3.(1)中國古代四大發(fā)明之一--黑火藥,它的爆炸反應(yīng)為S+3C+2KNO3$\frac{\underline{\;點(diǎn)燃\;}}{\;}$K2S+3CO2↑+N2↑.
(1)上述反應(yīng)式中屬于周期表中第二周期的元素的電負(fù)性從大到小依次為O>N>C.
(2)與K同周期,且最外層只有一個電子的元素(除K以外)是Cu(填元素符號),該原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1
(3)已知CN-與N2結(jié)構(gòu)相似,推算HCN分子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為1:2
(4)將CO2通入過量的NaOH溶液中,可得到一種正鹽M,用價(jià)層電子對互斥理論推測該鹽的陰離子的立體構(gòu)型是平面正三角形.寫出與該陰離子互為等電子體的一種離子.
(5)在生成物中,K2S的晶體類型是離子晶體,若K2S是一種具有面心立方最密堆積的結(jié)論,其晶胞如圖所示,則每個S2-與8個K+配位,若該晶胞的密度為ρg/cm3,則陰陽離子之間最短的距離為$\frac{\sqrt{3}}{4}$$\root{3}{\frac{440}{{N}_{A}}}$cm.(結(jié)果用ρ和NA表示)

分析 (1)非金屬性越強(qiáng),則電負(fù)性越強(qiáng);
(2)根據(jù)元素周期表可知,與K同周期,且最外層只有一個電子的元素(除K以外)是銅,銅為29號元素,根據(jù)核外電子排布規(guī)律可寫出原子的核外電子排布式;
(3)N2分子中有氮氮參鍵,其中一個σ鍵和兩個π鍵,據(jù)此判斷CN-中σ鍵與π鍵數(shù)目之比;
(4)將CO2通入過量的NaOH溶液中,可得到一種正鹽M為碳酸鈉,CO32-中價(jià)層電子數(shù)=3+$\frac{1}{2}$(4+2-3×2)=3,且不含孤電子對,據(jù)此確定離子空間構(gòu)型,原子個數(shù)相同價(jià)電子數(shù)相同的微粒為等電子體;
(5)K2S中硫離子與鉀離子之間是離子鍵,所以該晶體類型是離子晶體,根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,以上底面面心上的硫離子為例,與之距離最近的鉀離子有8個,根據(jù)均攤法可知,該晶胞中含有的鉀離子為8個和硫離子數(shù)為$8×\frac{1}{8}+6×\frac{1}{2}$=4個,結(jié)合密度可求得晶胞的邊長,根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)可知陰陽離子之間最短的距離為體對角線的$\frac{1}{4}$,據(jù)此答題.

解答 解:(1)上述反應(yīng)式中屬于周期表中第二周期的元素為C、N、O,非金屬性越強(qiáng),則電負(fù)性越強(qiáng),非金屬性:O>N>C,則電負(fù)性O(shè)>N>C;
故答案為:O>N>C;
(2)根據(jù)元素周期表可知,與K同周期,且最外層只有一個電子的元素(除K以外)是Cu,銅為29號元素,銅原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1,
故答案為:Cu;1s22s22p63s23p63d104s1;
(3)N2分子中有氮氮參鍵,其中一個σ鍵和兩個π鍵,所以CN-中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為1:2,
故答案為:1:2;
(4)CO32-中價(jià)層電子數(shù)=3+$\frac{1}{2}$(4+2-3×2)=3,且不含孤電子對,所以是平面三角形構(gòu)型,與CO32-互為等電子體一種離子為NO3-、SiO32-等,
故答案為:平面正三角形;NO3-或SiO32-;
(5)K2S中硫離子與鉀離子之間是離子鍵,所以該晶體類型是離子晶體,根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,以上底面面心上的硫離子為例,與之距離最近的鉀離子有8個,根據(jù)均攤法可知,該晶胞中含有的鉀離子為8個和硫離子數(shù)為$8×\frac{1}{8}+6×\frac{1}{2}$=4個,所以晶胞的體積為$\frac{\frac{4×110}{{N}_{A}}}{ρ}$cm3=$\frac{440}{{N}_{A}ρ}$cm3,晶胞的邊長為$\root{3}{\frac{440}{{N}_{A}}}$cm,根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)可知陰陽離子之間最短的距離為面對角線的$\frac{1}{4}$,所以陰陽離子之間最短的距離為$\frac{\sqrt{3}}{4}$×$\root{3}{\frac{440}{{N}_{A}}}$cm=$\frac{\sqrt{3}}{4}$$\root{3}{\frac{440}{{N}_{A}}}$cm,
故答案為:離子晶體;8;$\frac{\sqrt{3}}{4}$$\root{3}{\frac{440}{{N}_{A}}}$.

點(diǎn)評 本題考查較為綜合,涉及晶胞的計(jì)算、電子排布式的書寫、等電子體等知識點(diǎn),晶胞的計(jì)算是學(xué)習(xí)難點(diǎn),應(yīng)熟練掌握,題目難度較大.

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