小車與桌面間的摩擦，請(qǐng)用以上物理量符號(hào)寫出反沖前后動(dòng)量守恒表達(dá)式_________________；已知課本寬度為L，并以此計(jì)量小車運(yùn)動(dòng)的距離分別,可知兩小車質(zhì)量之比： =______。